成都藍(lán)牙耳機(jī)近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格

柱面輻射近場(chǎng)測(cè)量能夠計(jì)算天線全部面的輻射方向圖，但在θ=-90°或90°時(shí)，柱面波展開式中漢克爾函數(shù)已無意義，所以，柱面輻射近場(chǎng)測(cè)量適用于天線方向圖為扇形波束天線的測(cè)量。球面輻射近場(chǎng)測(cè)量能夠計(jì)算除球心以外天線任意面上任意點(diǎn)的輻射場(chǎng)，但測(cè)量及計(jì)算時(shí)間都較長(zhǎng)。輻射近場(chǎng)測(cè)量的基本理論雖然已經(jīng)成熟，且在實(shí)用中也取得了較多的研究成果，但對(duì)以下問題還應(yīng)進(jìn)行進(jìn)一步的探討研究：考慮探頭與被測(cè)天線多次散射耦合的理論公式。所有的理論公式都是在忽略多次散射耦合條件下而得出的，這些公式對(duì)常規(guī)天線的測(cè)量有一定的精度，但對(duì)低副瓣或很低副瓣天線測(cè)量就必需考慮這些因素，因此，需要建立嚴(yán)格的耦合方程。一般情況下，對(duì)于電壓高電流小的場(chǎng)源(如發(fā)射天線、饋線等)。成都藍(lán)牙耳機(jī)近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格

低副瓣或很低副瓣天線的測(cè)量，天線方向圖副瓣電平在-28～-35 dB之間的天線稱為低副瓣天線；副瓣電平小于-40 dB的天線稱為很低副瓣天線。對(duì)它們的測(cè)量要用到“零探頭”技術(shù)，據(jù)文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)，副瓣電平在-40 dB以上時(shí)，測(cè)量精度為±3 dB，副瓣電平為-55 dB時(shí)，測(cè)量精度為±5 dB。天線口徑場(chǎng)分布診斷是通過測(cè)量天線近區(qū)場(chǎng)的分布逆推出天線口徑場(chǎng)分布，從而判斷出口徑場(chǎng)畸變處所對(duì)應(yīng)的輻射單元，這就是天線口徑分布診斷的基本原理。該方法對(duì)具有一維圓對(duì)稱天線口徑分布的分析是可靠的，尤其對(duì)相控陣天線的分析與測(cè)量已有了充分的可信度。成都藍(lán)牙耳機(jī)近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格近區(qū)場(chǎng)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度比遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)大得多。

電場(chǎng)是由電壓產(chǎn)生，主要的發(fā)射源包括一些未端接器件的線纜 、連接高阻器件的PCB 布線等。簡(jiǎn)單的電場(chǎng)探頭類似一根小天線。有人甚至把同軸電纜前端的一小段屏蔽層剝開，露出芯線來構(gòu)成簡(jiǎn)單的電場(chǎng)探頭進(jìn)行使用。在沒有屏蔽設(shè)備的情況下，電場(chǎng)探頭的問題是比較容易拾取到環(huán)境中存在的電磁波信號(hào)，如蜂窩通信的上下行信號(hào)，從而影響到整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)量動(dòng)態(tài)范圍。因?yàn)榇艌?chǎng)是由電流產(chǎn)生的，所以常見的發(fā)射源包括芯片，器件的管腳、PCB 上的布線、電源線及信號(hào)線纜。常見的磁場(chǎng)探頭多為環(huán)狀，當(dāng)磁場(chǎng)傳播線和探頭環(huán)面垂直的時(shí)候，測(cè)量數(shù)值很大。所以在測(cè)量過程中，工程師一般需要旋轉(zhuǎn)探頭的方向來測(cè)量到很大的磁場(chǎng)數(shù)值，同時(shí)避免遺漏重要的發(fā)射源。

