廣東精磨五金平面磨具

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-26

    拋光盤的平面精度對(duì)平面拋光精度的影響拋光盤的平面精度與其精度的保持性決定了平面拋光的精度。因此為了使工件獲得高精度的加工平面,必須使用高精度平面的拋光盤。在拋光高精度面積較小的平面加工件時(shí),要使用彈性形變小并且能始終保持平面度的拋光盤。所以在平面拋光盤上涂上一層彈性或軟金屬材料或者是采用特種玻璃作為拋光盤,都可以獲得高精度的表面質(zhì)量。在工件材質(zhì)比較軟時(shí),如光學(xué)玻璃等,有時(shí)可以使用軟質(zhì)的拋光盤(如石蠟盤及瀝青盤等)或半軟質(zhì)的拋光盤(如鉛盤及錫盤等)來獲得高精度的光滑無損傷表面。使用軟質(zhì)的拋光盤,拋光后得到的工件表面具有表面粗糙度與講過變質(zhì)層都很小的優(yōu)點(diǎn),但存在不易保存工件平面度的缺點(diǎn),對(duì)工件平面度產(chǎn)生影響。在使用軟質(zhì)的拋光盤時(shí),為了確保得到工件的高精度表面,可以采取的措施有以下幾點(diǎn):(1)廢棄己經(jīng)磨損變形的拋光盤;(2)盡量使用耐磨損好的拋光盤;(3)修整磨損變形??刹捎萌斯ば拚麙伖獗P的平面,也可利用標(biāo)準(zhǔn)平板與拋光盤對(duì)研修整。 研磨速度對(duì)余量去除和表面粗糙度的影響對(duì)研具的磨損影響很大。廣東精磨五金平面磨具

    往盤面開始滴入研磨液(粗拋液),主軸速度調(diào)至50-60轉(zhuǎn)之間,把操作板面的計(jì)時(shí)器設(shè)好時(shí)間后,點(diǎn)啟動(dòng)按鈕,產(chǎn)品研磨時(shí)間按實(shí)際而定。磨盤面要定期清洗。粗拋后清洗:粗拋完成后,取出來用自來水把產(chǎn)品清洗干凈,待下一步精拋或拋光。精拋:研磨操作程序和粗拋的一樣,但研磨液是精拋液。精拋后清洗,精拋完成后清洗干凈研磨產(chǎn)品。拋光:拋光有白墊粗拋,白布拋光,還有白墊加白布一起拋光,先舉三種。白墊一般在背面粘有膠紙直接貼在底盤后就可以使用。白布要用抱箍勒緊才能使用,操作工序和上面差不多,就是主軸速度要調(diào)至70到80左右,時(shí)間要有所調(diào)整,拋光液要以產(chǎn)品的種類來匹配。拋光后清洗:拋光后是一道加工,所以清洗產(chǎn)品時(shí),不可用水或其他硬的物質(zhì)接觸到產(chǎn)品表面。加溫/下蠟:產(chǎn)品加工完成后,把產(chǎn)品清洗干凈,吧粘貼板吹干后,放在控溫爐,到一定時(shí)間后,吧產(chǎn)品取下。如果是用治具生產(chǎn)的,直接取下清洗干凈或放到專門清洗線上,清洗干凈。清洗除蠟:把產(chǎn)品放在待定的清洗支架上,用專門機(jī)器清洗設(shè)備清洗干凈。 深圳精密五金平面打磨淺談平面超精研磨工藝。

    工作原理:1.本研磨機(jī)為精密研磨拋光設(shè)備,被磨、拋材料放于研磨盤上,研磨盤逆時(shí)鐘轉(zhuǎn)動(dòng),修正輪帶動(dòng)工件自轉(zhuǎn),重力加壓的方式對(duì)工件施壓,工件與研磨盤作相對(duì)運(yùn)轉(zhuǎn)磨擦,來達(dá)到研磨拋光目的。2.研磨盤修整機(jī)構(gòu)采用油壓懸浮導(dǎo)軌前后往復(fù)運(yùn)動(dòng),金剛石修面刀給研磨盤的研磨面進(jìn)行精密修整,得到理想的平面效果。特點(diǎn):1.通常研磨盤修面的方式是采用電鍍修整輪來修面,這種方式得到的修面不太理想,通過修整機(jī)構(gòu)修面后,平面度可達(dá)到±,加工工件平面度可達(dá)到±(φ50mm)2.系列研磨機(jī)工件加壓采用壓重塊加壓和氣缸加壓兩方式,壓力可調(diào),壓重塊就不容易把產(chǎn)品壓壞,可以研磨易碎品3.系列研磨機(jī)采用續(xù)電器程控系統(tǒng),可按產(chǎn)品尺寸要求預(yù)先在控制板上設(shè)定好研磨時(shí)間、當(dāng)設(shè)備時(shí)間跳到同設(shè)定時(shí)間一致時(shí),研磨機(jī)將會(huì)停止工作,能更好的控制產(chǎn)品的要磨尺寸,保證了產(chǎn)品的合格率,研磨盤轉(zhuǎn)速與定時(shí)可直接在控制面板上輸入。4.自動(dòng)攪拌加液系統(tǒng),本系統(tǒng)由一個(gè)磁力攪拌器和一個(gè)時(shí)間繼電器組合,研磨時(shí)可按加工要求自動(dòng)加液。

