深圳什么是PCB培訓走線

來源: 發(fā)布時間:2023-12-02

絲印調(diào)整,子流程:設(shè)置字符格式→調(diào)整器件字符→添加特殊字符→添加特殊絲印。設(shè)置字符格式,字符的寬度/高度:1/3盎司、1/2盎司(基銅):4/23Mil(推薦設(shè)計成4/25Mil);1盎司(基銅):5/30Mil;2盎司(基銅):6/45Mil;字高與字符線寬之比≥6:1。調(diào)整器件字符(1)字符與阻焊的間距≥6Mil。字符之間的距離≥6Mil,距離板邊≥10Mil;任何字符不能重疊且不能被元器件覆蓋。(2)絲印字符陰字線寬≥8mil;(3)字符只能有兩個方向,排列應(yīng)遵循正視時位號的字母數(shù)字排序為從左到右,從下到上。(4)字符的位號要與器件一一對應(yīng),不能顛倒、變換順序,每個元器件上必須標出位號不可缺失,對于高密度板,可將位號標在PCB其他有空間的位置,用箭頭加圖框表示或者字符加圖框表示,如下圖所示。字符擺放完成后,逐個高亮器件,確認位號高亮順序和器件高亮順序一致。高頻元器件的間隔要充分。深圳什么是PCB培訓走線

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PCB培訓課程通常從PCB基礎(chǔ)知識講解開始,介紹PCB的起源、發(fā)展歷程以及相關(guān)的物理原理。通過學習PCB的結(jié)構(gòu)、材料以及層次設(shè)計,學員可以逐步了解不同類型的PCB及其特點,并能夠根據(jù)具體需求靈活設(shè)計和選擇適合的電路板。此外,PCB培訓還注重培養(yǎng)學員的實操能力,通過實際操作各種設(shè)計軟件和設(shè)備,讓學員親自設(shè)計和制作電路板。這樣的實踐環(huán)節(jié)不僅讓學員熟悉常用的PCB設(shè)計軟件,還能夠培養(yǎng)其解決實際問題的能力。還能夠培養(yǎng)其解決實際問題的能力。什么是PCB培訓廠家盡可能縮短高頻元器件之間的連接,設(shè)法減少他們的分布參數(shù)及和相互間的電磁干擾。

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整體布局整體布局子流程:接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括:常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。(1)常見接口模塊:常用外設(shè)接口有:USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對應(yīng)的接口擺放,采用“先防護后濾波”的思路擺放接口保護器件,常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計指導。(2)電源接口模塊:根據(jù)信號流向依次擺放保險絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件,按照附表4-8,留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距,參考附表4-8。(3)射頻接口模塊:靠近射頻接口擺放,留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm,器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設(shè)計指導。(5)連接器模塊:驅(qū)動芯片靠近連接器放置。

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓撲結(jié)構(gòu),在布局時保證緊湊的布局,即控制器與DDR芯片緊湊布局,需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的,串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的,數(shù)據(jù)信號與選通信號是分組的;如8位數(shù)據(jù)DQ信號+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號組成一組,如是32位數(shù)據(jù)信號將分成4組,如是64位數(shù)據(jù)信號將分成8組,每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓撲結(jié)構(gòu)的一致性和長度上匹配,這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關(guān)系,要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組(DQS、DM、DQ[7:0])組內(nèi)等長為20Mil,不同組的等長范圍為200Mil,時鐘線和數(shù)據(jù)線的等長范圍≤1000Mil。時鐘線垂直于I/O線比平行I/O線干擾小,時鐘元件引腳需遠離I/O電纜。

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導入網(wǎng)表(1)原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計,在原理圖中生成網(wǎng)表,并導入到新建PCBLayout文件中,確認網(wǎng)表導入過程中無錯誤提示,確保原理圖和PCB的一致性。(2)原理圖和PCB文件為工程文件的,把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中,執(zhí)行更新網(wǎng)表操作。(3)將導入網(wǎng)表后的PCBLayout文件中所有器件無遺漏的全部平鋪放置,所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內(nèi)。(4)為確保原理圖和PCB的一致性,需與客戶確認軟件版本,設(shè)計時使用和客戶相同軟件版本。(5)不允許使用替代封裝,資料不齊全時暫停設(shè)計;如必須替代封裝,則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。對A/D類器件,數(shù)字部分與模擬部分地線寧可統(tǒng)一也不要交*。湖北設(shè)計PCB培訓走線

在通常情況下,所有的元件均應(yīng)布置在電路板的同一面上。深圳什么是PCB培訓走線

存儲模塊介紹:存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下:DDR采用TSSOP封裝技術(shù),而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高,缺點是傳導效果差,容易受干擾,散熱不理想,而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧,體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,有效地縮短信號傳輸距離,在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量,封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高,從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,其制造工藝都在不斷改善,更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好,成本更低;DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,而DDR2采用了0.09微米制造工藝,DDR3則采用了全新65nm制造工藝,而DDR4使用20nm以下的工藝來制造,從DDR~DDR4的具體參數(shù)如下表所示。深圳什么是PCB培訓走線