芯片HTOL測(cè)試項(xiàng)目柔性開(kāi)發(fā)，芯片HTOL測(cè)試自研設(shè)備。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利及軟件著作權(quán)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率。提供可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿(mǎn)足各類(lèi)芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類(lèi)芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告。上海頂策科技自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利及軟件著作權(quán)。寶山區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)
閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102，位于導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu)，即為ono結(jié)構(gòu)。具體的，閃存在其生產(chǎn)工藝過(guò)程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖，如圖3所示，對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2，在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3，在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4；其中，所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2；所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓vb3的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為～-1v，編譯過(guò)程中的脈沖寬度為100μs～150μs。編譯通過(guò)熱電子注入的方式對(duì)所述浮柵104中注入電子。寶山區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)TH801智能老化系統(tǒng)，全程數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)記錄，讓HTOL問(wèn)題更容易分析，更有追溯性。
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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會(huì)捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來(lái)的淺能級(jí)的空穴，在浮柵里面會(huì)注入所需要的電子。編譯過(guò)程中浮柵104可以捕獲電子，擦除過(guò)程中隧穿氧化層103會(huì)捕獲空穴；在經(jīng)過(guò)多次的編譯以及擦除后，會(huì)在浮柵104中有更多的電子，隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等，從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過(guò)程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級(jí)的空穴，這些深能級(jí)的空穴不容易移動(dòng)，而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍，在htol測(cè)試過(guò)程中高溫下會(huì)比較容易丟失，從而補(bǔ)償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來(lái)的淺能級(jí)的空穴在htol測(cè)試過(guò)程中的丟失。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本。
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