進一步的，對所述閃存參考單元進行編譯，包括：在所述源極上施加***編程電壓，在所述漏極上施加第二編程電壓，在所述控制柵上施加第三編程電壓，在所述襯底上施加第四編程電壓；其中，所述***編程電壓小于所述第二編程電壓；所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進一步的，所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓的范圍為～-1v。進一步的，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。進一步的，對所述閃存參考單元進行擦除，包括：將所述源極和漏極均懸空，在所述控制柵上施加***擦除電壓，在所述襯底上施加第二擦除電壓；其中，所述***擦除電壓為負電壓，所述第二擦除電壓為正電壓。進一步的，所述***擦除電壓的范圍為-10v～-8v，所述第二擦除電壓的范圍為8v～10v。進一步的，擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。進一步的，對所述閃存參考單元進行編譯和擦除，循環(huán)次數(shù)為10次～20次。進一步的，對所述閃存進行htol測試包括：對所述閃存依次進行***時間點讀點、第二時間點讀點、第三時間點讀點至第n時間點讀點。
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