高精密平面研磨機(jī)可以實(shí)現(xiàn)鏡面效果,光潔度可以比較高達(dá)到，加工范圍很廣，可以對(duì)藍(lán)寶石襯底，水晶，硅片，光電材料，光學(xué)玻璃，手機(jī)玻璃，手機(jī)觸摸屏，陶瓷片，石英片，石墨密封環(huán)，硅晶圓等非金屬材質(zhì)進(jìn)行雙面研磨，還能對(duì)銅材，鐵，鋁材，不銹鋼，模具鋼，塑料，鋁合金，鋅合金，鈦合金，鎳合金，錫合金，硬質(zhì)合金，碳鋼，鎢鋼等各種金屬材質(zhì)進(jìn)行雙面研磨加工。高精密平面研磨機(jī)采用獨(dú)特的安全鎖緊機(jī)構(gòu),防止意外斷氣、斷電而“掉盤(pán)”傷人的意外發(fā)生,主要用于各類型的鋁材面拋光，有平面、斜面、圓面、圓弧面以及凹槽面及其他。根據(jù)所加工的要求可以選用適合要求的拋光輪來(lái)滿足工件所需要的高速有效的去除掉擠壓痕、自然氧化膜，同時(shí)具備拋光的功能,該系列拋光機(jī)已被廣的用于各類如LED藍(lán)寶石襯底、光學(xué)玻璃晶片、石英晶片、硅片、不銹鋼等等各類材料的單面的研磨。海德平面研磨拋光機(jī)HD-610屬高精密平面研磨機(jī)，研磨機(jī)的精密度為平面度可達(dá)，粗糙度可達(dá)。廣用于藍(lán)寶石鐘表玻璃、手機(jī)玻璃、光學(xué)玻璃晶片、LED藍(lán)寶石襯底、陶瓷板、活塞環(huán)、閥片、鋁鐵硼、鐵氧體、鈮酸鋰、鉭酸鋰、PTC熱敏電阻、光盤(pán)基片、陶瓷密封環(huán)、硬質(zhì)合金密封環(huán)、鎢鋼片、等各種材料的單雙面研磨拋光。
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什么是精密平面研磨拋光加工？原始的定義是指在一塊很平坦的定盤(pán)上（如花崗石、鑄鐵…等，都叫LAP），把加工物放在上面，均勻地移動(dòng)，使它因摩擦而產(chǎn)生一個(gè)很好的平面，它就是LAPPING，只是手工隨著機(jī)械加工業(yè)的神速進(jìn)展，就發(fā)展出單面LAPPING機(jī)及雙面精磨機(jī)，這幾年又配合手機(jī)加工行業(yè)蓬勃發(fā)展，又發(fā)展出很多專業(yè)用途的磨精度機(jī)器。拋光液的性能直接影響到拋光后工件的表面質(zhì)量，是平面研磨拋光加工的關(guān)鍵要素之一。拋光液一般包括超細(xì)的固體磨粒(如納米A120:及Si0:磨粒等)、表面活性劑以及氧化劑和穩(wěn)定劑等幾部分，其中固體磨粒產(chǎn)生切削作用，去除發(fā)生化學(xué)變化需要切除的部位，氧化劑產(chǎn)生化學(xué)腐蝕溶解作用，溶解切屑。在拋光過(guò)程中，拋光液中磨粒的種類、形狀、大小、濃度、化學(xué)成分、PH值、粘度、流速和流動(dòng)的途徑都會(huì)對(duì)去除速度產(chǎn)生影響。對(duì)不同材料的工件進(jìn)行拋光時(shí)，所需要拋光液的成份、PH值也不盡相同同。PH值影響工件的表面質(zhì)量和去除率表現(xiàn)在對(duì)磨料的分解與溶解度、被拋表面刻蝕及氧化膜的形成、懸浮度(膠體穩(wěn)定性)等方面，因此需要嚴(yán)格控制拋光液的PH值。 安徽精密加工平面打磨煤直接液化裝置上用的金屬密封球閥,其嚴(yán)苛工況對(duì)密封面粗糙度和平面度提出更高的要求。
