深圳泛半導體電鍍銅產(chǎn)線

電鍍銅工序包括種子層制備、圖形化、電鍍?nèi)蟓h(huán)節(jié)，涌現(xiàn)多種設備方案。電鍍銅 工藝尚未定型，各環(huán)節(jié)技術(shù)方案包括（1）種子層：設備主要采用 PVD，主要技術(shù)分歧 在于是否制備種子層、制備整面/局部種子層和種子層金屬選用；（2）圖形化：感光材料 分為干膜和油墨，主要技術(shù)分歧在于曝光顯影環(huán)節(jié)選用掩膜類光刻/LDI 激光直寫/激光 開槽；（3）電鍍：主要技術(shù)分歧在于水平鍍/垂直鍍/光誘導電鍍。釜川（無錫）智能科技有限公司，以半導體生產(chǎn)設備、太陽能電池生產(chǎn)設備為主要產(chǎn)品，打造光伏設備一體化服務。擁有強大的科研團隊，憑借技術(shù)競爭力，在清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、電鍍銅設備等方面都有獨特優(yōu)勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設備的交付服務。電鍍銅工藝流程，圖形化和金屬化為重點心。深圳泛半導體電鍍銅產(chǎn)線

銅電鍍相較銀漿絲網(wǎng)印刷，優(yōu)勢主要在兩方面：降本與提效。1）降本：在自然界中，金屬導電性由高到低分別是銀、銅、金、鋁、鎳、鐵，但銀屬于貴金屬，價格較高，不適合做導線，若采用其做導線，將拉高生產(chǎn)成本，因此在光伏電池片中，無論是使用高溫銀漿還是低溫銀漿，銀漿成本高昂是產(chǎn)業(yè)規(guī)?；袋c，銅作為賤金屬，若能替代銀，降本問題基本迎刃而解。2）效率提升：金屬銀導電性強于金屬銅，但銀漿屬于混合流動膠體，導電性較純銅的銅柵線弱，線寬可以做到更細的銅柵線發(fā)電效率也更高。成都泛半導體電鍍銅設備制造商電鍍銅技術(shù)路線濕膜光刻比干膜光刻多一道烘烤環(huán)節(jié)，但其性能優(yōu)異和成本低，為目前主流路線。

光伏電鍍銅設備工藝銅柵線更細，線寬線距尺寸小，發(fā)電效率更高。柵線細、線寬線距小意味著柵線密度更大，更多的柵線可以更好地將光照產(chǎn)生的內(nèi)部載流子通過電流形式導出電池片，從而提高發(fā)電效率，銅電鍍技術(shù)電池轉(zhuǎn)化效率比絲網(wǎng)印刷高0.3%~0.5%。①低溫銀漿較為粘稠，印刷寬度更寬。高溫銀漿印刷線寬可達到20μm，但是低溫銀漿印刷的線寬大約為40μm。②銅電鍍銅離子沉積只有電子交換，柵線寬度更小。銅電鍍的線寬大約為20μm，采用類半導體的光刻技術(shù)可低于20μm。

電鍍銅導電性與發(fā)電效率雙重提升金屬柵線電極與透明導電膜之間形成一個非整流的接觸——歐姆接觸，歐姆接觸效果決定電池導電性與發(fā)電效率能否達到適合。影響歐姆接觸效果的因素有接觸面緊密結(jié)合度、柵線材料電阻率，電阻率越大，電池片對電子或載流子的負荷越高，電子或載流子的通過率越差。銅柵線導電性強于銀漿。銅的導電性與銀相近，但銀漿屬于混合物膠體，銅柵線是純銅，因此銅柵線的電阻率更低，銅柵線電阻率是1.7Ω/m，銀漿的電阻率大約為5-10Ω/m。電鍍銅設備是實現(xiàn)金屬化的重點，各家紛紛布局主要電鍍設備有龍門電鍍線、水平電鍍線、VCP垂直連續(xù)電鍍線。

電鍍銅的外觀通常呈現(xiàn)出金屬光澤，表面光滑平整，色澤呈現(xiàn)出深黃色或紅棕色。電鍍銅的外觀質(zhì)量與電鍍工藝和材料有關(guān)，一般來說，電鍍銅的外觀質(zhì)量越好，其表面光澤越強，色澤越鮮艷，且不易出現(xiàn)氧化、腐蝕等問題。電鍍銅的外觀質(zhì)量受到多種因素的影響，如電鍍液的成分、溫度、電流密度、電鍍時間等。在電鍍過程中，如果電鍍液的成分不均勻或溫度、電流密度不穩(wěn)定，就會導致電鍍銅的外觀質(zhì)量不佳，表面可能會出現(xiàn)氣泡、凹凸不平、色澤不均等問題。此外，電鍍銅的外觀質(zhì)量還與基材的材料和表面處理有關(guān)。如果基材表面不平整或存在污垢、油脂等物質(zhì)，就會影響電鍍銅的外觀質(zhì)量。因此，在進行電鍍銅之前，需要對基材進行適當?shù)那逑春吞幚恚源_保電鍍銅的外觀質(zhì)量。電鍍銅路線PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蝕性及化學穩(wěn)定性，膜層的壽命更長。北京高效電鍍銅技術(shù)路線

電鍍銅工藝圖形化：光刻路線和激光路線并行。深圳泛半導體電鍍銅產(chǎn)線

銀漿成本高有四大降本路徑，兩大方向。一是減少高價低溫銀漿用量 二是減少銀粉的用量，使用賤金屬替代部分銀粉，例如銀包銅、電鍍銅。銅電鍍是一種非接觸式的電極金屬化技術(shù)，在基體金屬表面通過電解方法沉積金屬銅制作銅柵線，收集光伏效應產(chǎn)生的載流子。為解決電鍍銅與透明導電薄膜（TCO）之間的接觸與附著性問題，需先使用PVD設備鍍一層極薄的銅種子層（100nm），銜接前序的TCO和后序的電鍍銅，種子層制備后還需對其進行快速燒結(jié)處理，以進一步強化附著力。同時，銅種子層作為后續(xù)電鍍銅的勢壘層，可防止銅向硅內(nèi)部擴散。深圳泛半導體電鍍銅產(chǎn)線