實際應用中可以用下面的一個電阻+一個壓敏電阻的方式。他既有低通濾波器的功能，又有壓敏電阻的功能，還有電阻串聯(lián)限流的功能。是性價比較好的防護方式，對于高阻信號可以采用1K電阻+50PF壓敏；對于耳機等音頻輸出信號可以采用100歐電阻+壓敏電阻；對于TP信號串聯(lián)電阻不能太大否則影響TP的線性，可以采用10歐電阻。雖然電阻小了，低通濾波器效果已經沒有了，但限流作用還是很重要的。增加吸收回路可以在敏感信號附件增加地的漏銅，來吸收靜電。道理和避雷針原理一樣。在信號線上放置前列放電點（火花隙）在山寨手機設計中也經常應用。將 TVS 二極管放置在信號線及接地間，能避免數據及控制總線受到不必要的噪音影響。靜電二極管生產商
電路級ESD的防護方法1、并聯(lián)放電器件常用的放電器件有TVS，齊納二極管，壓敏電阻，氣體放電管等1.1齊納二極管（ZenerDiodes，也稱穩(wěn)壓二極管）：利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護ESD敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十pF的電容，這對于高速信號（例如500MHz）而言，會引起信號畸變。齊納二極管對電源上的浪涌也有很好的吸收作用。1.2、瞬變電壓消除器TVS(TransientVoltageSuppressor)：TVS是一種固態(tài)二極管，專門用于防止ESD瞬態(tài)電壓破壞敏感的半導體器件。與傳統(tǒng)的齊納二極管相比，TVS二極管P/N結面積更大，這一結構上的改進使TVS具有更強的高壓承受能力，同時也降低了電壓截止率，因而對于保護手持設備低工作電壓回路的安全具有更好效果。靜電二極管生產商人體靜電防護系統(tǒng)具有靜電泄放，中和與屏蔽等功能。
場效應管：場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
瞬變二極管：瞬變二極管又稱瞬態(tài)抑制二極管(TVS，TransientVoltageSuppressors)，二極管中較常用的一種，是一種好的品質的突波吸收器，以二極管（伏安特性）為主要，是國際上普遍使用的一種高效能電路保護器件，它的外型與普通二極管相同，但卻能吸收高達數千瓦的浪涌功率。瞬變二極管工作原理不是降低電流變化速率，而是提供一個電流的額外通路。電路中有感性元件（比如說電感線圈、繼電器之類）的時候，當電路電壓過大時，可能會擊穿開關或者燒壞電路，這時通過這個二極管提供電流通路，TVS將多余的電釋放掉，但不全放電，不導通，就不會發(fā)生擊穿的現象。瞬態(tài)抑制二極管的作用有：（1）將TVS二極管加在信號及電源線上，能防止微處理器或單片機因瞬間的肪沖，如靜電放電效應、交流電源之浪涌及開關電源的噪音所導致的失靈。（2）靜電放電效應能釋放超過10000V、60A以上的脈沖，并能持續(xù)10ms；而一般的TTL器件，遇到超過30ms的10V脈沖時，便會導至損壞。利用TVS二極管，可有效吸收會造成器件損壞的脈沖，并能消除由總線之間開關所引起的干擾（Crosstalk）。（3）將TVS二極管放置在信號線及接地間，能避免數據及控制總線受到不必要的噪音影響。1981年成立了中國物理學會靜電專業(yè)委員會并召開了一次全國靜電學術會議。
在做ESD放電測試時通常采用兩種方法：接觸放電和空氣放電。接觸放電就是直接對待測設備進行放電;空氣放電也稱為間接放電，是強磁場對鄰近電流環(huán)路耦合產生。這兩種測試的測試電壓一般為2KV-8KV，同地區(qū)要求不一樣，因此在設計之前，先要弄清楚產品針對的市場。以上兩種情況是針對人體在接觸到電子產品時，因人體帶電或其他原因引起電子產品不能工作而進行的基本測試。全球各地的濕度情況不一樣，但是同時在一個地區(qū)，若空氣濕度不一樣，產生的靜電也不相同。通過搜集到數據從中可以看出靜電隨著空氣濕度的減小而變大。這也間接的說明北方的冬天，脫毛衣時產生的靜電火花很大的原因。靜電學主要研究靜電應用技術，如靜電除塵、靜電復印、靜電生物效應等。羅湖靜電保護二極管價格
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在ESD設計中我們會采用以下方法中的一種或幾種來進行靜電保護：（1）火花間隙法。這種方法是在一份材料中看到的，具體做法是在銅皮構成的微帶線層使用前列相互對準的三角銅皮構成，三角銅皮一端連接在信號線，另一個三角銅皮連接地。當有靜電時會產生前列放電進而消耗電能。（2）雪崩二極管來進行靜電保護。這是設計中經常用到的一種方法，典型做法就是在關鍵信號線并聯(lián)一雪崩二極管到地。該法是利用雪崩二極管快速響應并且具有穩(wěn)定鉗位的能力，可以在較短的時間內消耗聚集的高電壓進而保護電路板。（3）采用有鉗位二極管的CMOS器件或者TTL器件進行電路的保護。這種方法是利用了隔離的原理進行電路板的保護，由于這些器件有了鉗位二極管的保護，在實際電路設計中減小了設計的復雜度。（4）使用高壓電容進行電路保護。該做法通常將耐壓至少為1.5KV的陶瓷電容放置在I/O連接器或者關鍵信號的位置，同時連接線盡可能的短，以便減小連接線的感抗。若采用了耐壓低的電容，會引起電容的損壞而失去保護的作用。（5）多采用去耦電容。這些去耦電容要有低的ESL和ESR數值，對于低頻的ESD來說，去耦電容減小了環(huán)路的面積，由于其ESL的作用使電解質作用減弱，可以更好的濾除高頻能量。靜電二極管生產商
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