鄂州正規(guī)PCB設(shè)計批發(fā)

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結(jié)構(gòu)圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應(yīng)區(qū)域設(shè)置如下特性：禁布區(qū)設(shè)置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設(shè)置對應(yīng)高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導(dǎo)軌按結(jié)構(gòu)圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導(dǎo)軌內(nèi)沿2mm范圍內(nèi)，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區(qū)域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區(qū)域，客戶有特殊要求除外。DDR模塊中管腳功能說明。鄂州正規(guī)PCB設(shè)計批發(fā)

ADC和DAC是數(shù)字信號和模擬信號的接口，在通信領(lǐng)域，射頻信號轉(zhuǎn)換為中頻信號，中頻信號經(jīng)過ADC轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，經(jīng)過數(shù)字算法處理后，再送入DAC轉(zhuǎn)換成中頻，再進(jìn)行了變頻為射頻信號發(fā)射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原則：優(yōu)先兼顧ADC、DAC前端模擬電路，嚴(yán)格按照原理圖電路順序呈一字型對ADC、DAC前端模擬電路布局。2、ADC、DAC本身通道要分開，不同通道的ADC、DAC也要分開。3、ADC、DAC前端模擬電路放置在模擬區(qū)，ADC、DAC數(shù)字輸出電路放置在數(shù)字區(qū)，因此，ADC、DAC器件實際上跨區(qū)放置，一般在A/D之間將模擬地和數(shù)字地相連或加磁珠處理。4、如果有多路模擬輸入或者多路模擬輸出的情況，在每路之間也要做地分割處理，然后在芯片處做單點接地處理。5、開關(guān)電源、時鐘電路、大功率器件遠(yuǎn)離ADC、DAC器件和信號。6、時鐘電路對稱放置在ADC、DAC器件中間。7、發(fā)送信號通常比接收信號強(qiáng)很多。因此，對發(fā)送電路和接收電路必須進(jìn)行隔離處理，否則微弱的接收信號會被發(fā)送電路串過來的強(qiáng)信號所干擾，可通過地平面進(jìn)行屏蔽隔離，對ADC、DAC器件增加屏蔽罩，或者使發(fā)送電路遠(yuǎn)離接收電路，截斷之間的耦合途徑。湖北打造PCB設(shè)計銷售電話PCB設(shè)計布局以及整體思路。

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的，數(shù)據(jù)信號與選通信號是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關(guān)系，要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長為20Mil，不同組的等長范圍為200Mil，時鐘線和數(shù)據(jù)線的等長范圍≤1000Mil。3、對于DDR信號，需要注意串?dāng)_的影響，布線時拉開與同層相鄰信號的間距，時鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線內(nèi)或地址線和控制線內(nèi)保證2W線寬；如果兩個信號層相鄰，要使相鄰兩層的信號走線正交。

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應(yīng)在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設(shè)置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設(shè)計指導(dǎo)。PCB布局設(shè)計中布線的設(shè)計技巧。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。PCB設(shè)計中FPGA管腳的交換注意事項。宜昌正規(guī)PCB設(shè)計加工

在PCB設(shè)計中如何繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板？鄂州正規(guī)PCB設(shè)計批發(fā)

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設(shè)計進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時，在電源入口處通過將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過經(jīng)過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進(jìn)行供電，因為其電流小、紋波小，而DC/DC會引入較大開關(guān)電源噪聲，嚴(yán)重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應(yīng)該采用LDO進(jìn)行供電。鄂州正規(guī)PCB設(shè)計批發(fā)

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