在線HTOL測(cè)試機(jī)推薦廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-31

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本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除的電荷分布示意圖;發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。其中,具體標(biāo)號(hào)如下:100-襯底;101-源極;102-漏極;103-隧穿氧化層;104-浮柵;105-柵間介質(zhì)層;106-控制柵;107-側(cè)墻;具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測(cè)試方法,以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精細(xì)的比例,*用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖,靜安區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)多少錢(qián)上海頂策科技有限公司提供可靠性測(cè)試整體解決方案,以及測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn)。

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導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過(guò)程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失,而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過(guò)程中捕獲(引入)的,短期內(nèi)無(wú)法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es,engineeringsample)到客戶樣品(cs,customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng),是一款全程數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)記錄的高效HTOL設(shè)備。專注HTOL測(cè)試機(jī)哪里有賣(mài)的

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    HTOL的注意要點(diǎn)高溫工作壽命的測(cè)試條件主要遵循JESD22-A108進(jìn)行,除了給器件合適的偏置與負(fù)載外,主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力,這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力,以便在合理的時(shí)間和成本下完成壽命評(píng)估。對(duì)于硅基產(chǎn)品,溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃,GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度,具體根據(jù)加速要求而定。但無(wú)論哪種材料,均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷(thermalshutdown)溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計(jì)有利于加速因子的提高,這樣可以節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進(jìn)行,如果需要提高加速度,則可以采用更高的電壓進(jìn)行試驗(yàn),但是無(wú)論電壓應(yīng)力還是溫度應(yīng)力都不允許器件處于過(guò)電應(yīng)力的狀態(tài)。 在線HTOL測(cè)試機(jī)推薦廠家