咸寧設(shè)計PCB設(shè)計布線

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時鐘驅(qū)動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當CS#為高時器件內(nèi)部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號。寫數(shù)據(jù)時，當DQM為高電平時對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無效，DQML與DQMU分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號，讀寫操作時的數(shù)據(jù)信號通過該總線輸出或輸入。PCB設(shè)計的整體模塊布局。咸寧設(shè)計PCB設(shè)計布線

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見接口模塊：常用外設(shè)接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對應(yīng)的接口擺放，采用“先防護后濾波”的思路擺放接口保護器件，常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計指導(dǎo)。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號流向依次擺放保險絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm，器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設(shè)計指導(dǎo)。（5）連接器模塊：驅(qū)動芯片靠近連接器放置。隨州定制PCB設(shè)計銷售疊層方案子流程以及規(guī)則設(shè)置。

DDR與SDRAM信號的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號與地址\控制信號是參考不同的時鐘信號，數(shù)據(jù)信號參考DQS選通信號，地址\控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號；而SDRAM信號的數(shù)據(jù)、地址、控制信號是參考同一個時鐘信號。2、數(shù)據(jù)信號參考的時鐘信號即DQS信號是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù)，而SDRAM的時鐘信號只有在上升沿有效，相對而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號通常分成幾組，如每8位數(shù)據(jù)信號加一位選通信號DQS組成一組，同一組的數(shù)據(jù)信號參考相同組里的選通信號。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數(shù)據(jù)信號與選通信號分成多組，同組內(nèi)的數(shù)據(jù)信號參考同組內(nèi)的選通信號；地址、控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號。

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片，接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當在電磁發(fā)射源和需要保護的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻射電場，反射與吸收的量取決于多種不同的因素，這些因素包括輻射的頻率，波長，金屬本身的導(dǎo)電率和滲透性，以及該金屬與發(fā)射源的距離。4、模塊分腔的必要性：腔體內(nèi)腔器件間或RF信號布線間的典型隔離度約在50－70dB，對某些敏感電路，有強烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施，例如：a.接收電路前端、VCO電路的電源、環(huán)路濾波電路是敏感電路。b.發(fā)射的后級電路、功放的電路、數(shù)字信號處理電路、參考時鐘和晶體振蕩器是強烈的輻射源。DDR與SDRAM信號的不同之處在哪？

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應(yīng)的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數(shù)字構(gòu)成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認正極對應(yīng)的管腳號（接高電壓），然后在PCB中，找到對應(yīng)的管腳，將正極極性標識放在對應(yīng)的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級管是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標注放在接低電壓的管腳處。如何解決PCB設(shè)計中電源電路放置問題？武漢什么是PCB設(shè)計批發(fā)

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DDR2模塊相對于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時稱為DDRI），DDRII內(nèi)存可進行4bit預(yù)讀取。兩倍于標準DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標準，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標準；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。咸寧設(shè)計PCB設(shè)計布線

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