根據(jù)波形特征，壓控振蕩器（VCXO）可分為諧波振蕩器和張弛振蕩器兩大類，每類振蕩器在不同應(yīng)用領(lǐng)域具備獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。諧波振蕩器，也被稱為線性振蕩器，是由諧振器和放大器組成的系統(tǒng)，其主要特點(diǎn)是產(chǎn)生穩(wěn)定的正弦波形。在諧波振蕩器中，LC振蕩回路是一種采用很廣的結(jié)構(gòu)，以其出色的頻率精度和出色的頻率穩(wěn)定性而著稱。諧波振蕩器能夠在各種外部干擾因素存在的情況下提供高度可靠的性能，特別是在考慮噪聲、溫度和功耗等因素時(shí)。然而，它通常不適用于需要高度集成的單片集成電路技術(shù)，因?yàn)樗鼘?duì)外部元件的依賴較高。相反，張弛振蕩器以其產(chǎn)生鋸齒波形的特性而廣受歡迎，并且需要極少的外部元件即可實(shí)現(xiàn)廣范圍的工作頻率調(diào)整。這使得張弛振蕩器在一些特定應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢(shì)，尤其是需要適應(yīng)較廣工作頻率范圍的情況。貼片振蕩器哪家好，歡迎聯(lián)系成都晶寶！振蕩器封裝尺寸
壓控振蕩器（voltage-controlledoscillator,VCO）是一種以電壓輸入來控制振蕩頻率的電子振蕩電路設(shè)計(jì)。其振蕩的頻率或重復(fù)的比例會(huì)隨著直流電壓的不同而改變，這個(gè)特性可以用來將調(diào)變訊號(hào)當(dāng)做壓控振蕩器的輸入而產(chǎn)生不同的調(diào)變訊號(hào)，像是FM調(diào)變、PM調(diào)變、PWM調(diào)變。高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份，通常是用變?nèi)荻O體C與電感L，所接成的LC諧振電路。提高變?nèi)荻O體的逆向偏壓，二極體內(nèi)的空泛區(qū)會(huì)加大，兩導(dǎo)體面之距離一變長(zhǎng)，電容就降低了，此LC電路的諧振頻率，就會(huì)被提高。反之，降低逆向偏壓時(shí)，二極體內(nèi)的電容變大，頻率就會(huì)降低。而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法，例如以改變對(duì)電容的充電速率為手段來得到一個(gè)電壓控制的電流源。浙江消費(fèi)電子振蕩器作用石英振蕩器交期哪家快，成都晶寶值得信賴！
溫補(bǔ)晶體振蕩器由普通化轉(zhuǎn)換成小型化是一個(gè)過程，在近十幾年中得到穩(wěn)定長(zhǎng)足發(fā)展，其中在精密溫補(bǔ)晶體振蕩器的研究開發(fā)與生產(chǎn)方面，日本居主宰地位。其中有些產(chǎn)品必須使用溫補(bǔ)晶體振蕩器，比如手機(jī)，攝像機(jī)等智能產(chǎn)品，從而促使在30年中，溫補(bǔ)晶體振蕩器的體積縮小了50余倍乃至100倍。高精度、低功耗和小型化，仍然是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶振振子的頻率可變幅度變小，溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其回流焊接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶體振蕩器的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。但是，TCXO的技術(shù)水平的提高并沒進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。
壓控振蕩器的主要參數(shù)主要包括：（1）中心頻率指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，CMOS輸出可達(dá)到245.0MHz，LVDS可達(dá)到2.1GHz,HCSL可達(dá)到700MHz。（2）輸出方式根據(jù)需要采用不同的輸出。CMOS,LVDS,HCSL,TrueSine都有不同的波形特征以及用途。（3）工作電壓可根據(jù)具體型號(hào)選擇1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的應(yīng)用更多。（4）壓控振蕩器范圍通過調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率。單位用ppm表示，范圍一般為±50~200ppm。（5）頻率穩(wěn)定度在工作溫度范圍內(nèi)，對(duì)標(biāo)稱頻率允許的偏差，單位一般為百萬分之一即ppm。（6）工作溫度工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)-40~85℃。特殊應(yīng)用會(huì)對(duì)溫度有更高的要求。車規(guī)振蕩器品質(zhì)好，歡迎聯(lián)系成都晶寶！
4、相位噪聲和調(diào)制：一切振蕩器都有一些振幅調(diào)制噪聲和相位調(diào)制噪聲。VCXO的相位噪聲要受振蕩器電路結(jié)構(gòu)和石英晶體的影響。VCXO電源的瞬態(tài)過程或波紋產(chǎn)生的調(diào)制還會(huì)使它的相位噪聲性能惡化。相位噪聲是根據(jù)頻率相對(duì)于中心頻率的偏移量來界定的，用單位dBc/Hz表示。鎖相環(huán)電路使用的大多數(shù)VCXO器件必須具有良好的相位噪聲特性。如果應(yīng)用上對(duì)相應(yīng)噪聲有嚴(yán)格要求，選用VCXO時(shí)就一定要規(guī)定相位噪聲允許的范圍。5、線性度：VCXO振蕩頻率隨控制電壓變化的函數(shù)關(guān)系是非線性的。設(shè)計(jì)優(yōu)良的VCXO，其頻率與控制電壓的函數(shù)曲線接近直線，偏離直線的范圍控制在10％以內(nèi)。一般來說，VCXO的牽引度越大，它的線性度就越差。成都晶寶振蕩器品質(zhì)，您可信賴的選擇！浙江消費(fèi)電子振蕩器作用
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電壓控制晶體振蕩器（VCXO晶振）,是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。在典型的VCXO晶振中,通常是通過調(diào)諧電壓改變變?nèi)荻O管的電容量來“牽引”石英晶體振子頻率的。VCXO石英晶體振蕩器允許頻率控制范圍比較寬,實(shí)際的牽引度范圍約為±200ppm甚至更大。如果要求VCXO的輸出頻率比石英晶體振子所能實(shí)現(xiàn)的頻率還要高,可采用倍頻方案.擴(kuò)展調(diào)諧范圍的另一個(gè)方法是將晶體振蕩器的輸出信號(hào)與VCXO的輸出信號(hào)混頻。與單一的振蕩器相比,這種外差式的兩個(gè)振蕩器信號(hào)調(diào)諧范圍有明顯擴(kuò)展。振蕩器封裝尺寸