    超精密平而研磨是超精密加工中重要的方法之一,在制造業(yè)占有非常重要的地位且有著廣闊的市場(chǎng)需求,光學(xué)鏡而、計(jì)算機(jī)芯片、量塊等都是使用超精密平而研磨加工出來的。超精密平而研磨過程中,如果研磨工藝參數(shù)配置不合理,如研磨壓力選用不合適、磨盤硬度選用不合理、磨料尺寸分散性較大等,都會(huì)影響工件的加工效率及加工質(zhì)量。研磨壓力是影響研磨加工的效率的主要因素,同時(shí)對(duì)加工質(zhì)量也有影響。其它條件一致的前提下,如果研磨壓力在一定范圍內(nèi)增大,工件表面磨粒劃痕相對(duì)深一些,表而粗糙度也會(huì)變大,但當(dāng)研磨壓力增加到一定程度后,表而粗糙度不再隨壓力增加發(fā)生變化而基木保持不變。研磨效率隨著研磨壓力地增大而基木成正比地提高,但是研磨壓力也不可以無限制地增加,過大的壓力可能引起試件的破碎以及磨粒的壓碎等問題。研磨的作用是會(huì)隨著研磨壓力的提高而增加,在平面研磨機(jī)進(jìn)行研磨時(shí),壓力增加后,磨粒的嵌進(jìn)工件比較深,切屑也會(huì)增加,在研磨壓力應(yīng)用范圍內(nèi),研磨壓力主要是通過人力或者是機(jī)械方方通過重量壓力所產(chǎn)生的。研磨壓力需要作者精細(xì)調(diào)整,均勻分布在整個(gè)加工面上,力主要是作用在工件表面和磨盤之間,可以有效避免工件產(chǎn)生變形。 研磨壓力是影響研磨過程的重要工藝參數(shù)。

    平面研磨機(jī)怎么加工鉸孔平面研磨機(jī)加工中的孔加工是工件研磨加工的重要的造成內(nèi)容之一,對(duì)加工孔的方法主要有兩個(gè)分類,一個(gè)是用鉆頭在實(shí)心材料上加工出孔,另一個(gè)是用孔孔鉆對(duì)工件上已經(jīng)有的孔進(jìn)行再加工。使用鉆頭在實(shí)體材料上加工出孔的工作成為鉆孔,鉆孔的時(shí)候,工件固定在工作臺(tái)上不動(dòng),依靠著鉆頭運(yùn)動(dòng)來進(jìn)行切削,其切削的過程中由于兩個(gè)運(yùn)動(dòng)的合成,主運(yùn)動(dòng)主要是鉆頭的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和進(jìn)給運(yùn)動(dòng)這種運(yùn)動(dòng)主要沿著孔的方法的直線進(jìn)行的移動(dòng)。采用精密研磨機(jī)進(jìn)行加工,目前這種對(duì)孔進(jìn)行加工的方法研磨機(jī)目前還不是很發(fā)達(dá),需要進(jìn)一步進(jìn)行這方面的研究。對(duì)工件中,孔加工與工件的平面加工有一定的區(qū)別,相同之處在于,都是固定在一個(gè)工作臺(tái)上不動(dòng),進(jìn)行的切削加工,使用平面研磨機(jī)加工,主要是接觸夾具固定工件,以及使用一種特制的蠟固定工件進(jìn)行研磨,其都必須遵循的原則是,不能產(chǎn)生振動(dòng)為宜。使用平面研磨機(jī)加工時(shí)進(jìn)行工件鉸孔要盡量的使工件在一次性的裝夾的過程中完成鉆孔,擴(kuò)孔等一系列工作,才能夠保證鉸刀的中心與孔的中心是一致的。在進(jìn)行研磨機(jī)加工的時(shí)候,需要用手動(dòng)進(jìn)給,在進(jìn)入孔內(nèi)之后,在改為電動(dòng)。整個(gè)鉸削的過程中,應(yīng)該需要保證充足的冷卻潤(rùn)滑液。 當(dāng)磨粒粒度確定后,對(duì)于某一確定單位研磨壓力,有一個(gè)產(chǎn)生比較大生產(chǎn)率的磨料濃度。江西磨平面按需定制

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    國(guó)內(nèi)可以生產(chǎn)多晶鉆石微粉的廠家有北京國(guó)瑞升和四川久遠(yuǎn),而國(guó)瑞升同時(shí)可以自己生產(chǎn)鉆石液,因此在品質(zhì)與成本上具有較大優(yōu)勢(shì)。美國(guó)的DiamondInnovation近推出了“類多晶鉆石”,實(shí)際是對(duì)普通單晶鉆石的一種改良,雖然比較堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)能提供較高的切削力,但是同時(shí)也更容易造成較深的刮傷。拋光:多晶鉆石雖然造成的刮傷明顯小于單晶鉆石,但是仍然會(huì)在藍(lán)寶石表面留下明顯的刮傷,因此還會(huì)經(jīng)過一道CMP拋光,去除所有的刮傷,留下完美的表面。CMP工藝原本是針對(duì)矽基板進(jìn)行平坦化加工的一種工藝,現(xiàn)在對(duì)藍(lán)寶石基板同樣適用。經(jīng)過CMP拋光工藝的藍(lán)寶石基板在經(jīng)過層層檢測(cè),達(dá)到合格準(zhǔn)的產(chǎn)品就可以交給外延廠進(jìn)行磊晶了。芯片的背部減薄制程磊晶之后的藍(lán)寶石基板就成為了外延片,外延片在經(jīng)過蝕刻、蒸鍍、電極制作、保護(hù)層制作等一系列復(fù)雜的半導(dǎo)體制程之后,還需要切割成一粒粒的芯片,根據(jù)芯片的大小,一片2英寸的外延片可以切割成為數(shù)千至上萬個(gè)CHIP。前文講到此時(shí)外延片的厚度在430um附近,由于藍(lán)寶石的硬度以及脆性,普通切割工藝難以對(duì)其進(jìn)行加工。目前普遍的工藝是將外延片從430um減薄至100um附近,然后再使用鐳射進(jìn)行切割。


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