進(jìn)一步的，對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯，包括：在所述源極上施加***編程電壓，在所述漏極上施加第二編程電壓，在所述控制柵上施加第三編程電壓，在所述襯底上施加第四編程電壓；其中，所述***編程電壓小于所述第二編程電壓；所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進(jìn)一步的，所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓的范圍為～-1v。進(jìn)一步的，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。進(jìn)一步的，對所述閃存參考單元進(jìn)行擦除，包括：將所述源極和漏極均懸空，在所述控制柵上施加***擦除電壓，在所述襯底上施加第二擦除電壓；其中，所述***擦除電壓為負(fù)電壓，所述第二擦除電壓為正電壓。進(jìn)一步的，所述***擦除電壓的范圍為-10v～-8v，所述第二擦除電壓的范圍為8v～10v。進(jìn)一步的，擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。進(jìn)一步的，對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除，循環(huán)次數(shù)為10次～20次。進(jìn)一步的，對所述閃存進(jìn)行htol測試包括：對所述閃存依次進(jìn)行***時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。
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包括：將所述源極101和漏極102均懸空，在所述控制柵106上施加***擦除電壓vc1，在所述襯底100上施加第二擦除電壓vc2；其中，所述***擦除電壓vc1為負(fù)電壓，所述第二擦除電壓vc2為正電壓。所述***擦除電壓vc1的范圍為-10v～-8v，本實(shí)施例中例如為-9v；所述第二擦除電壓vc2的范圍為8v～10v，本實(shí)施例中例如為9v；擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。本實(shí)施例中，閃存參考單元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(簡稱為fn隧穿)，通過在襯底100上施加正電壓，在控制柵106上施加負(fù)電壓，以在隧穿氧化層103中注入空穴，同時(shí)減少浮柵104中的電子。江蘇HTOL測試機(jī)排行榜集成電路動態(tài)老化設(shè)備，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機(jī)。
閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102，位于導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu)，即為ono結(jié)構(gòu)。具體的，閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實(shí)施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖，如圖3所示，對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2，在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3，在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4；其中，所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2；所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓vb3的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為～-1v，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。
可靠性測試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。上海頂策科技有限公司，擁有20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)，以及多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來已經(jīng)為超過500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！上海頂策科技有限公司可靠性測試部，提供芯片可靠性測試整體解決方案。
本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法流程圖，TH801智能老化系統(tǒng)，自有發(fā)明專利智能實(shí)時(shí)在線監(jiān)測技術(shù)。寶山區(qū)HTOL測試機(jī)參數(shù)
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那么IC在使用期的壽命測試中的HTOL是什么呢？使用期的壽命測試又包含高溫工作壽命（HTOL）和低溫工作壽命（LTOL），對于亞微米級尺寸的器件，熱載流子效應(yīng)對于器件壽命有著***的影響，低溫工作時(shí)相對比較苛刻，所以像存儲器、處理器等納米級別工藝的產(chǎn)品通常需要進(jìn)行低溫工作壽命測試。而對于。進(jìn)行HTOL（HighTemperatureOperationLife）測試的目的就是為了確定長時(shí)間的電氣偏差和溫度對器件的影響，評估器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力，也就是在正常工作的壽命期間潛在的固有故障被加速，這樣就可以在相對比較短的時(shí)間內(nèi)模擬出產(chǎn)品的正常使用壽命。HTOL是在產(chǎn)品放行和批量生產(chǎn)前進(jìn)行評估，對應(yīng)浴缸曲線曲線的UsefulLife期，通常是抽樣進(jìn)行的。此外，HTOL還可以用于可靠性監(jiān)控以及對存在潛在缺陷的產(chǎn)品進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)評估。 崇明區(qū)HTOL測試機(jī)品牌排行榜
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