HTOL的注意要點高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進行，除了給器件合適的偏置與負載外，主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，以便在合理的時間和成本下完成壽命評估。對于硅基產(chǎn)品，溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度，具體根據(jù)加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗時間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進行試驗，但是無論電壓應(yīng)力還是溫度應(yīng)力都不允許器件處于過電應(yīng)力的狀態(tài)。 TH801智能老化系統(tǒng)，監(jiān)測數(shù)據(jù)異常自動報警，實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，可以整體降低30~50%的成本。青浦區(qū)一體化HTOL測試機
在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；黃浦區(qū)HTOL測試機哪家強集成電路動態(tài)老化設(shè)備，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機。
可靠性測試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告等全方面服務(wù)。上海頂策科技有限公司，擁有20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運營經(jīng)驗，以及多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來已經(jīng)為超過500家半導體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！
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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴，在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子，擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴；在經(jīng)過多次的編譯以及擦除后，會在浮柵104中有更多的電子，隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等，從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴，這些深能級的空穴不容易移動，而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍，在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失，從而補償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。青浦區(qū)一體化HTOL測試機
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