重慶納米粒度分析儀價格

低維護配置允許安裝分析儀在常壓下將樣品返回的合適位置，進一步減少維護需求。C-Quand在線EDXRF分析儀的優(yōu)勢：1.帶有十五個測量通道，可以同時分析15種元素的含量。2.沒有運動部件，不需要更換動力窗模塊。3.運行維護成本低，無后期耗材成本。4.維護操作簡單，帶有全自動樣品池清洗模塊，每次維護時間多數(shù)十分鐘，宕機時間短。5.內置標準樣品，不需要停機校準，實現(xiàn)真正的完全在線測量。6.測量結果不受樣品密度和原料種類影響，直接測量元素含量。馳光機電是您可信賴的合作伙伴！重慶納米粒度分析儀價格

能夠允許用戶為不同樣品設置標準測量方法SOP，并且可以對SOP進行編輯和保存。EyeTech 是一個模塊化的系統(tǒng)，可以選配10種不同的測量池。更換測量池簡便快速，儀器便于分析各種顆粒，如液相、乳化液、干粉、纖維、磁粉、加熱的液體和氣溶膠等。這些測量池模塊都是配合不同的分析方法而開發(fā)的，確保能夠根據(jù)樣品的特性來測量。纖維測量池：ACM-104L，氣溶膠測量池ACM-106，微流量測量池ACM-108，載玻片測量池ACM-110，加熱測量池ACM-111，自由落體測量池ACM-112。在每一次分析過程中，激光光束與顆粒之間發(fā)生了上百萬次的交互作用。重慶高靈敏度納米粒度分析儀廠家馳光機電科技有限公司產(chǎn)品適用范圍廣，產(chǎn)品規(guī)格齊全，歡迎咨詢。

主要特點如下：1.所需樣品量少。每次只需要0.1ml，這在疫苗研發(fā)、化學合成方面具有較大的優(yōu)勢。2.一次測試可到40多個樣品。在前處理準備工作做完以后，可結合標準顆粒一批次測試40多個樣品。3.分辨率高。同激光散射和顆粒計數(shù)等方法比較，對于樣品中即使只有1%峰值差異的顆粒，依舊可以很好地區(qū)分測量出來，即可以得到真實的粒度分布結果。4.靈敏度高。低至 10-8g的樣品就可以滿足日常分析需要。5.分析時間短。和傳統(tǒng)沉降法比較，由于采用更快的圓盤轉速和高速檢測器，因此較大縮短了分析所需時間。

對于粒徑分布范圍很寬的樣品，通過可選的速度調節(jié)功能圓盤，只需常規(guī)圓盤分析時間的1/20。經(jīng)過CPS納米粒度儀對裂解后炭黑進行粒徑測試后的結果所示：與掃描電鏡所顯示的結果基本一致，裂解后的炭黑較小粒徑為3um，較大可至50多微米，并且出現(xiàn)很多峰值，證明樣液中具有不同粒徑且含量不同的的炭黑。峰值粒徑處于30um左右。真實反映了不同炭黑粒徑的分布狀態(tài)。隨著半導體工業(yè)飛速發(fā)展，電子器件尺寸縮小，要求晶片表面平整度達到納米級。作為芯片制造不可或缺的一環(huán)，CMP工藝在設備和材料領域歷來是受歡迎的。馳光在行業(yè)的影響力逐年提升。

研磨液中的化學成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學反應，將不溶的物質轉化為易溶物質，或者將硬度高的物質進行軟化，然后通過磨粒的微機械摩擦作用將這些化學反應物從硅片表面去除，溶入流動的液體中帶走，即在化學去膜和機械去膜的交替過程中實現(xiàn)平坦化的目的。其反應分為兩個過程：化學過程：研磨液中的化學品和硅片表面發(fā)生化學反應，生成比較容易去除的物質；物理過程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料發(fā)生機械物理摩擦，去除化學反應生成的物質。馳光機電熱忱歡迎新老客戶惠顧。貴州納米粒度分析儀價格

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而CMP工藝離不開研磨料的發(fā)展，那么對于磨料的顆粒粒度表征就顯得尤為重要了。CMP就是用化學腐蝕和機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平滑處理。將硅片固定在拋光頭的較下面，將拋光墊放置在研磨盤上，拋光時，旋轉的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉的拋光墊上，由亞微米或納米磨粒和化學溶液組成的研磨液在硅片表面和拋光墊之間流動，然后研磨液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層研磨液液體薄膜。重慶納米粒度分析儀價格

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