奉賢區(qū)HTOL測試機(jī)推薦廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-05

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在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法,對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進(jìn)行htol測試,所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失,以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過,解決了閃存htol測試中讀點(diǎn)失效的問題,提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法流程圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖;HTOL測試機(jī)大概費(fèi)用上海頂策科技有限公司提供可靠性測試整體解決方案,以及測試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測試試驗(yàn)。

    1.試驗(yàn)?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時(shí)間的影響。試驗(yàn)可以加速地模擬器件的運(yùn)行狀態(tài),主要用于器件的可靠性測試。本實(shí)驗(yàn)在較短時(shí)間內(nèi)對器件施加高溫偏置,通常也被稱為老化或老煉。,這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法,這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖;發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中,具體標(biāo)號如下:100-襯底;101-源極;102-漏極;103-隧穿氧化層;104-浮柵;105-柵間介質(zhì)層;106-控制柵;107-側(cè)墻;具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法,以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細(xì)的比例,*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法流程圖,上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測試機(jī)TH801可以為芯片HTOL測試節(jié)省更多時(shí)間、FA成本。

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