荊州正規(guī)PCB設(shè)計走線

電源、地處理，（1）不同電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil，在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。（2）開關(guān)電源按器件資料單點接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮的最小寬度處滿足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、地平面的換層處過孔數(shù)量必須滿足電流載流能力，參考4.8過孔孔徑通流表。（5）3個以上相鄰過孔反焊盤邊緣間距≥4Mil，禁止出現(xiàn)過孔割斷銅皮的情況，（6）模擬電源、模擬地只在模擬區(qū)域劃分，數(shù)字電源、數(shù)字地只在數(shù)字區(qū)域劃分，投影區(qū)域在所有層面禁止重疊，如下如圖所示。建議在模擬區(qū)域的所有平面層鋪模擬地處理（7）跨區(qū)信號線從模擬地和數(shù)字地的橋接處穿過（8）電源層相對地層內(nèi)縮必須≥20Mil，優(yōu)先40Mil（9）單板孤立銅皮要逐一確認(rèn)、不需要的要逐一刪除（10）室溫情況下，壓差在10V以上的網(wǎng)絡(luò)，同層必須滿足安規(guī)≥20Mil要求，壓差每增加1V,間距增加1Mil。（11）在疊層不對稱時，信號層鋪電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮，且銅皮、銅線面積占整板總面積50%以上，以防止成品PCB翹曲。PCB設(shè)計中等長線處理方式技巧有哪些？荊州正規(guī)PCB設(shè)計走線

 射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設(shè)計1、應(yīng)把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強烈輻射源之間，在大功率多級放大器中，也應(yīng)保證級與級之間隔開。2、印刷電路板的腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設(shè)計兩排開窗過孔屏，過孔應(yīng)相互錯開，同排過孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設(shè)計實例荊州正規(guī)PCB設(shè)計走線射頻、中頻電路的基本概念是什么？

通過規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門設(shè)計部。定義與縮略語（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計為印制電路板圖的全過程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計工具繪制，表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計工具自動生成的，表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計過程中，按照設(shè)計要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過程。（6）布線：PCB設(shè)計過程中，按照設(shè)計要求對信號進(jìn)行走線和銅皮處理的過程。

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對于數(shù)據(jù)信號，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫進(jìn)程時，首先要保證SDRAM接收端的信號完整性，將SDRAM芯片放置在信號鏈路的遠(yuǎn)端，對于地址及控制信號的也應(yīng)該如此處理。2、對于掛了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，從信號完整性角度來考慮，SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245緩沖器等集中緊湊布局。3、源端匹配電阻應(yīng)靠近輸出管腳放置，退耦電容靠近器件電源管腳放置。4、SDRAM的數(shù)據(jù)、地址線推薦采用菊花鏈布線線和遠(yuǎn)端分支方式布線，Stub線頭短。5、對于SDRAM總線，一般要對SDRAM的時鐘、數(shù)據(jù)、地址及控制信號在源端要串聯(lián)上33歐姆或47歐姆的電阻，否則此時總線上的過沖大，可能影響信號完整性和時序,有可能會損害芯片。時鐘驅(qū)動器的布局布線要求。

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片，接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當(dāng)在電磁發(fā)射源和需要保護(hù)的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻射電場，反射與吸收的量取決于多種不同的因素，這些因素包括輻射的頻率，波長，金屬本身的導(dǎo)電率和滲透性，以及該金屬與發(fā)射源的距離。4、模塊分腔的必要性：腔體內(nèi)腔器件間或RF信號布線間的典型隔離度約在50－70dB，對某些敏感電路，有強烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施，例如：a.接收電路前端、VCO電路的電源、環(huán)路濾波電路是敏感電路。b.發(fā)射的后級電路、功放的電路、數(shù)字信號處理電路、參考時鐘和晶體振蕩器是強烈的輻射源。PCB設(shè)計中常用的電源電路有哪些？黃石常規(guī)PCB設(shè)計哪家好

PCB設(shè)計常用規(guī)則之Gerber參數(shù)設(shè)置。荊州正規(guī)PCB設(shè)計走線

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。荊州正規(guī)PCB設(shè)計走線

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