南山區(qū)高壓整流二極管廠家

來源: 發(fā)布時間:2021-09-04

電路級ESD防護方法1、并聯(lián)放電器件常用的放電器件有TVS,齊納二極管,壓敏電阻,氣體放電管等1.1齊納二極管(ZenerDiodes,也稱穩(wěn)壓二極管):利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護ESD敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十pF的電容,這對于高速信號(例如500MHz)而言,會引起信號畸變。齊納二極管對電源上的浪涌也有很好的吸收作用。1.2、瞬變電壓消除器TVS(TransientVoltageSuppressor):TVS是一種固態(tài)二極管,專門用于防止ESD瞬態(tài)電壓破壞敏感的半導體器件。與傳統(tǒng)的齊納二極管相比,TVS二極管P/N結(jié)面積更大,這一結(jié)構(gòu)上的改進使TVS具有更強的高壓承受能力,同時也降低了電壓截止率,因而對于保護手持設(shè)備低工作電壓回路的安全具有更好效果。半導體二極管在電路中的使用能夠起到保護電路,延長電路壽命等作用。南山區(qū)高壓整流二極管廠家

    快速恢復二極管(FastRecoveryDiode)是一種新型的半導體二極管。這種二極管的開關(guān)特性好,反相恢復時間短,通常用于高頻開關(guān)電源中作為整流二極管。快速恢復二極管的特點就是它的恢復時間很短,這一特點使其適合高頻(如電視機中的行頻)整流??焖倩謴投O管有一個決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復時間。反向恢復時間的定義是,二極管從正向?qū)顟B(tài)急劇轉(zhuǎn)換到截止狀態(tài),從輸出脈沖下降到零線開始。到反向電源恢復到大反向電流的10%所需要的時間,用符號表示。超快速恢復二極管(SRD)是在快速恢復二極管的基礎(chǔ)上研制的,它們的主要區(qū)別就是反向恢復時間更小。普通快速恢復二極管的反向恢復時間為幾百納秒,超快速恢復二極管(SRD)的反向恢復時間一般為幾十納秒。數(shù)值越小的快速恢復二極管的工作頻率越高。當工作頻率在幾十至幾百kHz時,普通整流二極管正反向電壓變化的時間慢于恢復時間,普通整流二極管就不能正常實現(xiàn)單向?qū)ǘM行整流工作了.此時就要用快速恢復整流二極管才能勝任,因此,彩電等家用電器采用開關(guān)電源供電的整流二極管通常為快速恢復二極管,而不能用普通整流二極管代替,否則,用電器可能會不能正常工作。 南山區(qū)ESD二極管特性外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流。

變?nèi)荻O管(英文名稱variable—CacitanceDiode,縮寫為VCD)是利用反向偏壓來改變PN結(jié)電容量的特殊半導體器件。變?nèi)荻O管相當于一個容量可變的電容器,它的兩個電極之間的PN結(jié)電容大小,隨加到變?nèi)荻O管兩端反向電壓大小的改變而變化。當加到變?nèi)荻O管兩端的反向電壓增大時,變?nèi)荻O管的容量減小。由于變?nèi)荻O管具有這一特性,所以它主要用于電調(diào)諧回路(如彩色電視機的高頻頭)中,作為一個可以通過電壓控制的自動微調(diào)電容器。選用變?nèi)荻O管時,應(yīng)著重考慮其工作頻率、高反向工作電壓、大正向電流和零偏壓結(jié)電容等參數(shù)是否符合應(yīng)用電路的要求,應(yīng)選用結(jié)電容變化大、高Q值、反向漏電流小的變?nèi)荻O管。

多層板進行ESD防護當資金允許的情況下,選擇多層板也是一種有效防止ESD的一種手段。在多層板中,由于有了一個完整的地平面靠近走線,這樣可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上,進而保護關(guān)鍵信號的作用。電路板外面留保護帶的方法保護法這種方法通常是在電路板周圍畫出不加組焊層的走線。在條件允許的情況下將該走線連接至外殼,同時要注意該走線不能構(gòu)成一個封閉的環(huán),以免形成環(huán)形天線而引入更大的麻煩。采用有鉗位二極管的CMOS器件或者TTL器件進行電路的保護這種方法是利用了隔離的原理進行電路板的保護,由于這些器件有了鉗位二極管的保護,在實際電路設(shè)計中減小了設(shè)計的復雜度。多采用去耦電容些去耦電容要有低的ESL和ESR數(shù)值,對于低頻的ESD來說,去耦電容減小了環(huán)路的面積,由于其ESL的作用使電解質(zhì)作用減弱,可以更好的濾除高頻能量。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。

ESD靜電二極管參數(shù)詳解?VRWM:反向截止電壓、通俗地講,就是ESD允許施加的最大工作電壓,在該電壓下ESD處于截止狀態(tài),此時ESD的漏電流很小,為幾微安甚至更低。?VBR:擊穿電壓,擊穿電壓是ESD要開始動作(雪崩擊穿)的電壓,一般在規(guī)定的電流下測量,通常在大小為1mA的電流下測量。?IR:反向漏電流,即在ESD器件兩端施加VRWM電壓下測得ESD的漏電流。?IPP:峰值脈沖電流,一般采用8/20μs的波形測量。?VC:鉗位電壓,在給定大小的IPP下測得ESD兩端的電壓。大部分ESD產(chǎn)品VC與VBR及IPP成正比關(guān)系。?CJ:結(jié)電容,ESD的結(jié)電容與ESD的芯片面積、工作電壓有關(guān)系。對于相同電壓ESD產(chǎn)品,芯片面積越大結(jié)電容越大;對于相同芯片面積的ESD,工作電壓越高結(jié)電容就越低。二極管在集成電路中的作用很多,維持著集成電路正常工作。廣州高壓整流二極管電壓

開關(guān)二極管還有一個特性就是開關(guān)的速度很快。這是傳統(tǒng)開關(guān)所無法比擬的。南山區(qū)高壓整流二極管廠家

二極管的種類二極管有多種類型:按材料分,有鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按制作工藝可分為面接觸二極管和點接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管、開關(guān)二極管、快速恢復二極管等;接構(gòu)類型來分,又可分為半導體結(jié)型二極管,金屬半導體接觸二極管等;按照封裝形式則可分為常規(guī)封裝二極管、特殊封裝二極管等。下面以用途為例,介紹不同種類二極管的特性。南山區(qū)高壓整流二極管廠家

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