青浦區(qū)有哪些HTOL測(cè)試機(jī)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-29

可靠性測(cè)試整體解決方案:可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì),原理圖設(shè)計(jì),PCBlayout加工制作,老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試,可靠性測(cè)試試驗(yàn),出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。上海頂策科技有限公司,擁有20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn),以及多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán),自成立以來(lái)已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量,高效率,低成本,一條龍測(cè)試解決方案!上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,大幅提高效率。青浦區(qū)有哪些HTOL測(cè)試機(jī)

    芯片可靠性測(cè)試(HTOL)HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一項(xiàng)關(guān)鍵性的基礎(chǔ)測(cè)試,用應(yīng)力(電壓、溫度等拉偏)加速的方式模擬芯片的長(zhǎng)期運(yùn)行,評(píng)估芯片壽命和長(zhǎng)期上電運(yùn)行的可靠性。廣電計(jì)量服務(wù)內(nèi)容:老化方案開(kāi)發(fā)測(cè)試硬件設(shè)計(jì)ATE開(kāi)發(fā)調(diào)試可靠性試驗(yàn)HTOL試驗(yàn)方案:在要求點(diǎn)(如0、168、500、1000hr)進(jìn)行ATE測(cè)試,確定芯片是否OK,記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù),并分析老化過(guò)程中的變化。對(duì)芯片覆蓋率要求如:CPU/DSP/MCU/logic:ATPG的stuck-atfaultcoverage>70%。MemoryBIST:覆蓋所有memory。3、模擬電路:覆蓋PLL/AD/DA/SERDES等關(guān)鍵IP。 虹口區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)供應(yīng)商上海頂策科技自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī),擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)。

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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會(huì)捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來(lái)的淺能級(jí)的空穴,在浮柵里面會(huì)注入所需要的電子。編譯過(guò)程中浮柵104可以捕獲電子,擦除過(guò)程中隧穿氧化層103會(huì)捕獲空穴;在經(jīng)過(guò)多次的編譯以及擦除后,會(huì)在浮柵104中有更多的電子,隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等,從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過(guò)程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級(jí)的空穴,這些深能級(jí)的空穴不容易移動(dòng),而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍,在htol測(cè)試過(guò)程中高溫下會(huì)比較容易丟失,從而補(bǔ)償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來(lái)的淺能級(jí)的空穴在htol測(cè)試過(guò)程中的丟失。青浦區(qū)有哪些HTOL測(cè)試機(jī)