那么IC在使用期的壽命測試中的HTOL是什么呢？使用期的壽命測試又包含高溫工作壽命（HTOL）和低溫工作壽命（LTOL），對于亞微米級(jí)尺寸的器件，熱載流子效應(yīng)對于器件壽命有著***的影響，低溫工作時(shí)相對比較苛刻，所以像存儲(chǔ)器、處理器等納米級(jí)別工藝的產(chǎn)品通常需要進(jìn)行低溫工作壽命測試。而對于。進(jìn)行HTOL（HighTemperatureOperationLife）測試的目的就是為了確定長時(shí)間的電氣偏差和溫度對器件的影響，評(píng)估器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力，也就是在正常工作的壽命期間潛在的固有故障被加速，這樣就可以在相對比較短的時(shí)間內(nèi)模擬出產(chǎn)品的正常使用壽命。HTOL是在產(chǎn)品放行和批量生產(chǎn)前進(jìn)行評(píng)估，對應(yīng)浴缸曲線曲線的UsefulLife期，通常是抽樣進(jìn)行的。此外，HTOL還可以用于可靠性監(jiān)控以及對存在潛在缺陷的產(chǎn)品進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估。 TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量。在線HTOL測試機(jī)電話
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閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102，位于導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu)，即為ono結(jié)構(gòu)。具體的，閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實(shí)施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖，如圖3所示，對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2，在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3，在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4；其中，所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2；所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓vb3的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為～-1v，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。
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