山東光伏行業(yè)陶瓷靶材價(jià)格咨詢

氧化鈮靶材根據(jù)其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達(dá)到99.95%,但對(duì)氧化鈮的物理性能指標(biāo)要求不同。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細(xì)且均勻,成形性能好;旋轉(zhuǎn)靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動(dòng)性及嚴(yán)格的粒度范圍。旋轉(zhuǎn)靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉(zhuǎn)靶材相對(duì)于平面靶材具有很多的優(yōu)點(diǎn)： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以達(dá)到90％; 2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍; 3、有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),因此近年來逐步替代了平面靶材。 針對(duì)國(guó)內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級(jí)高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上,以高純鈮液為原料,通過噴霧干燥造粒的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鈮產(chǎn)品粒度和粒形的控制,制取滿足氧化鈮靶材尤其是氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材生產(chǎn)要求的球形高純氧化鈮產(chǎn)品。產(chǎn)品純度為99.95%、粒形為球形、粒度大小范圍為50-150μm的高純氧化鈮產(chǎn)品。與國(guó)外同行生產(chǎn)廠家以高純氧化鈮產(chǎn)品為原料,需經(jīng)過球磨、制漿、造粒、焙燒的工藝流程相比,具有工藝流程簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低,粒度可控,產(chǎn)品成品率高的特點(diǎn)。產(chǎn)品完全能夠滿足生產(chǎn)氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材的要求。江蘇迪納科精細(xì)材料股份有限公司是一家主要生產(chǎn)和銷售陶瓷，金屬，合金等各類型靶材。山東光伏行業(yè)陶瓷靶材價(jià)格咨詢

主要PVD方法的特點(diǎn)：（3）濺射鍍膜：在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺(tái)專業(yè)性強(qiáng)、精密度高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷。（4）終端應(yīng)用：1）半導(dǎo)體芯片：?jiǎn)卧骷械慕橘|(zhì)層、導(dǎo)體層與保護(hù)層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。2）平板顯示器件：為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，濺射技術(shù)鍍膜需要鉬、鋁、ITO等材料；3）薄膜太陽(yáng)能電池——第三代，濺射鍍膜工藝是被優(yōu)先選用的制備方法，靶材是不可或缺的原材料；4）計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器：磁信息存儲(chǔ)、磁光信息存儲(chǔ)和全光信息存儲(chǔ)等。在光盤、機(jī)械硬盤等記錄媒體，需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。海南ITO陶瓷靶材靶材相對(duì)密度對(duì)大面積鍍膜的影響靶材的相對(duì)密度是靶材的實(shí)際密度與理論密度之比。

制備一種同質(zhì)雙層氧化鉿減反膜，屬于光學(xué)薄膜技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在透明或半透明基底上依次沉積高折射率的致密氧化鉿層和低折射率的多孔氧化鉿層。兩層氧化鉿的折射率由電子束蒸鍍的入射角度控制，厚度根據(jù)基底不同而調(diào)節(jié)。本發(fā)明采用電子束蒸鍍方法，并且雙層減反膜由同種材料制成，制備成本低、效率高。該雙層氧化鉿減反膜對(duì)于可見光范圍內(nèi)的多角度入射光均具有很好的減反增透能力，可用于降低窗板、觸屏電極或液晶顯示屏等表面的反射，具有廣的應(yīng)用前景。

陶瓷靶材和金屬靶材各自優(yōu)缺點(diǎn)：1.導(dǎo)電性:金屬靶材都具有導(dǎo)電性,可以適應(yīng)各種不同電源類型機(jī)臺(tái),而陶瓷靶材因?yàn)榇蟛糠植痪邆鋵?dǎo)電性,只能使用射頻電源. 2.導(dǎo)熱性:金屬靶材導(dǎo)熱性能好,濺射時(shí)可以大功率運(yùn)行.陶瓷靶材導(dǎo)熱性較差,濺射時(shí)功率不宜過高.復(fù)合性:3. 金屬靶材內(nèi)很難摻入其他陶瓷類物質(zhì),濺射后膜層功能比較單一.陶瓷靶材可以根據(jù)需要摻入不同金屬及陶瓷類物質(zhì),濺射后可以形成多種物質(zhì)組成的復(fù)合膜層,這點(diǎn)陶瓷靶材比金屬靶材占優(yōu).透明導(dǎo)電薄膜的種類很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。

磁控濺射時(shí)靶材表面變黑我們可以想到的1、可能靶材是多孔的，（細(xì)孔）在孔中有一些有機(jī)污染物（極端可能性）；2、可能靶材有點(diǎn)粗糙，用紙巾用異丙醇擦拭，粗糙的表面在目標(biāo)表面保留了一些細(xì)薄的組織纖維，這可能是碳污染的來源；3、沉積速率可能相當(dāng)高，并產(chǎn)生非常粗糙的沉積物；4、基板與靶材保持非常接近，在目前的濺射條件下（功率、壓力、子靶材距離）有一些發(fā)熱，氣體中有一些污染；5、真空室漏氣或漏水，真空室內(nèi)有揮發(fā)的成分，沒有充入氬氣，充入空氣或其他氣體，可能引起中毒，這些成分與靶材反應(yīng)，變成黑色物質(zhì)覆蓋靶材表面。從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優(yōu)勢(shì)或?qū)榘胁膸斫当究臻g。海南ITO陶瓷靶材

濺射靶材綁定背板流程；山東光伏行業(yè)陶瓷靶材價(jià)格咨詢

ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中，靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發(fā)生復(fù)雜的物理化學(xué)變化,ITO靶材表面會(huì)產(chǎn)生許多小的結(jié)瘤,這個(gè)現(xiàn)象被稱為ITO靶材的毒化現(xiàn)象。靶材結(jié)瘤毒化后.靶材的濺射速率降低，孤光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差，此時(shí)必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴(yán)重降低濺射鍍膜效率。目前對(duì)于結(jié)瘤形成機(jī)理尚未有統(tǒng)一定論，如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認(rèn)為結(jié)瘤是In2O3、分解所致,導(dǎo)電導(dǎo)熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心，使結(jié)瘤進(jìn)一步發(fā)展;姚吉升等研究了結(jié)瘤物相組成及化學(xué)組分,認(rèn)為結(jié)瘤是偏離了化學(xué)計(jì)量的ITO材料在靶材表面再沉積的結(jié)果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制備ITO靶材,研究了SnO2,分布狀態(tài)對(duì)靶材表面結(jié)瘤形成速率的影響,認(rèn)為低濺射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均勻分布是結(jié)瘤的主要原因。盡管結(jié)瘤機(jī)理尚不明確,但毋庸置疑的是,結(jié)瘤的產(chǎn)生嚴(yán)重影響ITO陶瓷靶材的濺射性能，因此,對(duì)結(jié)瘤的形成機(jī)理進(jìn)行深入研究具有重要意義。山東光伏行業(yè)陶瓷靶材價(jià)格咨詢

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