肖特基二極管是肖特基勢壘二極管(SehottkyBarrierDiode，簡稱SBD)的簡稱。足近年來生產(chǎn)的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時問極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航?0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培，這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無法比擬的。肖特基二極管是用貴重金屬(金、銀、鋁、鉑等)為正極，以N型半導(dǎo)體為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬一半導(dǎo)體器件。肖特基二極管通常用在高頻、大電流、低電壓整流電路中ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間；龍華區(qū)發(fā)光二極管特性
TVS二極管的瞬態(tài)功率和瞬態(tài)電流性能與結(jié)的面積成正比。該二極管的結(jié)具有較大的截面積，可以處理閃電和ESD所引起的高瞬態(tài)電流。TVS也會有結(jié)電容，通常0.3個pF到幾十個pF。TVS有單極性的和雙極性的，使用時要注意。手機上用的TVS大約0.01$，低容值的約2-3分$。多層金屬氧化物結(jié)構(gòu)器件(MLV)：大陸一般稱為壓敏電阻。MLV也可以進行有效的瞬時高壓沖擊，此類器件具有非線性電壓-電流(阻抗表現(xiàn))關(guān)系，截止電壓可達當初中止電壓的2～3倍。這種特性適合用于對電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪涌保護，如電源回路，按鍵輸入端等。手機用壓敏電阻約0.0015$,大約是TVS價格的1/6，但是防護效果沒有TVS好，且壓敏電阻有壽命老化。羅湖區(qū)發(fā)光二極管是什么二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。
從正向電壓變成反向電壓時，理想情況是電流能瞬時截止，實際上，一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量，就是反向恢復(fù)時間。雖然它直接影響二極管的開關(guān)速度，但不一定說這個值小就好。6．大功率大功率就是加在二極管兩端的電壓乘以流過的電流。這個極限參數(shù)對穩(wěn)壓二極管等顯得特別重要。反向電流()是指二極管在規(guī)定的溫度和高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2APl型鍺二極管，在25℃時，反向電流為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會使管子過熱而損壞。硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。
由于半導(dǎo)體二極管存正向偏樂下導(dǎo)通電阻很小。而在施加反向偏壓截止時。截止電阻很大，存開關(guān)電路中利用半導(dǎo)體二極管的這種單向?qū)щ娞匦跃涂梢詫﹄娏髌鸾油ê完P(guān)斷的作用，故把用于這一目的的半導(dǎo)體二極管稱為開關(guān)二極管。開關(guān)二極管主要應(yīng)用于收錄機、電視機、影碟機等家用電器及電子設(shè)備有開關(guān)電路、檢波電路、高頻脈沖整流電路等。中速開關(guān)電路和檢波電路可以選用2AK系列普通開關(guān)二極管。高速開關(guān)電路可以選用RLS系列、1sS系列、1N系列、2CK系列的高速開關(guān)二極管。要根據(jù)應(yīng)用電路的主要參數(shù)(例如正向電流、高反向電壓、反向恢復(fù)時問等)來選擇開關(guān)二極管的具體型號。平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管使用時PN結(jié)面積小，用于大功率整流時PN結(jié)面積較大。
瞬變二極管：瞬變二極管又稱瞬態(tài)抑制二極管(TVS，TransientVoltageSuppressors)，二極管中較常用的一種，是一種好的品質(zhì)的突波吸收器，以二極管（伏安特性）為主要，是國際上普遍使用的一種高效能電路保護器件，它的外型與普通二極管相同，但卻能吸收高達數(shù)千瓦的浪涌功率。瞬變二極管工作原理不是降低電流變化速率，而是提供一個電流的額外通路。電路中有感性元件（比如說電感線圈、繼電器之類）的時候，當電路電壓過大時，可能會擊穿開關(guān)或者燒壞電路，這時通過這個二極管提供電流通路，TVS將多余的電釋放掉，但不全放電，不導(dǎo)通，就不會發(fā)生擊穿的現(xiàn)象。瞬態(tài)抑制二極管的作用有：（1）將TVS二極管加在信號及電源線上，能防止微處理器或單片機因瞬間的肪沖，如靜電放電效應(yīng)、交流電源之浪涌及開關(guān)電源的噪音所導(dǎo)致的失靈。（2）靜電放電效應(yīng)能釋放超過10000V、60A以上的脈沖，并能持續(xù)10ms；而一般的TTL器件，遇到超過30ms的10V脈沖時，便會導(dǎo)至損壞。利用TVS二極管，可有效吸收會造成器件損壞的脈沖，并能消除由總線之間開關(guān)所引起的干擾（Crosstalk）。（3）將TVS二極管放置在信號線及接地間，能避免數(shù)據(jù)及控制總線受到不必要的噪音影響。半導(dǎo)體二極管的發(fā)展，使得集成電路更加優(yōu)化，在各個領(lǐng)域都起到了積極的作用。光明區(qū)瞬變抑制二極管參數(shù)
發(fā)光二極管在汽車以及大型機械中得到廣泛應(yīng)用。龍華區(qū)發(fā)光二極管特性
變?nèi)荻O管：變?nèi)荻O管(VaractorDiodes)為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴散電容效應(yīng)；當外加反向偏壓時，則會產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生，所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。變?nèi)荻O管也稱為壓控變?nèi)萜鳎歉鶕?jù)所提供的電壓變化而改變結(jié)電容的半導(dǎo)體。也就是說，作為可變電容器，可以被應(yīng)用于FM調(diào)諧器及TV調(diào)諧器等諧振電路和FM調(diào)制電路中。其實我們可以把它看成一個PN結(jié)，我們想，如果在PN結(jié)上加一個反向電壓V（變?nèi)荻O管是反向來用的），則N型半導(dǎo)體內(nèi)的電子被引向正極，P型半導(dǎo)體內(nèi)的空穴被引向負極，然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層，該耗盡層的寬度我們設(shè)為d，隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來，反向電壓V增大，則耗盡層d變寬，二極管的電容量C就減少（根據(jù)C=kS/d），而反向電壓減小，則耗盡層寬d變窄，二極管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化，從而改變了壓控變?nèi)萜鞯慕Y(jié)容量C。達到了目的。龍華區(qū)發(fā)光二極管特性
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