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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會(huì)捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來(lái)的淺能級(jí)的空穴,在浮柵里面會(huì)注入所需要的電子。編譯過(guò)程中浮柵104可以捕獲電子,擦除過(guò)程中隧穿氧化層103會(huì)捕獲空穴;在經(jīng)過(guò)多次的編譯以及擦除后,會(huì)在浮柵104中有更多的電子,隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等,從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過(guò)程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級(jí)的空穴,這些深能級(jí)的空穴不容易移動(dòng),而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍,在htol測(cè)試過(guò)程中高溫下會(huì)比較容易丟失,從而補(bǔ)償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來(lái)的淺能級(jí)的空穴在htol測(cè)試過(guò)程中的丟失。本地HTOL測(cè)試機(jī)推薦
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