深圳高效HJT技術

來源: 發(fā)布時間:2024-02-28

HJT電池TCO薄膜的方法主要有兩種:RPD(特指空心陰極離子鍍)和PVD(特指磁控濺射鍍膜);l該工藝主要是在電池正背面上沉積一層透明導電膜層,通過該層薄膜實現(xiàn)導電、減反射、保護非晶硅薄膜的作用,同時可以有效地增加載流子的收集;l目前常用于HJT電池TCO薄膜為In2O3系列,如ITO(錫摻雜In2O3,@PVD濺射法)、IWO(鎢摻雜In2O3,@RPD方法沉積)等。HJT電池具備光電轉化效率提升潛力高、更大的降成本空間。零界高效異質結電池整線解決方案,實現(xiàn)設備國產化,高效高產PVD DD CVD。HJT電池的技術創(chuàng)新不斷推動著產業(yè)的發(fā)展,未來有望實現(xiàn)更高效、更環(huán)保的能源轉換技術。深圳高效HJT技術

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“零界”高效異質結電池整線制造解決方案已實現(xiàn)設備國產化,該解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝,提升了太陽能電池的轉換效率、良率和產能,并極大降低了生產成本。釜川以半導體生產設備、太陽能電池生產設備為主要產品,打造光伏設備一體化服務。擁有強大的科研團隊,憑借技術競爭力,在清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、電鍍銅設備等方面的有獨特優(yōu)勢;以高效加工制造、快速終端交付的能力,為客戶提供整線工藝設備的交付服務。深圳自動化HJT電池板塊HJT電池的結構采用兩片薄晶硅片中間夾著一層N型半導體作為基底,這種結構可以增加光的吸收和利用率。

HJT電池工藝 1.清洗制絨。通過腐蝕去除表面損傷層,并且在表面進行制絨,以形成絨面結構達到陷光效果,減少反射損失;2.正面/背面非晶硅薄膜沉積。通過CVD方式在正面/背面分別沉積5~10nm的本征a-Si:H,作為鈍化層,然后再沉積摻雜層;3.正面/背面TCO沉積。通過PVD在鈍化層上面進行TCO薄膜沉積;4.柵線電極。通過絲網印刷進行柵線電極制作;5.烘烤(退火)。通過絲網印刷進行正面柵線電極制作,然后通過低溫燒結形成良好的接觸;6.光注入。7.電池測試及分選。

HJT異質結(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer,HJT)電池為對稱的雙面結構,主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層(包括 N 型非晶硅薄膜 n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非晶硅薄膜 p-a-Si:H)、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT是很有潛力優(yōu)勢的技術,在將來HJT電池與鈣鈦礦技術進行復合疊層,突破轉換效率30%成為可能。釜川高效HJT電池濕法金屬化設備采用無銀或低銀工藝。

HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)是一種新型的太陽能電池技術,相比于傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池,HJT具有更高的轉換效率和更低的溫度系數(shù)。在壽命和可靠性方面,HJT也有一定的優(yōu)勢。首先,HJT的壽命較長。由于HJT采用了多層異質結構,可以有效地減少電池的光衰減和熱衰減,從而延長電池的使用壽命。此外,HJT電池的材料和工藝也比較成熟,可以保證電池的穩(wěn)定性和可靠性。其次,HJT的可靠性較高。HJT電池的結構簡單,沒有PN結,因此不會出現(xiàn)PN結老化和漏電等問題。同時,HJT電池的溫度系數(shù)較低,可以在高溫環(huán)境下保持較高的轉換效率,不會因為溫度變化而影響電池的性能??偟膩碚f,HJT電池具有較長的壽命和較高的可靠性,這也是其在太陽能電池領域備受關注的原因之一。但是,HJT電池的成本較高,還需要進一步的技術改進和成本降低才能在市場上得到廣泛應用。HJT電池是高效晶體硅電池的一種,具有高效率、低衰減、耐高溫等優(yōu)點。山東硅HJT技術

HJT電池是未來光伏產業(yè)的重要發(fā)展方向之一,具有廣闊的市場前景。深圳高效HJT技術

HJT電池轉換效率高,拓展?jié)摿Υ?,工藝簡單并且降本路線清晰,契合了光伏產業(yè)發(fā)展的規(guī)律,是有潛力的下一代電池技術。 HJT裝備與材料:包含制絨清洗設備、PECVD設備、PVD設備、金屬化設備等。 電鍍銅設備:采用金屬銅完全代替銀漿作為柵線電極,具備低成本、高效率等優(yōu)勢。 異質結電池整線解決方案:釜川自主研發(fā)的“零界”高效異質結電池整線制造解決方案已實現(xiàn)設備國產化,該解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝,提升了太陽能電池的轉換效率、良率和產能,并降低了生產成本。深圳高效HJT技術