怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-09

閃存參考單元包括:襯底100,位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102,位于導(dǎo)電溝道上方的柵極單元,所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu),即為ono結(jié)構(gòu)。具體的,閃存在其生產(chǎn)工藝過(guò)程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖,如圖3所示,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯,包括:在所述源極101上施加***編程電壓vb1,在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2,在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3,在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4;其中,所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2;所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓vb3的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為~-1v,編譯過(guò)程中的脈沖寬度為100μs~150μs。編譯通過(guò)熱電子注入的方式對(duì)所述浮柵104中注入電子。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng),通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本。怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)

發(fā)明人檢查失效的原因,發(fā)現(xiàn)讀點(diǎn)失效為讀“0”失效,并且進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)閃存參考單元的輸出電流iref在48小時(shí)的測(cè)試值iref1與在初始的測(cè)試值iref0之間有偏移,具體偏移量經(jīng)測(cè)試統(tǒng)計(jì)在4μa以內(nèi),而且iref1<iref0,即48小時(shí)后iref往電流變小的方向偏移。閃存測(cè)試中,若iref>i,則讀出“0”(即閃存讀“0”操作時(shí),iref>i)。閃存判斷讀“0”的具體操作過(guò)程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷。當(dāng)差值變?nèi)醯接勺x出放大器無(wú)法進(jìn)行識(shí)別時(shí),讀“0”失效。當(dāng)htol可靠性驗(yàn)證經(jīng)過(guò)***時(shí)間點(diǎn)例如48小時(shí)后,由于閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移即iref變小,如此一來(lái),閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值變小,超出讀出放大器識(shí)別范圍,于是讀“0”失效。測(cè)試發(fā)現(xiàn)經(jīng)48小時(shí)閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移后,進(jìn)一步做htol測(cè)試,閃存參考單元的輸出電流iref在第三時(shí)間點(diǎn)例如168小時(shí),第四時(shí)間點(diǎn)例如500小時(shí),第五時(shí)間點(diǎn)例如1000小時(shí)測(cè)試均不會(huì)進(jìn)一步偏移。HTOL測(cè)試機(jī)現(xiàn)貨TH801智能老化系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度,確保芯片處于正常HTOL狀態(tài),保證HTOL測(cè)試質(zhì)量。

    htonl()簡(jiǎn)述:將主機(jī)的無(wú)符號(hào)長(zhǎng)整形數(shù)轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序。#include<arpa/(uint32_thostlong);hostlong:主機(jī)字節(jié)順序表達(dá)的32位數(shù)。注釋?zhuān)罕竞瘮?shù)將一個(gè)32位數(shù)從主機(jī)字節(jié)順序轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序。返回值:htonl()返回一個(gè)網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序的值。參見(jiàn):htons(),ntohl(),ntohs().在Linux系統(tǒng)下:#include<arpa/(uint32_thostlong);相關(guān)函數(shù):uint16_thtons(uint16_thostshort);uint32_tntohl(uint32_tnetlong);uint16_tntohs(uint16_tnetshort);網(wǎng)際協(xié)議在處理這些多字節(jié)整數(shù)時(shí),使用大端字節(jié)序。在主機(jī)本身就使用大端字節(jié)序時(shí),這些函數(shù)通常被定義為空宏?!鏅?quán)聲明:本文為CSDN博主「gocpplua」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。

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一種閃存htol測(cè)試方法,包括:提供待測(cè)閃存,所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元;所述閃存參考單元中捕獲有空穴;對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中部分丟失,以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。具體的,待測(cè)閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元,閃存陣列單元用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù),閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測(cè)閃存在其生產(chǎn)工藝過(guò)程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴,所述空穴在htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖,TH801智能老化系統(tǒng),方便靈活配置芯片狀態(tài)、施加信號(hào),提高HTOLdebug及Setup效率。奉賢區(qū)智能化HTOL測(cè)試機(jī)

TH801智能老化系統(tǒng),監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)異常自動(dòng)報(bào)警,實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,可以整體降低30~50%的成本。怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)

芯片HTOL測(cè)試項(xiàng)目柔性開(kāi)發(fā),芯片HTOL測(cè)試自研設(shè)備。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī),擁有多項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利及軟件著作權(quán),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,大幅提高HTOL效率。提供可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類(lèi)芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類(lèi)芯片的可靠性方案設(shè)計(jì),原理圖設(shè)計(jì),PCBlayout加工制作,老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試,可靠性測(cè)試試驗(yàn),出具可靠性報(bào)告。怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)

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