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6、平面型二極管在半導體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴散 P 型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地擴散一部分而形成的 PN 結。因此，不需要為調(diào)整 PN 結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。 變?nèi)荻O管選深圳市凱軒業(yè)電子，歡迎━(*｀?′*)ノ亻!親的到來。優(yōu)勢變?nèi)荻O管聯(lián)系方式

8、外延型二極管用外延面長的過程制造 PN 結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。9、肖特基二極管基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N 型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與 PN 結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有 40V 左右。其特長是：開關速度非?？欤悍聪蚧謴蜁r間 trr 特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。優(yōu)勢變?nèi)荻O管聯(lián)系方式原裝芯片，廠家直銷變?nèi)荻O管歡迎新老客戶咨詢。

2、鍵型二極管鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的 PN 結電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于 50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。3、合金型二極管在 N 型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作 PN 結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其 PN 結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流

整流橋是將數(shù)個(兩個或四個)整流二極管封在一起組成的橋式整流器件，主要作用還是把交流電轉換為直流電，也就是整流，因此得名整流橋。整流橋分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起.半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓使用穩(wěn)壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。變?nèi)荻O管深圳市凱軒業(yè)科技有限公司，歡迎親咨詢。

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓VB的一半作為VR。（3）較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數(shù)反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好。（4）擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。（5）正向電壓VF：指二極管正向電壓是電流通過二極管傳導時產(chǎn)生的電壓降。（6）反向恢復時間trr：指在規(guī)定的負載、正向電流及較大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復時間。線性穩(wěn)壓電源，參考電壓源功能原理：提供直流穩(wěn)壓系統(tǒng)電子電路所需的高精度參考電壓源和電源。KXY。遼寧變?nèi)荻O管廠家現(xiàn)貨

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15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的 PN 結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響但為 RC 時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達 100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。優(yōu)勢變?nèi)荻O管聯(lián)系方式