導致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗證過程中閃存參考單元會有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時間不容延期。從測試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，隨時導出測試數(shù)據(jù)，簡化可靠性測試溯源問題。怎樣選擇HTOL測試機型號
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一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，
包括：將所述源極101和漏極102均懸空，在所述控制柵106上施加***擦除電壓vc1，在所述襯底100上施加第二擦除電壓vc2；其中，所述***擦除電壓vc1為負電壓，所述第二擦除電壓vc2為正電壓。所述***擦除電壓vc1的范圍為-10v～-8v，本實施例中例如為-9v；所述第二擦除電壓vc2的范圍為8v～10v，本實施例中例如為9v；擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。本實施例中，閃存參考單元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(簡稱為fn隧穿)，通過在襯底100上施加正電壓，在控制柵106上施加負電壓，以在隧穿氧化層103中注入空穴，同時減少浮柵104中的電子。集成電路動態(tài)老化設(shè)備，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機。
集成電路動態(tài)老化設(shè)備，20年發(fā)展歷史，自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。上海頂策科技有限公司，自成立以來已經(jīng)為超過500家半導體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試實驗，出具可靠性報告等一條龍服務(wù)。上海頂策科技有限公司可靠性測試部，提供HTOL方案設(shè)計制作。專注HTOL測試機品牌排行榜
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那么IC在使用期的壽命測試中的HTOL是什么呢？使用期的壽命測試又包含高溫工作壽命（HTOL）和低溫工作壽命（LTOL），對于亞微米級尺寸的器件，熱載流子效應(yīng)對于器件壽命有著***的影響，低溫工作時相對比較苛刻，所以像存儲器、處理器等納米級別工藝的產(chǎn)品通常需要進行低溫工作壽命測試。而對于。進行HTOL（HighTemperatureOperationLife）測試的目的就是為了確定長時間的電氣偏差和溫度對器件的影響，評估器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力，也就是在正常工作的壽命期間潛在的固有故障被加速，這樣就可以在相對比較短的時間內(nèi)模擬出產(chǎn)品的正常使用壽命。HTOL是在產(chǎn)品放行和批量生產(chǎn)前進行評估，對應(yīng)浴缸曲線曲線的UsefulLife期，通常是抽樣進行的。此外，HTOL還可以用于可靠性監(jiān)控以及對存在潛在缺陷的產(chǎn)品進行風險評估。 怎樣選擇HTOL測試機型號
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