當(dāng)前晶硅電池研發(fā)效率的比較高水平從HBC量產(chǎn)效率來(lái)看，根據(jù)普樂(lè)科技。HBC電池量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率達(dá)25%~，2017年，Kaneka將HBC電池世界紀(jì)錄刷新到，這也是迄今為止晶硅太陽(yáng)能電池研發(fā)效率的比較高水平IBC與非晶硅鈍化技術(shù)的結(jié)合是未來(lái)IBC電池效率提升的方向之一，極具性價(jià)比的IBC衍生工藝路線將TOPCon鈍化接觸技術(shù)與IBC相結(jié)合，即是TBC電池，又名POLO-IBC電池從TBC量產(chǎn)效率來(lái)看，根據(jù)普樂(lè)科技，TBC電池量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率達(dá)，F(xiàn)raunhofer創(chuàng)下實(shí)驗(yàn)室比較高轉(zhuǎn)換效率記錄、降造成本，是實(shí)現(xiàn)IBC電池產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵因素根據(jù)普樂(lè)科技測(cè)算，目前經(jīng)典IBC的設(shè)備投資額約為3億元/GW左右1.產(chǎn)線投資上由于IBC、TBC、HBC電池工藝路線分別兼容部分PERC、TOPCon、HJT的設(shè)備，通過(guò)開發(fā)配套工藝和設(shè)備升級(jí)改造，以小代價(jià)實(shí)現(xiàn)與目前規(guī)?；纳a(chǎn)線兼容的IBC工藝路線，能夠帶動(dòng)XBC電池的工藝成熟，帶動(dòng)設(shè)備投資端的下降2.工藝設(shè)備上可采用半導(dǎo)體常用的精度更高、均勻性更好的離子注入設(shè)備代替光伏中均勻性較差的高溫磷擴(kuò)散設(shè)備制備前場(chǎng)區(qū)和背場(chǎng)區(qū)，疊加絲網(wǎng)印刷、PECVD沉積掩膜、激光開膜等產(chǎn)業(yè)化工藝取代復(fù)雜且昂貴的光刻掩膜、電鍍等高成本技術(shù)，適用于量產(chǎn)化IBC電池3.材料選擇上選用更低成本的TCO膜和靶材。 硅片因?yàn)楸旧淼那懈罨蚱渌虺霈F(xiàn)的表面有規(guī)則的白斑，那是無(wú)法去掉。內(nèi)蒙古新款電池片
與BSF電池相比，光電轉(zhuǎn)換效率更高PERC電池市占率呈現(xiàn)大幅提升趨勢(shì)，由2016年的，現(xiàn)已成為電池片主流產(chǎn)品發(fā)展歷程，PERC技術(shù)出現(xiàn)并引起重視PERC電池技術(shù)起點(diǎn)源于1989年澳洲新南威爾士大學(xué)的馬丁·格林教授研究組公開的研究成果，實(shí)現(xiàn)了，PERC電池背面鈍化的AlOx介質(zhì)膜的鈍化作用引起重視，PERC技術(shù)開始逐步走向產(chǎn)業(yè)化，國(guó)內(nèi)PERC電池步入萌芽期2012年由中電光伏牽頭的國(guó)家863項(xiàng)目正式吹響了我國(guó)PERC電池產(chǎn)業(yè)化的號(hào)角2013-2014年在諸多廠家與機(jī)構(gòu)長(zhǎng)期的技術(shù)儲(chǔ)備和研究基礎(chǔ)下國(guó)內(nèi)PERC電池進(jìn)入商業(yè)化和量產(chǎn)化的基礎(chǔ)階段，其中晶澳作為國(guó)內(nèi)打通PERC產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，其批量試產(chǎn)效率達(dá)到，并率先實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)PERC電池進(jìn)入高速成長(zhǎng)階段2015年國(guó)內(nèi)PERC電池產(chǎn)能達(dá)到世界，占全球PERC電池產(chǎn)能的35%2016年由國(guó)家能源局實(shí)施的“光伏計(jì)劃”國(guó)內(nèi)PERC電池正式開啟產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)，平均效率達(dá)到，常規(guī)電池的市場(chǎng)份額開始下降，國(guó)內(nèi)PERC電池市場(chǎng)份額提升至15%，其產(chǎn)能已增至，成為市場(chǎng)主流2019年P(guān)ERC電池規(guī)?；慨a(chǎn)加速，量產(chǎn)效率達(dá)，產(chǎn)能占比超過(guò)50%，正式超過(guò)BSF電池成為主流的光伏電池技術(shù)根據(jù)CPIA預(yù)計(jì)，到2022年P(guān)ERC電池量產(chǎn)效率將達(dá)，產(chǎn)能占比將超過(guò)80%。
湖南電池片精密磨在制絨槽提籃時(shí)溶液和硅片不親潤(rùn)造成，水紋就是在做成品后用我們眼睛看到的"水印"。
1一次清洗與二次清洗的酸液不干凈，檢查酸液使用的次數(shù)有沒(méi)揮發(fā)等2擴(kuò)散與鍍膜前硅片表面帶有較臟的水印3在制絨后硅片表面的硅酸鈉沒(méi)能得到很好的去除就會(huì)留下不規(guī)則的膠體印，到成品后是水紋；這只要我們?cè)谥平q后及時(shí)進(jìn)行酸洗，也可提高HF的濃度.如果制絨液的配比沒(méi)有問(wèn)題，那么花斑白斑和制絨前的硅片表面質(zhì)量就顯得尤其重要了。原始的解決方法是用強(qiáng)堿來(lái)粗剝一下，但隨著原材料變薄也可用低一些的濃度與IPA的混合溶液來(lái)處理，一般5~6分鐘即可；6溶液均勻的方法1超聲，缺點(diǎn)是容易造成碎片，即使沒(méi)有在槽中碎，后道工序也會(huì)碎；2循環(huán)，使用chemicalpump；3攪拌；4鼓泡；7制絨出現(xiàn)的問(wèn)題花臉；雨點(diǎn)狀斑點(diǎn)；發(fā)白；8雨點(diǎn)狀斑點(diǎn)問(wèn)題沒(méi)寫9酒精和IPA1酒精較難控制，無(wú)毒，污染??；2IPA做的絨面的均勻性比酒精要好控制的多；10多晶硅一次清洗工藝流程這個(gè)省了11制備絨面技術(shù)方法1機(jī)械刻槽要求硅片厚度大于200um，刻槽深度一般為50um，增加材料成本2等離子蝕刻成本高，耗時(shí)長(zhǎng)，產(chǎn)量低3激光刻槽絨面的陷光效果好，但處理工序復(fù)雜，加工系統(tǒng)昂貴4各向同性的酸腐蝕12酸腐蝕制備絨面的基本原理以HF－HNO3為基礎(chǔ)的水溶液體系機(jī)理為HNO3給硅表面提供空穴，打破了硅表面的Si2H鍵。
