長(zhǎng)寧區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)24小時(shí)服務(wù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-21

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自有發(fā)明專(zhuān)利的智能HTOL系統(tǒng),自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù),可靈活配置芯片工作狀態(tài),并施加信號(hào),非常方便HTOLSetup,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度,以及每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù),確保芯片處于正常HTOL狀態(tài),保證HTOL測(cè)試質(zhì)量,通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,大幅度提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本,全程數(shù)據(jù)記錄,讓HTOL問(wèn)題更容易分析,更有追溯性,有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄,讓報(bào)告更有說(shuō)服力,下游客戶更放心。崇明區(qū)智能HTOL測(cè)試機(jī)上海頂策科技有限公司可靠性測(cè)試服務(wù),讓HTOL問(wèn)題更容易分析,更有追溯性。

導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過(guò)程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失,而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過(guò)程中捕獲(引入)的,短期內(nèi)無(wú)法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es,engineeringsample)到客戶樣品(cs,customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除的電荷分布示意圖;發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。其中,具體標(biāo)號(hào)如下:100-襯底;101-源極;102-漏極;103-隧穿氧化層;104-浮柵;105-柵間介質(zhì)層;106-控制柵;107-側(cè)墻;具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測(cè)試方法,以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精細(xì)的比例,*用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖,上海頂策科技有限公司可靠性測(cè)試部,提供HTOL方案設(shè)計(jì)制作。

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    AEC-Q1001.對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器樣品,在HTOL之前進(jìn)行預(yù)處理:等級(jí)0:150℃,1000h等級(jí)1:125℃,1000h等級(jí)2:105℃,1000h等級(jí)3:85℃,1000h2.各等級(jí)溫度對(duì)應(yīng)的時(shí)間是比較低要求,通過(guò)計(jì)算或測(cè)量獲取HTOL的Tj(結(jié)溫);3.當(dāng)進(jìn)行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時(shí)的Tj,那么Tj可以代替Ta(環(huán)境溫度),但是要低于***比較大Tj;4.如果Tj被用來(lái)作為HTOL的條件,在Ta和1000h條件下的器件需要使用;(max)需要保證交直流參數(shù)?!鏅?quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 長(zhǎng)寧區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)24小時(shí)服務(wù)