上海國產(chǎn)HTOL測試機(jī)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-05

    4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求,則認(rèn)為失效。:1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求,則認(rèn)為失效。:1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?!鏅?quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度,具體到每顆芯片的狀態(tài)數(shù)據(jù)。上海國產(chǎn)HTOL測試機(jī)

    進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯,包括:在所述源極上施加***編程電壓,在所述漏極上施加第二編程電壓,在所述控制柵上施加第三編程電壓,在所述襯底上施加第四編程電壓;其中,所述***編程電壓小于所述第二編程電壓;所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進(jìn)一步的,所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓的范圍為~-1v。進(jìn)一步的,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行擦除,包括:將所述源極和漏極均懸空,在所述控制柵上施加***擦除電壓,在所述襯底上施加第二擦除電壓;其中,所述***擦除電壓為負(fù)電壓,所述第二擦除電壓為正電壓。進(jìn)一步的,所述***擦除電壓的范圍為-10v~-8v,所述第二擦除電壓的范圍為8v~10v。進(jìn)一步的,擦除過程中的脈沖寬度為10ms~20ms。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除,循環(huán)次數(shù)為10次~20次。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測試包括:對(duì)所述閃存依次進(jìn)行***時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。

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    HTOL的注意要點(diǎn)高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進(jìn)行,除了給器件合適的偏置與負(fù)載外,主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力,這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力,以便在合理的時(shí)間和成本下完成壽命評(píng)估。對(duì)于硅基產(chǎn)品,溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃,GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度,具體根據(jù)加速要求而定。但無論哪種材料,均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷(thermalshutdown)溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計(jì)有利于加速因子的提高,這樣可以節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進(jìn)行,如果需要提高加速度,則可以采用更高的電壓進(jìn)行試驗(yàn),但是無論電壓應(yīng)力還是溫度應(yīng)力都不允許器件處于過電應(yīng)力的狀態(tài)。 上海頂策科技自主研發(fā)智能HTOL測試機(jī)TH801,實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。

發(fā)明人檢查失效的原因,發(fā)現(xiàn)讀點(diǎn)失效為讀“0”失效,并且進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)閃存參考單元的輸出電流iref在48小時(shí)的測試值iref1與在初始的測試值iref0之間有偏移,具體偏移量經(jīng)測試統(tǒng)計(jì)在4μa以內(nèi),而且iref1<iref0,即48小時(shí)后iref往電流變小的方向偏移。閃存測試中,若iref>i,則讀出“0”(即閃存讀“0”操作時(shí),iref>i)。閃存判斷讀“0”的具體操作過程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷。當(dāng)差值變?nèi)醯接勺x出放大器無法進(jìn)行識(shí)別時(shí),讀“0”失效。當(dāng)htol可靠性驗(yàn)證經(jīng)過***時(shí)間點(diǎn)例如48小時(shí)后,由于閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移即iref變小,如此一來,閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值變小,超出讀出放大器識(shí)別范圍,于是讀“0”失效。測試發(fā)現(xiàn)經(jīng)48小時(shí)閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移后,進(jìn)一步做htol測試,閃存參考單元的輸出電流iref在第三時(shí)間點(diǎn)例如168小時(shí),第四時(shí)間點(diǎn)例如500小時(shí),第五時(shí)間點(diǎn)例如1000小時(shí)測試均不會(huì)進(jìn)一步偏移。TH801智能老化系統(tǒng),監(jiān)測數(shù)據(jù)異常自動(dòng)報(bào)警,實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,可以整體降低30~50%的成本。HTOL測試機(jī)怎么用

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