湖北定制PCB設(shè)計原理

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時鐘驅(qū)動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號。寫數(shù)據(jù)時，當(dāng)DQM為高電平時對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無效，DQML與DQMU分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當(dāng)前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號，讀寫操作時的數(shù)據(jù)信號通過該總線輸出或輸入。京曉科技與您分享等長線處理的具體步驟。湖北定制PCB設(shè)計原理

 射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設(shè)計1、應(yīng)把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強(qiáng)烈輻射源之間，在大功率多級放大器中，也應(yīng)保證級與級之間隔開。2、印刷電路板的腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設(shè)計兩排開窗過孔屏，過孔應(yīng)相互錯開，同排過孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設(shè)計實例宜昌打造PCB設(shè)計走線不同存儲容量及不同數(shù)據(jù)寬度的器件有所不同。

繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板（1）設(shè)置允許布局區(qū)域：回流焊傳送邊的寬度要求為5mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長邊用作回流焊傳送邊；短邊內(nèi)縮默認(rèn)2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時，寬長比＞2:3；傳送邊進(jìn)板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時長度不超過傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄表》中。（2）設(shè)置允許布線區(qū)域：允許布線區(qū)域為從板框邊緣內(nèi)縮默認(rèn)40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中。（3）螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤單邊向外擴(kuò)大1mm，特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中。（4）PCB中Top及Bottom面各增加3個非對稱的Mark點(diǎn)，Mark點(diǎn)封裝由封裝組提供，1mm標(biāo)準(zhǔn)Mark點(diǎn)外邊沿距離傳送邊板邊間距≥5mm

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因為數(shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開關(guān)狀態(tài)。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。PCB設(shè)計中等長線處理方式技巧有哪些？

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。關(guān)鍵信號的布線應(yīng)該遵循哪些基本原則？隨州常規(guī)PCB設(shè)計銷售電話

PCB設(shè)計中如何評估平面層數(shù)？湖北定制PCB設(shè)計原理

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠(yuǎn)離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時工作，高功率電路有時還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠(yuǎn)離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號串到輸入端。8、敏感的模擬信號應(yīng)該遠(yuǎn)離高速數(shù)字信號和RF信號。湖北定制PCB設(shè)計原理

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