導致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗證過程中閃存參考單元會有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產工藝過程中捕獲(引入)的，短期內無法消除。而閃存產品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時間不容延期。從測試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。上海頂策科技自主研發(fā)實時單顆監(jiān)測技術，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號，非常方便HTOL Setup。青浦區(qū)HTOL測試機供應商
集成電路可靠性測試方案制定，自主研發(fā)的可靠性測試設備，可以滿足各類芯片可靠性測試需求。上海頂策科技有限公司TH801智能一體化老化測試機，自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術，通過監(jiān)測數據，可以實時發(fā)現問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。上海頂策科技有限公司，擁有20年以上的豐富測試技術積累及運營經驗，以及多項發(fā)明專利及軟件著作權，自成立以來已經為超過500家半導體公司提供高質量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！嘉定區(qū)國產HTOL測試機TH801智能老化系統，自有發(fā)明專利智能實時在線監(jiān)測技術。
閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產工藝帶來的淺能級的空穴，在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子，擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴；在經過多次的編譯以及擦除后，會在浮柵104中有更多的電子，隧穿氧化層103中有更多的空**7中經編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等，從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴，這些深能級的空穴不容易移動，而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍，在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失，從而補償了閃存參考單元從生產工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。
閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側的源極101和漏極102，位于導電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側分布有側墻107。柵間介質層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結構，即為ono結構。具體的，閃存在其生產工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖，如圖3所示，對所述閃存參考單元進行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2，在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3，在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4；其中，所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2；所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓vb3的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為～-1v，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。上海頂策科技有限公司可靠性測試服務，有全程HTOL數據記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。
在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現有技術相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結構示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；上海頂策科技有限公司可靠性測試部，提供芯片可靠性測試整體解決方案。崇明區(qū)智能HTOL測試機
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HTOL的注意要點高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進行，除了給器件合適的偏置與負載外，主要包括溫度應力和電壓應力，這兩者都屬于加速因子。合理設置溫度應力和電壓應力，以便在合理的時間和成本下完成壽命評估。對于硅基產品，溫度應力一般設置在結溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設置更高的溫度，具體根據加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結溫小于材料的極限工作溫度或者熱關斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設計有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗時間。電壓應力一般采用最高工作電壓進行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進行試驗，但是無論電壓應力還是溫度應力都不允許器件處于過電應力的狀態(tài)。 青浦區(qū)HTOL測試機供應商
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