寶山區(qū)本地HTOL測(cè)試機(jī)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-27

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提供可靠性測(cè)試整體解決方案:可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì),原理圖設(shè)計(jì),PCBlayout加工制作,老化程序開發(fā)調(diào)試,可靠性測(cè)試試驗(yàn),出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù),通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,大幅提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性,讓報(bào)告更有說服力,下游客戶更放心。HTOL測(cè)試機(jī)一般多少錢TH801智能老化系統(tǒng),實(shí)時(shí)參數(shù)正態(tài)分布圖,散點(diǎn)圖等分析數(shù)據(jù),有利于分析芯片性能參數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除循環(huán)后,htol測(cè)試過程中。閃存參考單元的輸出電流iref在48小時(shí)的測(cè)試值iref1與在初始的測(cè)試值iref0之間偏移量減小,實(shí)際驗(yàn)證多個(gè)型號(hào)的閃存產(chǎn)品采用本實(shí)施例的方法后,htol可靠性驗(yàn)證通過,而且測(cè)試可靠,使閃存產(chǎn)品較短時(shí)間內(nèi)進(jìn)入客戶樣品量產(chǎn)階段。綜上所述,本發(fā)明所提供的一種閃存htol測(cè)試方法,對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除循環(huán)后,再進(jìn)行閃存htol可靠性驗(yàn)證,編譯和擦除循環(huán)會(huì)在閃存參考單元中引入電子,引入的電子在閃存htol可靠性驗(yàn)證過程存在丟失,進(jìn)而對(duì)空穴在htol測(cè)試過程中的丟失形成補(bǔ)償,降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過,解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問題,提高閃存質(zhì)量。顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些改動(dòng)和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變動(dòng)在內(nèi)。

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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會(huì)捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級(jí)的空穴,在浮柵里面會(huì)注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子,擦除過程中隧穿氧化層103會(huì)捕獲空穴;在經(jīng)過多次的編譯以及擦除后,會(huì)在浮柵104中有更多的電子,隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等,從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級(jí)的空穴,這些深能級(jí)的空穴不容易移動(dòng),而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍,在htol測(cè)試過程中高溫下會(huì)比較容易丟失,從而補(bǔ)償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級(jí)的空穴在htol測(cè)試過程中的丟失。上海頂策科技有限公司可靠性測(cè)試部,提供芯片可靠性測(cè)試整體解決方案。靜安區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)市價(jià)

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