江西自動(dòng)化異質(zhì)結(jié)濕法設(shè)備

光伏太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池整線裝備，產(chǎn)業(yè)機(jī)遇：方向清晰：HJT技術(shù)工藝流程短、功率衰減低、輸出功率穩(wěn)定、雙面發(fā)電增益高、未來(lái)主流技術(shù)方向；時(shí)間明確：HJT平均量產(chǎn)效率已超過(guò)PERC瓶頸（25%），行業(yè)對(duì)HJT電池投入持續(xù)加大，電池商業(yè)化已逐漸成熟；機(jī)遇可期：設(shè)備與耗材是HJT規(guī)?；年P(guān)鍵，降本增效是不變的主題，具備HJT整線整合能力的供應(yīng)商優(yōu)勢(shì)明顯。當(dāng)前HJT生產(chǎn)成本約：硅片占比約50%，銀漿占比約25%，靶材約6%左右；當(dāng)前HJT設(shè)備成本約：清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、絲網(wǎng)印刷，設(shè)備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。異質(zhì)結(jié)電池具有環(huán)保、可持續(xù)的特點(diǎn)，能夠?yàn)槲磥?lái)的可持續(xù)發(fā)展做出重要貢獻(xiàn)。江西自動(dòng)化異質(zhì)結(jié)濕法設(shè)備

異質(zhì)結(jié)電池技術(shù)路線，發(fā)電量高：低溫度意味著在組件高溫運(yùn)行環(huán)境中，HJT電池具有相對(duì)較高的發(fā)電性能，從而實(shí)現(xiàn)發(fā)電量增益、降低系統(tǒng)的度電成本；若考慮電池工作溫度超出環(huán)境溫度10-40℃,而全年平均環(huán)境溫度相比實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)工況低5-10℃，HJT電池每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約0.6%-3.9%。優(yōu)勢(shì)五：雙面率高HJT正反面結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)，而且TCO薄膜是透光的，天然就是雙面電池；HJT的雙面率能達(dá)到90%以上(能達(dá)到98%)，雙面PERC的雙面率約為75%+；據(jù)solarzoom測(cè)算，考慮10%-20%的背面輻照及電池片雙面率的差異，HJT電池單瓦發(fā)電量高出雙面PERC電池約2%-4%。優(yōu)勢(shì)六：弱光效應(yīng)HJT電池采用N型單晶硅片，而PERC電池采用P型單晶硅片在600W/m以下的輻照強(qiáng)度；N型相比P型的發(fā)電表現(xiàn)高出1%-2%左右，HJT電池因弱光效應(yīng)而在每W發(fā)電量上高出雙面PERC電池約0.5-1.0%左右。杭州新型異質(zhì)結(jié)銅電鍍產(chǎn)線零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備導(dǎo)入銅制程電池等多項(xiàng)技術(shù)，降低非硅成本。

異質(zhì)結(jié)電池為對(duì)稱(chēng)的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對(duì)稱(chēng)的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。

高效異質(zhì)結(jié)電池整線裝備，物理的氣相沉積，PVD優(yōu)點(diǎn)沉積速度快、基材溫升低；所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；濺射工藝可重復(fù)性好，精確控制厚度；膜層粒子的散射能力強(qiáng)，繞鍍性好；不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合，同時(shí)濺射于基材上；缺點(diǎn)：常規(guī)平面磁控濺射技術(shù)靶材利用率不高，一般低于40％；在輝光放電中進(jìn)行，金屬離化率較低。反應(yīng)等離子體沉，RPD優(yōu)點(diǎn)：對(duì)襯底的轟擊損傷小；鍍層附著性能好，膜層不易脫落；源材料利用率高，沉積速率高；易于化合物膜層的形成，增加活性；鍍膜所使用的基體材料和膜材范圍廣。缺點(diǎn)：薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過(guò)渡區(qū)較寬，應(yīng)用中受到限制（特別是電子器件和IC）；薄膜中含有氣體量較高。異質(zhì)結(jié)電池主工藝之一：PVD設(shè)備。

HJT電池生產(chǎn)流程，HJT電池生產(chǎn)設(shè)備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對(duì)n型硅片進(jìn)行各項(xiàng)異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結(jié)構(gòu)（“金字塔結(jié)構(gòu)”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產(chǎn)生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質(zhì)結(jié)界面的一部分，避免不潔凈引進(jìn)的缺陷和雜質(zhì)而帶來(lái)的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。堿溶液濃度較低時(shí)，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱(chēng)為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結(jié)構(gòu)的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標(biāo)，一般可通過(guò)添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時(shí)間等來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)控制。光伏異質(zhì)結(jié)結(jié)合了晶體硅和薄膜太陽(yáng)能電池的優(yōu)點(diǎn)，能在低成本下實(shí)現(xiàn)高效率。四川光伏異質(zhì)結(jié)PVD

光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)的不斷創(chuàng)新，推動(dòng)了太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和普及。江西自動(dòng)化異質(zhì)結(jié)濕法設(shè)備

異質(zhì)結(jié)電池為對(duì)稱(chēng)的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案：釜川自主研發(fā)的“零界”高效異質(zhì)結(jié)電池整線制造解決方案已實(shí)現(xiàn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化,該解決方案疊加了雙面微晶、無(wú)銀或低銀金屬化工藝，提升了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率、良率和產(chǎn)能，并降低了生產(chǎn)成本。江西自動(dòng)化異質(zhì)結(jié)濕法設(shè)備