廣州專業(yè)靜電保護(hù)二極管生產(chǎn)廠家

ESD靜電二極管選型事項(xiàng)

1）ESD一般用于各類通信端口靜電防護(hù)，在一些高速數(shù)據(jù)線路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD靜電保護(hù)二極管的結(jié)電容應(yīng)盡量選擇小的，以避免影響通信質(zhì)量；

2）ESD有單向（A）和雙向（C）之分，根據(jù)工作的信號進(jìn)行選擇，單極性的信號可以選擇單向的ESD或雙向的ESD，雙極性的信號要選擇雙向的ESD；

3）具體選擇什么型號的ESD靜電二極管做靜電防護(hù)，還需要在專業(yè)的電子工程師指導(dǎo)下選擇。

ESD靜電釋放，在日常生活中是一種很常見的現(xiàn)象，但是對電子元器件或集成電路系統(tǒng)來說，卻是致命性的元兇。
嘜芯電子設(shè)有專業(yè)的EMC測試中心，為客戶提供測試、方案設(shè)計(jì)與整改及技術(shù)支持。廣州專業(yè)靜電保護(hù)二極管生產(chǎn)廠家

      TVS二極管的瞬態(tài)功率和瞬態(tài)電流性能與結(jié)的面積成正比。該二極管的結(jié)具有較大的截面積，可以處理閃電和ESD所引起的高瞬態(tài)電流。TVS也會有結(jié)電容，通常0.3個pF到幾十個pF。TVS有單極性的和雙極性的，使用時(shí)要注意。手機(jī)上用的TVS大約0.01$，低容值的約2-3分$。

      多層金屬氧化物結(jié)構(gòu)器件(MLV)：大陸一般稱為壓敏電阻。MLV也可以進(jìn)行有效的瞬時(shí)高壓沖擊，此類器件具有非線性電壓-電流(阻抗表現(xiàn))關(guān)系，截止電壓可達(dá)當(dāng)初中止電壓的2～3倍。這種特性適合用于對電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪涌保護(hù)，如電源回路，按鍵輸入端等。手機(jī)用壓敏電阻約0.0015$,大約是TVS價(jià)格的1/6，但是防護(hù)效果沒有TVS好，且壓敏電阻有壽命老化。 廣州專業(yè)靜電保護(hù)二極管生產(chǎn)廠家潛在性損傷是器件部分被損，功能尚未喪失，在生產(chǎn)過程的檢測中不能發(fā)現(xiàn)，在使用當(dāng)中會使產(chǎn)品變得不穩(wěn)定。

靜電防護(hù)方法

（ 1)靜電防護(hù)中所使用的材料

 靜電防護(hù)原則上不使用金屬導(dǎo)體，因?qū)w泄放電流大，會造成器件的損壞。一般以在橡膠中混入導(dǎo)電炭黑作為常用的靜電防護(hù)材料。

（2)泄放與接地

對可能產(chǎn)生或已經(jīng)產(chǎn)生靜電的部位，應(yīng)提供通道使靜電即時(shí)泄放，即通常所說的接地。通常在防靜電工程中，均單獨(dú)建立“地線”工程。

（ 3)導(dǎo)體帶靜電的消除

 導(dǎo)體上的靜電可以用接地的方法，將其泄放到大地。

（ 4)非導(dǎo)體帶靜電的消除

 對于絕緣體上的靜電，由于電荷不能在絕緣體上流動，故不能用接地的方法排除其靜電荷。

在ESD設(shè)計(jì)中我們會采用以下方法中的一種或幾種來進(jìn)行靜電保護(hù)：

（1）火花間隙法。這種方法是在一份材料中看到的，具體做法是在銅皮構(gòu)成的微帶線層使用前列相互對準(zhǔn)的三角銅皮構(gòu)成，三角銅皮一端連接在信號線，另一個三角銅皮連接地。當(dāng)有靜電時(shí)會產(chǎn)生前列放電進(jìn)而消耗電能。

