北京工業(yè)濕法去PSG

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-07

濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。濕法還可以用于能源領(lǐng)域,例如濕法脫硫技術(shù)可以減少燃煤電廠的二氧化硫排放。北京工業(yè)濕法去PSG

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濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。閉環(huán)運(yùn)動控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動平穩(wěn)性。拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對背面作拋光處理。烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。成都大產(chǎn)能濕法制絨濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颉?/p>

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濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。

濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等設(shè)備;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。濕法還可以用于紡織工業(yè)中的染色和整理等工藝。

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濕法是一種常用的化學(xué)反應(yīng)方法,用于合成或轉(zhuǎn)化化合物。它通常涉及將固體或氣體反應(yīng)物與液體溶劑或溶液中的溶質(zhì)反應(yīng)。濕法反應(yīng)機(jī)理可以因反應(yīng)類型和反應(yīng)物而異,但一般可以歸納為以下幾個(gè)步驟:1.溶解:反應(yīng)物在溶劑中溶解,形成溶液。這一步驟可以通過物理吸附、化學(xué)吸附或溶解度平衡來實(shí)現(xiàn)。2.離子化:如果反應(yīng)物是離子化合物,它們會在溶液中解離成離子。這是濕法反應(yīng)中常見的步驟,其中溶劑的極性和離子間相互作用起著重要作用。3.反應(yīng):反應(yīng)物的離子或分子在溶液中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這可能涉及離子間的交換、配位鍵的形成或斷裂、氧化還原反應(yīng)等。4.沉淀或析出:在反應(yīng)中,產(chǎn)生的產(chǎn)物可能會形成沉淀或析出物。這是由于反應(yīng)物濃度的變化、溶劑揮發(fā)或溶液中其他物質(zhì)的存在。5.分離和純化:除此之外,反應(yīng)產(chǎn)物需要通過分離和純化步驟從溶液中提取出來。這可以通過過濾、結(jié)晶、蒸餾等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好;成都大產(chǎn)能濕法制絨

電池濕法設(shè)備在生產(chǎn)過程中采用先進(jìn)的控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線的自動化和智能化控制,提高產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性。北京工業(yè)濕法去PSG

晶片濕法設(shè)備保證晶片的清潔度主要依靠以下幾個(gè)方面:1.清洗液的選擇:選擇適合的清洗液對于保證晶片的清潔度至關(guān)重要。清洗液應(yīng)具有良好的溶解性和去除能力,能夠有效去除晶片表面的雜質(zhì)和污染物。2.清洗工藝參數(shù)的控制:在清洗過程中,需要控制清洗液的溫度、濃度、流速和清洗時(shí)間等參數(shù)。合理的參數(shù)設(shè)置可以提高清洗效果,確保晶片表面的徹底清潔。3.設(shè)備的維護(hù)和保養(yǎng):定期對清洗設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和保養(yǎng),保證設(shè)備的正常運(yùn)行和清洗效果的穩(wěn)定性。包括清洗槽的清洗、更換濾芯、檢查管路等。4.操作人員的培訓(xùn)和操作規(guī)范:操作人員需要接受專業(yè)的培訓(xùn),了解清洗設(shè)備的操作規(guī)范和注意事項(xiàng)。正確的操作方法和操作流程可以更大程度地保證晶片的清潔度。5.環(huán)境的控制:保持清洗環(huán)境的潔凈度,防止灰塵和其他污染物進(jìn)入清洗設(shè)備??梢圆扇】諝鈨艋?、靜電消除等措施,確保清洗環(huán)境的潔凈度。北京工業(yè)濕法去PSG