進一步的，對所述閃存參考單元進行編譯，包括：在所述源極上施加***編程電壓，在所述漏極上施加第二編程電壓，在所述控制柵上施加第三編程電壓，在所述襯底上施加第四編程電壓；其中，所述***編程電壓小于所述第二編程電壓；所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進一步的，所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓的范圍為～-1v。進一步的，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。進一步的，對所述閃存參考單元進行擦除，包括：將所述源極和漏極均懸空，在所述控制柵上施加***擦除電壓，在所述襯底上施加第二擦除電壓；其中，所述***擦除電壓為負電壓，所述第二擦除電壓為正電壓。進一步的，所述***擦除電壓的范圍為-10v～-8v，所述第二擦除電壓的范圍為8v～10v。進一步的，擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。進一步的，對所述閃存參考單元進行編譯和擦除，循環(huán)次數(shù)為10次～20次。進一步的，對所述閃存進行htol測試包括：對所述閃存依次進行***時間點讀點、第二時間點讀點、第三時間點讀點至第n時間點讀點。
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閃存HTOL測試方法與流程本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種閃存htol測試方法。背景技術(shù)：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲器，其具有即使斷電存儲數(shù)據(jù)也不會丟失而能夠長期保存的特點。故近年來閃存的發(fā)展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲速度和高可靠性的閃存存儲器被廣泛應用于包括電腦、手機、服務器等電子產(chǎn)品及設備中。在半導體技術(shù)領域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗)用于評估半導體器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力。對于閃存的可靠性而言，在數(shù)萬次的循環(huán)之后的htol是一個主要指數(shù)。通常而言，閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后，通過1000小時的htol測試。閃存htol實際測試中存在若干小時后閃存測試讀點(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測試中讀點失效的問題。上海頂策科技有限公司智能HTOL測試機TH801有全程數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。閔行區(qū)國內(nèi)HTOL測試機
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