微型激光二極管品牌

激光二極管原理及應用激光二極管參數與原理及應用，激光的產生機理在講激光產生機理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程一時處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為自發(fā)輻射二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為受激輻射三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收自發(fā)輻射，即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子，它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發(fā)生的輻射就是受激輻射，它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣。任何的受激發(fā)光系統，即有受激輻射，也有受激吸收，只有受激輻射占優(yōu)勢，才能把外來光放大而發(fā)出激光。而一般光源中都是受激吸收占優(yōu)勢，只有粒子的平衡態(tài)被打破，使高能態(tài)的粒子數大于低能態(tài)的粒子數(這樣情況稱為離子數反轉)，才能發(fā)出激光。激光二極管就選深圳市凱軒業(yè)科技，竭誠為您服務。微型激光二極管品牌

反向特性在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向導電特性，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。激光二極管的注入電流必須大于臨界電流密度，才能滿足居量反轉條件而發(fā)出激光。臨界電流密度與接面溫度有關，并且間接影響效益。高溫操作時，臨界電流提高，效益降低，甚至損壞組件。特色當激光二極管注入電流在臨界電流密度以下時，發(fā)光機制主要是自發(fā)放射，光譜分散較廣，頻寬大約在100到500埃（埃=10-1奈米，原子直徑的數量級就是幾個?！抵g。但當電流密度超過臨界值時，就開始產生振蕩，***只剩下少數幾個模態(tài)，而頻寬也減小到30埃以下。而且，激光二極管的消耗功率極小，以雙異質結構激光為例，比較大的額定電壓通常低于2伏特，輸入電流則在15到100毫安之間，消耗功率往往不到一瓦特，而輸出功率達數十毫瓦特以上。福建使用激光二極管晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。

②閾值電流Ith：即激光管開始產生激光振蕩的電流，對一般小功率激光管而言，其值約在數十毫安，具有應變多量子阱結構的激光管閾值電流可低至10mA以下。③工作電流Iop：即激光管達到額定輸出功率時的驅動電流，此值對于設計調試激光驅動電路較重要。④工作電壓Vop：是發(fā)出規(guī)定的光輸出時需要的正向電壓。⑤光輸出功率Po：比較大允許的瞬時光學功率輸出。這適用于連續(xù)或脈沖操作模式。⑥暗電流Id：光電二極管反向偏置時的泄漏電流。暗電流既取決于溫度又取決于電壓，理想的二極管/光電二極管在相反的方向上沒有電流。⑦微分效率η：每單位驅動電流的光輸出的增加量。表示在激光振蕩領域相對于正向電流的光輸出直線的傾斜度。⑧垂直發(fā)散角θ⊥：激光二極管的發(fā)光帶在垂直PN結方向張開的角度，一般在15°~40°左右。⑨水平發(fā)散角θ∥：激光二極管的發(fā)光帶在與PN結平行方向所張開的角度，一般在6°~10°左右。⑩監(jiān)控電流Im：即激光管在額定輸出功率時，在PIN管上流過的電流。6、注入電流-光輸出(I-L)的特性及光功率測量下圖是注入電流-光輸出(I-L)特性

、激光二極管本質上是一個半導體二極管，按照PN結材料是否相同，可以把激光二極管分為同質結、單異質結(SH)、雙異質結(DH)和量子(QW)激光二極管。量子阱激光二極管具有闌值電流低，輸出功率高的優(yōu)點，是目前市場應用的主流產品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優(yōu)點，但其輸出功率小(一般小于2mW)，線性差、單色性不太好，使其在有線電視系統中的應用受到很大限制，不能傳輸多頻道，高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中，上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。半導體激光二極管的基本結構如圖所示，垂直于PN結面的一對平行平面構成法布里--珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。主要種類編輯DFB-LDF-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規(guī)產品，向高可靠低價化方向發(fā)展。

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國際上*少數幾家廠商可提供商用產品。優(yōu)化器件結構，有源區(qū)為應變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結構。有源區(qū)附近的光波導區(qū)為DFB光柵，采用一些特殊的設計，如：波紋坡度可調分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續(xù)相移等結構，提高器件性能。生產技術中，金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性，電子束產生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的制作。1550nmDFB-LD開始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光傳輸系統設備，對波長的選擇使DFB-LD在大容量、長距離光纖通信中成為主要光源。在雙向光接收機的回傳模塊中，上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。黑龍江激光二極管的工作原理

極管是如常用的電子元件之一，它比較大的特性就是單向導電，也就是電流只可以從二極管的一個方向流過。微型激光二極管品牌

上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產生的光子通過半導體時，一旦經過已發(fā)射的電子—空穴對附近，就能激勵二者復合，產生新光子，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大，則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布，即粒子數反轉。當有源層內的載流子在大量反轉情況下，少量自發(fā)輻射產生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產生感應輻射，造成選頻諧振正反饋，或者說對某一頻率具有增益。當增益大于吸收損耗時，就可從PN結發(fā)出具有良好譜線的相干光——激光，這就是激光二極管的簡單原理。隨著技術和工藝的發(fā)展，目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構。常用的激光二極管有兩種:①PIN光電二極管。它在收到光功率產生光電流時，會帶來量子噪聲。②雪崩光電二極管。它能夠提供內部放大,比PIN光電二極管的傳輸距離遠，但量子噪聲更大。為了獲得良好的信噪比，光檢測器件后面須連接低噪聲預放大器和主放大器。微型激光二極管品牌

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