電池片工藝流程:制絨(INTEX)→擴(kuò)散(DIFF)→后清洗(刻邊/去PSG)→鍍減反射膜(PECVD)→絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)→測(cè)試、分選(TESTER+SORTER)→包裝(PACKING)。一、制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲孔狀無(wú)規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與HF、HNO3（硅表面會(huì)被鈍化）認(rèn)為是不反應(yīng)的。當(dāng)存在于兩種混合酸的體系中，硅與混合溶液的反應(yīng)是持續(xù)性的。二、擴(kuò)散擴(kuò)散是為電池片制造心臟，是為電池片制造P-N結(jié)，POCl3是當(dāng)前磷擴(kuò)散用較多的選擇。POCl3為液態(tài)磷源，液態(tài)磷源擴(kuò)散具有生產(chǎn)效率較高、穩(wěn)定性好、制得PN結(jié)均勻平整及擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)。POCl3在大于600℃的條件下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），PCl5對(duì)硅片表面有腐蝕作用，當(dāng)有氧氣O2存在時(shí)，PCl5會(huì)分解成P2O5且釋放出氯氣，所以擴(kuò)散通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。 加工太陽(yáng)能電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。
電池片的生產(chǎn)流程一次清洗制絨工序1清洗拋光片配方1清洗步驟置樣品入舟——浸入I號(hào)液——漂洗——浸入II號(hào)液——漂洗2溶液配方I號(hào)液NH4OH:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)II號(hào)液HCL:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)3實(shí)驗(yàn)過(guò)程主要是利用兩種溶液進(jìn)行去金屬離子；2白斑問(wèn)題1不出絨面（主要因素）；采取的方法是：①增加時(shí)間；②提高溫度；③加大NaOH濃度；2絨面較好，只是表面有白斑可能是溶液不均勻，或者Na2SiO3太多，需排液；3硅片因?yàn)楸旧淼那懈罨蚱渌虺霈F(xiàn)的表面有規(guī)則的白斑，那是無(wú)法去掉；解決辦法：①粗拋控制；②整體發(fā)白或發(fā)灰，歸結(jié)為NaOH濃度不夠；適當(dāng)增加NaOH或延長(zhǎng)制絨時(shí)間；③測(cè)試反射率，太高表示沒(méi)有金字塔，因?yàn)槠颖砻嬗幸粚虞^厚的SiO2；④超聲清洗；；2NaOH濃度過(guò)高（主要因素）；解決辦法：①增大IPA量②降低NaOH濃度；4絨面大小均勻性控制分析1與IPA量、溫度、時(shí)間和溶液的濃度有關(guān)；2溶液的均勻性；3槽子里溫度場(chǎng)均勻性；4用NaOH控制，絨面大時(shí)，少補(bǔ)加NaOH或干脆就不補(bǔ)加；IPA的量保證硅片表面沒(méi)有小雨點(diǎn)就可以；5液體在硅片表面必須有徑向流動(dòng)；5水紋問(wèn)題1是粗拋造成的2是在制絨槽提籃時(shí)溶液和硅片不親潤(rùn)造成水紋就是在做成品后用我們眼睛看到的"水印"。
為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽(yáng)能電池等采用太陽(yáng)能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。定制電池片加工
用石英坩堝裝好多晶硅料，加入適量硼硅，放人澆鑄爐，在真空狀態(tài)中加熱熔化。內(nèi)蒙古新款電池片
可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。4PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽(yáng)光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右。減反射膜可以提高電池片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，有助于提高光生電流，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對(duì)電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng),從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過(guò)對(duì)石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。5絲網(wǎng)印刷通俗的說(shuō)就是為太陽(yáng)能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場(chǎng)的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，主要監(jiān)控印刷后的濕重和次柵線的寬度。第二道道濕重如果過(guò)大，既浪費(fèi)漿料，同時(shí)還可能導(dǎo)致不能在進(jìn)高溫區(qū)之前充分干燥，甚至不能將其中的所有有機(jī)物趕出從而不能將整個(gè)鋁漿層轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘黉X，另外濕重過(guò)大可能造成燒結(jié)后電池片弓片。濕重過(guò)小，所有鋁漿均會(huì)在后續(xù)的燒結(jié)過(guò)程中與硅形成熔融區(qū)域而被消耗，而該合金區(qū)域無(wú)論從橫向電導(dǎo)率還是從可焊性方面均不適合于作為背面金屬接觸，另外還有可能出現(xiàn)鼓包等外觀不良。第三道道柵線寬度過(guò)大，會(huì)使電池片受光面積較少。 內(nèi)蒙古新款電池片