工件表面出現(xiàn)的原因及解決方法：工件表面出現(xiàn)的現(xiàn)象主要是由于鋼材中有非金屬雜質(zhì)，硬且脆的氧化物，平面拋光機(jī)在進(jìn)行拋光機(jī)拋光后從鋼材表面會(huì)被拉除，形成一定的現(xiàn)象，產(chǎn)生這種表面現(xiàn)象的因素有，拋光壓力以及拋光時(shí)間;鋼材的純度，雜質(zhì)的含量，以及所使用的拋光工具和研磨的材料都會(huì)產(chǎn)生一定的影響。鋼材和雜質(zhì)的硬度有所差異，在進(jìn)行拋光的時(shí)候需要去除比雜物大的突出，被拉出后，就會(huì)留下，減少微坑出現(xiàn)所采取的方法主要有，將工件表面進(jìn)行研磨，磨粒可以適當(dāng)粗一級(jí)，需要盡可能的在短的時(shí)間和小的拋光壓力進(jìn)行加工。工件表面出現(xiàn)橘皮的原因及解決方法：工件表面不規(guī)則并且粗糙的表面被稱為橘皮表面，產(chǎn)生這種表面原因是由于模具的表面出現(xiàn)過(guò)熱過(guò)度的現(xiàn)象，出現(xiàn)拋光壓力過(guò)大以及進(jìn)行拋光的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)所導(dǎo)致的，產(chǎn)生工件表面拋光過(guò)度的現(xiàn)象，其加工的時(shí)間會(huì)根據(jù)工件材質(zhì)的差異會(huì)有所差異。出現(xiàn)工件表面質(zhì)量問(wèn)題，常用的方法是施加壓力，增加拋光時(shí)間，這種方法經(jīng)常會(huì)使工件表面質(zhì)量變壞。所采用的有效的方法有，去除有缺陷的表面，可以使用粒度粗一號(hào)的磨粒，在精研磨的時(shí)候，進(jìn)行拋光的壓力要比先前的壓力要低很多。在進(jìn)行拋光錢(qián)需要使用細(xì)的砂號(hào)研磨到滿意的效果。
磨料對(duì)平面拋光效果的影響平面拋光過(guò)程中磨料的作用是借助于機(jī)械力，將晶片表而經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后形成的鈍化膜去除，從而達(dá)到表而平整化的目的。日前常用的磨料有膠體SiO2、Al2O3及CeO2等。磨料的種類決定了磨粒的硬度、尺寸，從而影響拋光效果。拋光鋁實(shí)驗(yàn)中，相對(duì)于SiO2、Al2O3磨料能獲得較好的表而平整度，表而刮痕數(shù)量少、尺寸小，其原因是膠體SiO2磨粒尺寸小，拋光時(shí)磨料嵌入晶片表面的深度較小，并且在推薦其它參數(shù)的情況下，也能獲得很高的拋光效率。磨料的濃度會(huì)影響拋光效果。拋光鋁實(shí)驗(yàn)中，隨著磨料(膠體SiO2)濃度的提高，單位而積參與磨削的磨粒數(shù)日增加，所以拋光效率提高，表而刮痕尺寸緩慢增人或基本保持不變;但磨料濃度過(guò)人時(shí)，拋光液的粘性增人，流動(dòng)性降低，影響加工表而氧化層的有效形成，導(dǎo)致拋光效率降低。磨粒的尺寸也會(huì)對(duì)拋光效果產(chǎn)生影響，磨粒尺寸越小，表而損傷層厚度小。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在硅片的精拋過(guò)程中，每次磨削層的厚度為磨粒尺寸的四分之一。為了有效地減小表而粗糙度和損傷層厚度，通常采用小尺寸的膠體硅(15~20nm)來(lái)代替粗拋時(shí)的膠體硅(50~70rnm);同時(shí)通過(guò)加強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)及提高產(chǎn)物的排除速度來(lái)提高拋光效率。 在研磨過(guò)程中破碎后仍保持一定的鋒刃，可作為硬質(zhì)合金材料研磨磨料優(yōu)先。
