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來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-02-23

壓敏電阻的金屬氧化較常見的壓敏電阻是金屬氧化物壓敏電阻(MOV,MetalOxideVaristor),它包含由氧化鋅顆粒與少量其他金屬氧化物或聚合物間隔構(gòu)成的陶瓷塊,夾于兩金屬片間。顆粒與鄰近氧化物交界處會(huì)形成二極管效應(yīng),由于有大量雜亂顆粒,使得它等同于一大堆背向相連的二極管,低電壓時(shí)只有很小的逆向漏電電流,當(dāng)遇到高電壓時(shí),二極管因熱電子與隧道效應(yīng)而發(fā)生逆向崩潰,流通大電流。因此,壓敏電阻的電流-電壓特性曲線具有高度的非線性:低電壓時(shí)電阻高、高電壓時(shí)電阻低。由于主要成份或品牌的不同,金屬氧化物壓敏電阻有時(shí)還可以看到這些名稱:ZNR(Zinc-OxideNon-linearResistor,氧化鋅非線性電阻)、ZOV(Zinc-oxideVaristor)、CNR(CompositeNonlinearResistor[2]),TNR(Titanium-oxidebasedNon-linearResistor,氧化鈦非線性電阻,不過也可能是ToshibaNon-linearResistor,東芝公司的非線性電阻等等。接地就是將靜電通過一條線的連接放入大地,這是防靜電措施中**直接有效的。ESD5342N

壓敏電阻的選用及注意事項(xiàng) 選用壓敏電阻器前,應(yīng)先了解以下相關(guān)技術(shù)參數(shù):標(biāo)稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下,壓敏電阻器兩端的電壓值  。漏電流是指在25℃條件下,當(dāng)施加較大連續(xù)直流電壓時(shí),壓敏電阻器中流過的電流值。等級(jí)電壓是指壓敏電阻中通過8/20等級(jí)電流脈沖時(shí)在其兩端呈現(xiàn)的電壓峰值   。通流量是表示施加規(guī)定的脈沖電流(8/20μs)波形時(shí)的峰值電流 。浪涌環(huán)境參數(shù)包括較大浪涌電流Ipm(或較大浪涌電壓Vpm和浪涌源阻抗Zo)、浪涌脈沖寬度Tt、相鄰兩次浪涌的較小時(shí)間間隔Tm以及在壓敏電阻器的預(yù)定工作壽命期內(nèi),浪涌脈沖的總次數(shù)N等。SESD9D12VESD(Electro-Static discharge)的意思是“靜電釋放”。

仍然有很多電子工程師對(duì)靜電的產(chǎn)生及防護(hù)了解還不夠,往往把靜電阻抗器(ESD)和用于一般電壓保護(hù)的壓敏電阻(EMD)混為一談。壓敏電阻的電容高(較低都在100pf以上),使它在很多情況下不能在信號(hào)傳輸線路中使用。電容和導(dǎo)線電感形成一個(gè)低通電路,會(huì)使信號(hào)極大地衰減。但頻率大約在30kHz以下的衰減可以忽略不計(jì)。但是對(duì)于要求通過USB端口與計(jì)算機(jī)連接的大多數(shù)碼產(chǎn)品來說,一旦連接端口的電容值大于5pf時(shí),往往會(huì)引起數(shù)據(jù)傳輸出錯(cuò)或失敗。

靜電保護(hù) 1. 概述 隨著多媒體應(yīng)用在每個(gè)人的日常生活中扮演的角色日益增長,計(jì)算機(jī)與消費(fèi)電子之間的關(guān)系也日益密切,對(duì)便攜性和功能性方面的增長會(huì)有持續(xù)性的需求。這就要求元件有更高的集成度——總的趨勢卻是導(dǎo)致敏感而昂貴的芯片,由于存在外部接口的ESD 浪涌而遭到損壞的風(fēng)險(xiǎn)也在增長。 為了抵消這種風(fēng)險(xiǎn),Philips 提供了一系列寬范圍的完整分立產(chǎn)品,致力于保護(hù)、消除和濾波所有相關(guān)的I/O 端口。 作為USB 開發(fā)者論壇的關(guān)鍵成員,Philips 提供了多種保護(hù)解決方案,包括用于USB 接口的濾波和消除器件,范圍從主板到筆記本。靜電在多個(gè)領(lǐng)域造成嚴(yán)重危害。

應(yīng)用領(lǐng)域:并行打印端口 對(duì)于傳統(tǒng)的并行端口(IEEE 1284),Philips 提供了多種ESD 保護(hù)二極管組,他們集成在一個(gè)很小的SMD 封裝里,從4 線到18 線不等的ESD 保護(hù)。與離散的二極管相比,這種ESD 的箝位性能更加優(yōu)良。 IEEE 1284 接口ESD 芯片重要特性 15 kV 接觸ESD 保護(hù)。 低的泄漏電流5 nA。 很低的電容16 pF。 2、 單獨(dú)的音頻/視頻接口 3、 應(yīng)用領(lǐng)域:筆記本,PC 主板,聲音和圖像卡 外部接口開放的音頻信號(hào)線需要ESD 保護(hù)去驅(qū)動(dòng)音頻芯片。Philips 提供了一款小巧的 通道ESD 保護(hù)器件,以較低的綜合成本給消費(fèi)者較大的利益。 4、 PRTR5V0U4D 重要特性8 kV 接觸ESD 保護(hù)。低的1 pF 的電容。 5、 PRTR5V0L4UW 重要特性嘜芯電子設(shè)有專業(yè)的EMC測試中心,為客戶提供測試、方案設(shè)計(jì)與整改及技術(shù)支持。ESD11H5.0C-S10T

體電阻率:體電阻率是通過材料厚度的電阻值,單位是Ω·cm。ESD5342N

USB2.0協(xié)議具有100Mbps的快速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速率。因此,當(dāng)采用具有SurgX技術(shù)(圖2b)的低電容聚合物器件進(jìn)行保護(hù)時(shí),一個(gè)配備了USB2.0功能的器件將具有較佳性能。這將比使用齊納二極管或多層變阻器時(shí)產(chǎn)生更少的數(shù)據(jù)失真。另外,許多新型消費(fèi)電子器件能執(zhí)行快速的IEEE-1394/1394b(Fireware)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換協(xié)議。這種非常高的數(shù)據(jù)速率(1600Mbps,1394b)要求低電容ESD壓制器,例如聚合物浪涌器件(圖2c)。測試數(shù)據(jù)表明,聚合物ESD壓制器帶來的信號(hào)失真比硅二極管器件保護(hù)Firewire端口產(chǎn)生的更少。ESD另外還有一個(gè)意思是emergencyshutdowndevice緊急停車系統(tǒng)。ESD5342N

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標(biāo)簽: ESD 靜電 二極管