隨州設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)多少錢(qián)

工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)（1）與客戶(hù)確認(rèn)阻抗類(lèi)型，常見(jiàn)阻抗類(lèi)型如下：常規(guī)阻抗：?jiǎn)味?0歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》，基于以下幾點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明：信號(hào)層夾在電源層和地層之間時(shí),信號(hào)層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號(hào)層間距拉大。阻抗線所在的層號(hào)。（3）檢查《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》信息是否有遺漏，錯(cuò)誤，核對(duì)無(wú)誤后再與客戶(hù)進(jìn)行確認(rèn)。在PCB設(shè)計(jì)中如何繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板？隨州設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)多少錢(qián)

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿(mǎn)足“信號(hào)流向順暢，布線短”的原則；（2）不同類(lèi)型的電路模塊分開(kāi)擺放，相對(duì)、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間；（5）器件間距滿(mǎn)足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時(shí)，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶(hù)的要求時(shí)，以客戶(hù)為準(zhǔn)，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿(mǎn)足客戶(hù)要求。黃石常規(guī)PCB設(shè)計(jì)原理PCB設(shè)計(jì)常用規(guī)則之絲印調(diào)整。

SDRAM的端接1、時(shí)鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時(shí)不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號(hào)掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫(xiě)進(jìn)程時(shí)，首先要保證SDRAM接收端的信號(hào)完整性，將SDRAM芯片放置在信號(hào)鏈路的遠(yuǎn)端，對(duì)于地址及控制信號(hào)的也應(yīng)該如此處理。2、對(duì)于掛了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，從信號(hào)完整性角度來(lái)考慮，SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245緩沖器等集中緊湊布局。3、源端匹配電阻應(yīng)靠近輸出管腳放置，退耦電容靠近器件電源管腳放置。4、SDRAM的數(shù)據(jù)、地址線推薦采用菊花鏈布線線和遠(yuǎn)端分支方式布線，Stub線頭短。5、對(duì)于SDRAM總線，一般要對(duì)SDRAM的時(shí)鐘、數(shù)據(jù)、地址及控制信號(hào)在源端要串聯(lián)上33歐姆或47歐姆的電阻，否則此時(shí)總線上的過(guò)沖大，可能影響信號(hào)完整性和時(shí)序,有可能會(huì)損害芯片。

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專(zhuān)指具有一定波長(zhǎng)可用于無(wú)線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號(hào)的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類(lèi)型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片，接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無(wú)線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當(dāng)在電磁發(fā)射源和需要保護(hù)的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時(shí)，該金屬會(huì)反射和吸收部分輻射電場(chǎng)，反射與吸收的量取決于多種不同的因素，這些因素包括輻射的頻率，波長(zhǎng)，金屬本身的導(dǎo)電率和滲透性，以及該金屬與發(fā)射源的距離。4、模塊分腔的必要性：腔體內(nèi)腔器件間或RF信號(hào)布線間的典型隔離度約在50－70dB，對(duì)某些敏感電路，有強(qiáng)烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施，例如：a.接收電路前端、VCO電路的電源、環(huán)路濾波電路是敏感電路。b.發(fā)射的后級(jí)電路、功放的電路、數(shù)字信號(hào)處理電路、參考時(shí)鐘和晶體振蕩器是強(qiáng)烈的輻射源。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循哪些基本原則？

設(shè)計(jì)規(guī)劃設(shè)計(jì)規(guī)劃子流程：梳理功能要求→確認(rèn)設(shè)計(jì)要求→梳理設(shè)計(jì)要求。梳理功能要求（1）逐頁(yè)瀏覽原理圖，熟悉項(xiàng)目類(lèi)型。項(xiàng)目類(lèi)型可分為：數(shù)字板、模擬板、數(shù)模混合板、射頻板、射頻數(shù)模混合板、功率電源板、背板等，依據(jù)項(xiàng)目類(lèi)型逐頁(yè)查看原理圖梳理五大功能模塊：輸入模塊、輸出模塊、電源模塊、信號(hào)處理模塊、時(shí)鐘及復(fù)位模塊。（2）器件認(rèn)定：在單板設(shè)計(jì)中，承擔(dān)信號(hào)處理功能器件，或因體積較大，直接影響布局布線的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒溫晶振，時(shí)鐘芯片，大體積電源芯片。確認(rèn)設(shè)計(jì)要求（1）客戶(hù)按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格模板，規(guī)范填寫(xiě)，信息無(wú)遺漏；可以協(xié)助客戶(hù)梳理《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格，經(jīng)客戶(hù)確認(rèn)后，則直接采納。（2）整理出正確、完整的信號(hào)功能框圖。（3）按照《PCB Layout業(yè)務(wù)資料及要求》表格確認(rèn)整版電源，及各路分支的電源功耗情況，根據(jù)電源流向和電流大小，列出電流樹(shù)狀圖，經(jīng)客戶(hù)確認(rèn)后，予以采納。京曉科技教您如何設(shè)計(jì)PCB。黃石常規(guī)PCB設(shè)計(jì)多少錢(qián)

整板布線的工藝技巧和規(guī)則。隨州設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)多少錢(qián)

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫(xiě)兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫(xiě)操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對(duì)DQ\DM\DQS等信號(hào)，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。隨州設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)多少錢(qián)

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