近場(chǎng) EMI 測(cè)量的問題在于使用近場(chǎng)探頭的測(cè)量結(jié)果和使用天線進(jìn)行遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量的結(jié)果無法直接進(jìn)行數(shù)學(xué)轉(zhuǎn)換。但是存在一個(gè)基本原理：近場(chǎng)的輻射越大，遠(yuǎn)場(chǎng)的輻射也必然越大。所以使用近場(chǎng)探頭測(cè)量，實(shí)際上是一個(gè)相對(duì)量的測(cè)量，而不是精確的一定量測(cè)量。使用近場(chǎng)探頭進(jìn)行 EMI 預(yù)兼容測(cè)試時(shí)，我們常常把新被測(cè)件測(cè)試結(jié)果和一個(gè)已知合格被測(cè)件的近場(chǎng)探頭測(cè)試（近場(chǎng)測(cè)試）結(jié)果進(jìn)行比較，來預(yù)測(cè)EMI 輻射泄漏測(cè)試（遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試）的結(jié)果，而不是直接和符合EMI兼容標(biāo)準(zhǔn)的限制線進(jìn)行比較。同時(shí)，測(cè)試的一定數(shù)值意義也不大，因?yàn)檫@個(gè)測(cè)試結(jié)果和諸多變量，包括探頭的位置方向、被測(cè)件的形狀等會(huì)密切相關(guān)。天線元件的電流產(chǎn)生磁場(chǎng)，方向每半個(gè)周期變換一次。

近場(chǎng)探頭用于在研發(fā)階段測(cè)量電子模塊上的電場(chǎng)和磁場(chǎng)，頻率范圍為30MHz到3GHz。利用RF1探頭組的探頭，可以實(shí)現(xiàn)緊貼電子模塊測(cè)量，比如貼近單個(gè)IC引腳、導(dǎo)線、元器件及其連接點(diǎn)測(cè)量，從而定位干擾信號(hào)源。通過相應(yīng)地操作近場(chǎng)探頭，能夠測(cè)量出電子模塊上電磁場(chǎng)的方向及其分布。隨著5G時(shí)代的推進(jìn)，智能終端產(chǎn)品作為寬帶射頻應(yīng)用大的消費(fèi)市場(chǎng)面臨著一系列開發(fā)與驗(yàn)證的問題。其中，越來越小的設(shè)計(jì)空間與近場(chǎng)探頭電磁輻射雜散性能之間的矛盾，將是商業(yè)研究人員開發(fā)和驗(yàn)證中面臨的巨大挑戰(zhàn)。若要以更高的精度、更強(qiáng)的自信探索開創(chuàng)性的概念，來推動(dòng)現(xiàn)有技術(shù)發(fā)展、以創(chuàng)新創(chuàng)造**、將5G愿景轉(zhuǎn)變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)的過程中，我們不得不在工作中選擇更為適合我們的調(diào)試、測(cè)試解決方案。近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)的邊界、運(yùn)行頻段的波長(zhǎng)。成都藍(lán)牙耳機(jī)近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格

電磁防護(hù)的重點(diǎn)應(yīng)該在近區(qū)場(chǎng)。成都藍(lán)牙耳機(jī)近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格

輻射近場(chǎng)測(cè)量的研究與誤差分析的探討是同時(shí)進(jìn)行的，研究結(jié)果表明：輻射近場(chǎng)測(cè)量的主要誤差源為18項(xiàng)，大致分為4個(gè)方面，即探頭誤差、機(jī)械掃描定位誤差、測(cè)量系統(tǒng)誤差以及測(cè)量環(huán)境誤差。對(duì)于平面輻射近場(chǎng)測(cè)量的誤差分析已經(jīng)完成，計(jì)算機(jī)模擬及各項(xiàng)誤差的上界也已給出；柱面、球面輻射近場(chǎng)測(cè)量的誤差分析尚未完成。對(duì)于平面輻射近場(chǎng)測(cè)量而言，由基本理論可知，在θ=-90°或90°（θ為場(chǎng)點(diǎn)偏離天線口面法線方向的方向角）時(shí)，這種方法的精度明顯變差，因此平面輻射近場(chǎng)測(cè)量適用于天線方向圖為單向筆形波束天線的測(cè)量，可信域（-θ，θ）中的θ值與近場(chǎng)掃描面和取樣間距有如下關(guān)系（一維情況）：θ=arctg［（L-X）/2d］，式中L為掃描面的尺寸；X為天線口徑面的尺寸；d為掃描面到天線口徑面的距離。成都藍(lán)牙耳機(jī)近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格

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