本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號(hào)如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測(cè)試方法，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖，TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。嘉定區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)怎么樣
1.試驗(yàn)?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對(duì)于固態(tài)器件隨時(shí)間的影響。試驗(yàn)可以加速地模擬器件的運(yùn)行狀態(tài)，主要用于器件的可靠性測(cè)試。本實(shí)驗(yàn)在較短時(shí)間內(nèi)對(duì)器件施加高溫偏置，通常也被稱為老化或老煉。，這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法，這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 嘉定區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)推薦上海頂策科技自主研發(fā)智能HTOL測(cè)試機(jī)TH801，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。
閃存HTOL測(cè)試方法與流程本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存htol測(cè)試方法。背景技術(shù)：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲(chǔ)器，其具有即使斷電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失而能夠長(zhǎng)期保存的特點(diǎn)。故近年來(lái)閃存的發(fā)展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲(chǔ)速度和高可靠性的閃存存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用于包括電腦、手機(jī)、服務(wù)器等電子產(chǎn)品及設(shè)備中。在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗(yàn))用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力。對(duì)于閃存的可靠性而言，在數(shù)萬(wàn)次的循環(huán)之后的htol是一個(gè)主要指數(shù)。通常而言，閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后，通過(guò)1000小時(shí)的htol測(cè)試。閃存htol實(shí)際測(cè)試中存在若干小時(shí)后閃存測(cè)試讀點(diǎn)(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題。
芯片可靠性測(cè)試（HTOL）HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一項(xiàng)關(guān)鍵性的基礎(chǔ)測(cè)試，用應(yīng)力（電壓、溫度等拉偏）加速的方式模擬芯片的長(zhǎng)期運(yùn)行，評(píng)估芯片壽命和長(zhǎng)期上電運(yùn)行的可靠性。廣電計(jì)量服務(wù)內(nèi)容：老化方案開(kāi)發(fā)測(cè)試硬件設(shè)計(jì)ATE開(kāi)發(fā)調(diào)試可靠性試驗(yàn)HTOL試驗(yàn)方案：在要求點(diǎn)(如0、168、500、1000hr)進(jìn)行ATE測(cè)試，確定芯片是否OK,記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并分析老化過(guò)程中的變化。對(duì)芯片覆蓋率要求如：CPU/DSP/MCU/logic：ATPG的stuck-atfaultcoverage＞70％。MemoryBIST:覆蓋所有memory。3、模擬電路：覆蓋PLL/AD/DA/SERDES等關(guān)鍵IP。 TH801智能老化系統(tǒng)，監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)異常自動(dòng)報(bào)警，實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅度提高HTOL效率。
一種閃存htol測(cè)試方法，包括：提供待測(cè)閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中部分丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。具體的，待測(cè)閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測(cè)閃存在其生產(chǎn)工藝過(guò)程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度，具體到每顆芯片的狀態(tài)數(shù)據(jù)。嘉定區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)推薦
TH801智能老化系統(tǒng)，全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓質(zhì)量報(bào)告更有說(shuō)服力，下游客戶更放心。嘉定區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)怎么樣
AEC-Q1001.對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器樣品，在HTOL之前進(jìn)行預(yù)處理：等級(jí)0：150℃，1000h等級(jí)1：125℃，1000h等級(jí)2：105℃，1000h等級(jí)3：85℃，1000h2.各等級(jí)溫度對(duì)應(yīng)的時(shí)間是比較低要求，通過(guò)計(jì)算或測(cè)量獲取HTOL的Tj（結(jié)溫）；3.當(dāng)進(jìn)行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時(shí)的Tj，那么Tj可以代替Ta（環(huán)境溫度），但是要低于***比較大Tj；4.如果Tj被用來(lái)作為HTOL的條件，在Ta和1000h條件下的器件需要使用；(max)需要保證交直流參數(shù)?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 嘉定區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)怎么樣
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