孝感設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)加工

關(guān)鍵信號(hào)布線（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線長(zhǎng)度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過(guò)孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過(guò)孔處增加回流地過(guò)孔。DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處在哪？孝感設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)加工

導(dǎo)入網(wǎng)表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計(jì)，在原理圖中生成網(wǎng)表，并導(dǎo)入到新建PCBLayout文件中，確認(rèn)網(wǎng)表導(dǎo)入過(guò)程中無(wú)錯(cuò)誤提示，確保原理圖和PCB的一致性。（2）原理圖和PCB文件為工程文件的，把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中，執(zhí)行更新網(wǎng)表操作。（3）將導(dǎo)入網(wǎng)表后的PCBLayout文件中所有器件無(wú)遺漏的全部平鋪放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內(nèi)。（4）為確保原理圖和PCB的一致性，需與客戶確認(rèn)軟件版本，設(shè)計(jì)時(shí)使用和客戶相同軟件版本。（5）不允許使用替代封裝，資料不齊全時(shí)暫停設(shè)計(jì)；如必須替代封裝，則替代封裝在絲印字符層寫(xiě)上“替代”、字體大小和封裝體一樣。湖北了解PCB設(shè)計(jì)價(jià)格大全SDRAM 的PCB布局布線要求是什么？

等長(zhǎng)線處理等長(zhǎng)線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長(zhǎng)線段→等長(zhǎng)線處理→鎖定等長(zhǎng)線。（1）檢查組內(nèi)等長(zhǎng)規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對(duì)蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對(duì)內(nèi)等長(zhǎng)優(yōu)先在不匹配端做補(bǔ)償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對(duì)內(nèi)間距，長(zhǎng)度＞3倍差分線寬，（4）差分線對(duì)內(nèi)≤3.125G等長(zhǎng)誤差≤5mil，＞3.125G等長(zhǎng)誤差≤2mil。（5）DDR同組等長(zhǎng)：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或者芯片有特殊要求時(shí)按特殊要求。（6）優(yōu)先在BGA區(qū)域之外做等長(zhǎng)線處理。（7）有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側(cè)B段做等長(zhǎng)處理，（8）有末端匹配的走線在A段做等長(zhǎng)線處理，禁止在分支B段做等長(zhǎng)處理（9） T型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長(zhǎng)處理，同網(wǎng)絡(luò)分支走線B或C段長(zhǎng)度＜主干線A段長(zhǎng)度,且分支走線長(zhǎng)度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長(zhǎng)處理，分支線B、C、D、E段長(zhǎng)度＜500Mil

 射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設(shè)計(jì)1、應(yīng)把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強(qiáng)烈輻射源之間，在大功率多級(jí)放大器中，也應(yīng)保證級(jí)與級(jí)之間隔開(kāi)。2、印刷電路板的腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設(shè)計(jì)實(shí)例PCB設(shè)計(jì)中電氣方面的注意事項(xiàng)。

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱(chēng)為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說(shuō)明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡(jiǎn)述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí)CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒(méi)有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫(xiě)使能信號(hào)，低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào)。ADC和DAC前端電路布線規(guī)則。孝感PCB設(shè)計(jì)批發(fā)

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SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱(chēng)，是使用很的一種存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的CPU芯片，如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片，而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠家的SDRAM芯片封裝示意圖，圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)管腳分配情況以及信號(hào)網(wǎng)絡(luò)說(shuō)明。孝感設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)加工

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