高速PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對(duì)整板布線約束的要求。同時(shí)也應(yīng)該符合客戶對(duì)過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無法滿足時(shí)需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計(jì)中心溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn)。布線的流程步驟如下：關(guān)鍵信號(hào)布線→整板布線→ICT測試點(diǎn)添加→電源、地處理→等長線處理→布線優(yōu)化，關(guān)鍵信號(hào)布線關(guān)鍵信號(hào)布線的順序：射頻信號(hào)→中頻、低頻信號(hào)→時(shí)鐘信號(hào)→高速信號(hào)。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號(hào)層走線?！镆勒詹季智闆r短布線?！镒呔€間距單端線必須滿足3W以上，差分線對(duì)間距必須滿足20Mil以上什么是模擬電源和數(shù)字電源？高速PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

SDRAM時(shí)鐘源同步和外同步1、源同步：是指時(shí)鐘與數(shù)據(jù)同時(shí)在兩個(gè)芯片之間間傳輸，不需要外部時(shí)鐘源來給SDRAM提供時(shí)鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)滿足一定的時(shí)序匹配關(guān)系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步：由外部時(shí)鐘給系統(tǒng)提供參考時(shí)鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個(gè)時(shí)鐘，一個(gè)鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個(gè)鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成，對(duì)于SDRAM及其控制芯片，參考時(shí)鐘CLK1、CLK2由外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生，此時(shí)CLK1、CLK2到達(dá)SDRAM及其控制芯片的延時(shí)必須滿足數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線信號(hào)的時(shí)序匹配要求，即CLK1、CLK2必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。如圖6-1-4-3所示。孝感什么是PCB設(shè)計(jì)批發(fā)PCB設(shè)計(jì)中關(guān)鍵信號(hào)布線方法。

整板扇出（1）對(duì)板上已處理的表層線和過孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。（2）格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點(diǎn)，過孔扇出在格點(diǎn)上，相同器件過孔走線采用復(fù)制方式，保證過孔上下左右對(duì)齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔，模塊內(nèi)通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔數(shù)目滿足電源載流要求，過孔通流能力參照，地孔數(shù)不少于電源過孔數(shù)。

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見接口模塊：常用外設(shè)接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號(hào)流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對(duì)應(yīng)的接口擺放，采用“先防護(hù)后濾波”的思路擺放接口保護(hù)器件，常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號(hào)流向依次擺放保險(xiǎn)絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm，器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（5）連接器模塊：驅(qū)動(dòng)芯片靠近連接器放置。LDO外圍電路布局要求是什么？

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項(xiàng)1、在同一個(gè)屏蔽腔體內(nèi)，布局時(shí)應(yīng)該按RF主信號(hào)流一字布局，由于空間限制，如果在同一個(gè)屏蔽腔內(nèi)，RF主信號(hào)的元器件不能采用一字布局時(shí)，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對(duì)U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會(huì)出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個(gè)接收通道和發(fā)射通道。3、布局時(shí)就要考慮RF主信號(hào)走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠(yuǎn)離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時(shí)工作，高功率電路有時(shí)還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠(yuǎn)離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號(hào)串到輸入端。8、敏感的模擬信號(hào)應(yīng)該遠(yuǎn)離高速數(shù)字信號(hào)和RF信號(hào)。如何解決PCB設(shè)計(jì)中電源電路放置問題？襄陽高效PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

疊層方案子流程以及規(guī)則設(shè)置。高速PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào)。高速PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

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