在線(xiàn)HTOL測(cè)試機(jī)參數(shù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-18

在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過(guò)程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明所提供的閃存htol測(cè)試方法,對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過(guò),解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題,提高閃存質(zhì)量。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除直接進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖;上海頂策科技有限公司可靠性測(cè)試部,提供芯片可靠性測(cè)試整體解決方案。在線(xiàn)HTOL測(cè)試機(jī)參數(shù)

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導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過(guò)程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失,而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過(guò)程中捕獲(引入)的,短期內(nèi)無(wú)法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es,engineeringsample)到客戶(hù)樣品(cs,customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。

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