閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產工藝帶來的淺能級的空穴，在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子，擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴；在經過多次的編譯以及擦除后，會在浮柵104中有更多的電子，隧穿氧化層103中有更多的空**7中經編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等，從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴，這些深能級的空穴不容易移動，而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍，在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失，從而補償了閃存參考單元從生產工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。上海頂策科技自主研發(fā)智能HTOL測試機TH801，實時監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據。有哪些HTOL測試機私人定做
本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實施例的閃存參考單元經過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實施例的閃存參考單元經過編譯和擦除循環(huán)后再進行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標號如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質層；106-控制柵；107-側墻；具體實施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法，以下結合附圖和具體實施例作進一步詳細說明。根據下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖，本地HTOL測試機排行榜上海頂策科技有限公司提供芯片可靠性測試一條龍解決方案。
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