選擇正確的研磨運(yùn)動(dòng)軌跡，關(guān)于研磨運(yùn)動(dòng)軌跡的種類與特點(diǎn)，在前面已講過(guò)，實(shí)踐表明，不同的研磨軌跡對(duì)被研表面光潔度的影響亦不同，其中，直線往復(fù)式研出的表面光潔度比較低，這是出為運(yùn)動(dòng)的方向性強(qiáng)，單純的直線往復(fù)運(yùn)動(dòng)其研磨紋路足平行的，如使切痕重復(fù)加深，則不利于表面光潔度的改善。而其它如擺線式、正弦曲線式及不規(guī)則圓環(huán)線式研磨軌跡的共同特點(diǎn)是，運(yùn)動(dòng)的方向在不斷地變化，研磨紋路是縱橫交錯(cuò)的，在一定的研磨條件下，可研出較理想的表面光潔度來(lái)。實(shí)踐表明，在所用壓力范圍內(nèi)工件表面光潔度隨著研磨壓力的增加而降低。從某種意義上說(shuō)，研磨的切削能力和工件表面光潔度是由研磨壓力來(lái)決定的。對(duì)于研磨壓力的增加，在同樣研磨條件下磨粒承受的載荷也增加。如果研磨壓力過(guò)大，使磨粒切入深度加深，切削作用加快，磨料的粉碎也加快，這時(shí)工件所獲得的表面光潔度就較差。為此，要獲得較高的表面光潔度，則需合理地選擇研磨壓力。在選擇研磨壓力時(shí)，首先應(yīng)按工件的精度要求，來(lái)選擇合理的研磨速度，被研材料的硬度及潤(rùn)滑劑的選用等。在平面研主要原因機(jī)加工工件時(shí)，除了上述影響因素以外，研具的質(zhì)量。 因研磨過(guò)程幾乎無(wú)任何切削作用，對(duì)工件余量切削微乎其微，適量控制研磨余量尤為重要。東莞精磨平面精密磨
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國(guó)內(nèi)可以生產(chǎn)多晶鉆石微粉的廠家有北京國(guó)瑞升和四川久遠(yuǎn)，而國(guó)瑞升同時(shí)可以自己生產(chǎn)鉆石液，因此在品質(zhì)與成本上具有較大優(yōu)勢(shì)。美國(guó)的DiamondInnovation近推出了“類多晶鉆石”，實(shí)際是對(duì)普通單晶鉆石的一種改良，雖然比較堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)能提供較高的切削力，但是同時(shí)也更容易造成較深的刮傷。拋光：多晶鉆石雖然造成的刮傷明顯小于單晶鉆石，但是仍然會(huì)在藍(lán)寶石表面留下明顯的刮傷，因此還會(huì)經(jīng)過(guò)一道CMP拋光，去除所有的刮傷，留下完美的表面。CMP工藝原本是針對(duì)矽基板進(jìn)行平坦化加工的一種工藝，現(xiàn)在對(duì)藍(lán)寶石基板同樣適用。經(jīng)過(guò)CMP拋光工藝的藍(lán)寶石基板在經(jīng)過(guò)層層檢測(cè)，達(dá)到合格準(zhǔn)的產(chǎn)品就可以交給外延廠進(jìn)行磊晶了。芯片的背部減薄制程磊晶之后的藍(lán)寶石基板就成為了外延片，外延片在經(jīng)過(guò)蝕刻、蒸鍍、電極制作、保護(hù)層制作等一系列復(fù)雜的半導(dǎo)體制程之后，還需要切割成一粒粒的芯片，根據(jù)芯片的大小，一片2英寸的外延片可以切割成為數(shù)千至上萬(wàn)個(gè)CHIP。前文講到此時(shí)外延片的厚度在430um附近，由于藍(lán)寶石的硬度以及脆性，普通切割工藝難以對(duì)其進(jìn)行加工。目前普遍的工藝是將外延片從430um減薄至100um附近，然后再使用鐳射進(jìn)行切割。
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