二極管的類型二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺二極管(Ge 管)和硅二極管(Si 管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu),又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點接觸型二極管是用一根很細(xì)的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面,通以脈沖電流,使觸絲一端與晶片牢固地?zé)Y(jié)在一起,形成一個“PN 結(jié)”。由于是點接觸,只允許通過較小的電流(不超過幾十毫安),適用于高頻小電流電路,如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN 結(jié)”面積較大,允許通過較大的電流(幾安到幾十安),主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管,它不但能通過較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。 原裝,廠家直銷變?nèi)荻O管就選擇凱軒業(yè)電子有限公司。黑龍江廠家直銷變?nèi)荻O管
早期的二極管也就是半導(dǎo)體的制作工藝是將兩個立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成,現(xiàn)在的二極管和原來相比只是制作工藝更加精確,讓兩個相鄰的不同摻雜區(qū)域組合構(gòu)成,一個區(qū)域是在半導(dǎo)體材料中摻入施主原子產(chǎn)生自由電子的n區(qū)域,另一個是摻入受主原子形成有自由空穴的p型區(qū)域,兩個區(qū)域的交界就是二極管的物理結(jié),其電子結(jié)包括各區(qū)域的狹窄邊緣,稱為耗盡層也就是上面介紹的PN結(jié),二極管的p型區(qū)域為正極,n型區(qū)域則相反,大體結(jié)構(gòu)圖如下。山西變?nèi)荻O管多少錢線性穩(wěn)壓電源,線性穩(wěn)壓電源和整流原理:將380VAC轉(zhuǎn)換為所需的DC。凱軒業(yè)電子。
1N4007的正向壓降為1.0V、較大正向平均整流電流為1.0A、較高反向耐壓為1000V、A105J2ZQ004反向漏電流為5 p,A(較大值)、較大反向峰值電流為30pA,正向壓降是指使二極管能夠?qū)ǖ恼蜉^低電壓,1N4007是一種硅材料整流二極管,在小功率情況下正向?qū)妷杭s為0.6~0.8 V,在大功率情況下,正向壓降往往達(dá)到1V左右;2,平均整流電流是指二極管長期工作時允許通過的較大正向平均電流;3,較高反向耐壓是指當(dāng)二極管反向偏置時,允許加在二極管兩端的反向電壓的較大值,當(dāng)高于這個數(shù)值時,會將二極管擊穿,在交流通路中是指反復(fù)加上的峰值電壓,在直流通路中是指連續(xù)加上的直流電壓;
反向恢復(fù)時間 (trr) 是指開關(guān)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)閉狀態(tài)所經(jīng)過的時間。一般關(guān)斷后電子不能瞬間停止,有一定量的反向電流流過。其漏電流越大損耗也越大。還正在開發(fā)優(yōu)化材料或擴散重金屬從而縮短trr,抑制反沖后振蕩(振鈴)的FRD (Fast Recovery Diode) 等產(chǎn)品。trr是指電壓變?yōu)榉聪蚝?,直到電流變?yōu)榱愕臅r間。trr快速,則可以實現(xiàn)低損耗、高速開關(guān)使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設(shè)計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后,其兩端的電壓基本保持不變。 這樣,當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后,若由于電源電壓發(fā)生波動,或其它原因造成電路中各點電壓變動時,負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。變?nèi)荻O管原裝選深圳市凱軒業(yè)科技有限公司。
3、限幅元件二極管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈3植蛔儯ü韫転?0.7V,鍺管為 0.3V)。利用這一特性,在電路中作為限幅元件,可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。4、繼流二極管在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起繼流作用。5、檢波二極管在收音機中起檢波作用。6、變?nèi)荻O管使用于電視機的高頻頭中。使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設(shè)計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后,其兩端的電壓基本保持不變。 這樣,當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后,若由于電源電壓發(fā)生波動,或其它原因造成電路中各點電壓變動時,負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。 線性穩(wěn)壓電源調(diào)節(jié)濾波后的直流電壓,以使輸入電壓達(dá)到要求的值和精度要求。凱軒業(yè)。黑龍江廠家直銷變?nèi)荻O管
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大體意義上講,PN結(jié)的定義為:采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上,一般半導(dǎo)體的材料選擇為硅或者鍺,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步,首先擴散運動,P區(qū)的空穴濃度遠(yuǎn)大于N區(qū)的自由電子濃度,因此,P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴散,并與N區(qū)中的自由電子復(fù)合而消失;同樣,N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移,并與P區(qū)中的空穴復(fù)合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生,擴散運動導(dǎo)致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負(fù)離子,N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子,這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷,相應(yīng)地這個區(qū)域稱為空間電荷區(qū),較后由于有正離子和負(fù)離子,這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會產(chǎn)生一個內(nèi)電場,內(nèi)電場的產(chǎn)生讓多子的擴散和少子的漂移達(dá)到了一個動態(tài)平衡,較后形成了PN結(jié)。黑龍江廠家直銷變?nèi)荻O管
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