HTOL測試機(jī)參數(shù)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-20

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在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法,對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進(jìn)行htol測試,所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失,以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過,解決了閃存htol測試中讀點(diǎn)失效的問題,提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法流程圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖;

導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過程中閃存參考單元會有空穴丟失,而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的,短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es,engineeringsample)到客戶樣品(cs,customersample)的時(shí)間不容延期。從測試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進(jìn)行htol測試,所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失,以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng),可靈活配置芯片工作狀態(tài),并施加信號,非常方便HTOL Setup。

    GJB548B-2015方法,否則采用額定工作電壓S級**少時(shí)間有240h到120h共6個(gè)級別;B級**少時(shí)間160h到12h共10個(gè)級別;H級**少時(shí)間352h到80h共11級別;K級**少時(shí)間從700h到320h共6個(gè)級別。S級最低溫度從125℃到150℃共6個(gè)級別;B級別最低溫度從125℃到250℃;H級最低溫度從100℃到150℃;K級最低溫度從100℃到125℃。————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 TH801智能老化系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。江蘇HTOL測試機(jī)哪家好

TH801智能老化系統(tǒng),監(jiān)測數(shù)據(jù)異常自動(dòng)報(bào)警,實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,可以整體降低30~50%的成本。HTOL測試機(jī)參數(shù)

    1.試驗(yàn)?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時(shí)間的影響。試驗(yàn)可以加速地模擬器件的運(yùn)行狀態(tài),主要用于器件的可靠性測試。本實(shí)驗(yàn)在較短時(shí)間內(nèi)對器件施加高溫偏置,通常也被稱為老化或老煉。,這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法,這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 HTOL測試機(jī)參數(shù)

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