（2）雪崩二極管來進(jìn)行靜電保護(hù)。這是設(shè)計(jì)中經(jīng)常用到的一種方法，典型做法就是在關(guān)鍵信號線并聯(lián)一雪崩二極管到地。該法是利用雪崩二極管快速響應(yīng)并且具有穩(wěn)定鉗位的能力，可以在較短的時(shí)間內(nèi)消耗聚集的高電壓進(jìn)而保護(hù)電路板。

（3）采用有鉗位二極管的CMOS器件或者TTL器件進(jìn)行電路的保護(hù)。這種方法是利用了隔離的原理進(jìn)行電路板的保護(hù)，由于這些器件有了鉗位二極管的保護(hù)，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中減小了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。

（4）使用高壓電容進(jìn)行電路保護(hù)。該做法通常將耐壓至少為1.5KV的陶瓷電容放置在I/O連接器或者關(guān)鍵信號的位置，同時(shí)連接線盡可能的短，以便減小連接線的感抗。若采用了耐壓低的電容，會引起電容的損壞而失去保護(hù)的作用。

（5）多采用去耦電容。這些去耦電容要有低的ESL和ESR數(shù)值，對于低頻的ESD來說，去耦電容減小了環(huán)路的面積，由于其ESL的作用使電解質(zhì)作用減弱，可以更好的濾除高頻能量。 ESD是20世紀(jì)中期以來形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護(hù)等的學(xué)科。

       變?nèi)荻O管：變?nèi)荻O管(VaractorDiodes)為特殊二極管的一種。當(dāng)外加順向偏壓時(shí)，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負(fù)極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng)；當(dāng)外加反向偏壓時(shí)，則會產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。

     但因加順向偏壓時(shí)會有漏電流的產(chǎn)生，所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。變?nèi)荻O管也稱為壓控變?nèi)萜?，是根?jù)所提供的電壓變化而改變結(jié)電容的半導(dǎo)體。也就是說，作為可變電容器，可以被應(yīng)用于FM調(diào)諧器及TV調(diào)諧器等諧振電路和FM調(diào)制電路中。

      其實(shí)我們可以把它看成一個PN結(jié)，我們想，如果在PN結(jié)上加一個反向電壓V（變?nèi)荻O管是反向來用的），則N型半導(dǎo)體內(nèi)的電子被引向正極，P型半導(dǎo)體內(nèi)的空穴被引向負(fù)極，然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層，該耗盡層的寬度我們設(shè)為d，隨著反向電壓V的變化而變化。

     如此一來，反向電壓V增大，則耗盡層d變寬，二極管的電容量C就減少（根據(jù)C=kS/d），而反向電壓減小，則耗盡層寬d變窄，二極管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化，從而改變了壓控變?nèi)萜鞯慕Y(jié)容量C。達(dá)到了目的。 靜電防護(hù)工作是一項(xiàng)長期的系統(tǒng)工程，任何環(huán)節(jié)的失誤或疏漏，都將導(dǎo)致靜電防護(hù)工作的失敗。廣州專業(yè)靜電保護(hù)二極管生產(chǎn)廠家

絕緣體往往是易產(chǎn)生靜電的，對絕緣體靜電的消除，用接地方法是無效的，通常采用的方法是離子中和。廣州專業(yè)靜電保護(hù)二極管生產(chǎn)廠家

瞬變二極管選用技巧：

1、對于數(shù)據(jù)接口電路的保護(hù)，還必須注意選取具有合適電容C的TVS瞬變二極管器件。

2、根據(jù)用途選用TVS瞬變二極管的極性及封裝結(jié)構(gòu)。交流電路選用雙極性TVS瞬變二極管較為合理；多線保護(hù)選用TVS瞬變二極管陣列更為有利。

3、溫度考慮。瞬態(tài)電壓壓制器可以在－55~+150℃之間工作。如果需要TVS瞬變二極管在一個變化的溫度工作，由于其反向漏電流ID是隨增加而增大；功耗隨TVS瞬變二極管結(jié)溫增加而下降，從+25℃到+175℃，大約線性下降50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加。 廣州專業(yè)靜電保護(hù)二極管生產(chǎn)廠家

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