吉林光刻多少錢

來源: 發(fā)布時間:2020-09-16

光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學反應;再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上;***利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。 在廣義上,它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。 吉林光刻多少錢

浸沒式光刻的原理 浸沒式光刻技術(shù)需要在光刻機投影物鏡***一個透鏡的下表面與硅片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體。浸沒式光刻機工作時并不是把晶圓完全浸沒在水中,而只是在曝光區(qū)域與光刻機透鏡之間充滿水。光刻機的鏡頭必須特殊設計,以保證水隨著光刻機在晶圓表面做步進-掃描運動,沒有泄露;水中沒有氣泡和顆粒。在193nm波長下,水的折射率是1.44,可以實現(xiàn)NA大于1。 此技術(shù)在原來的193nm干式光刻技術(shù)平臺之上,因為此種技術(shù)的原理清晰及配合現(xiàn)有的光刻技術(shù)變動不大,獲得了人們的極大贊賞。 遼寧官方光刻

雖然浸入式光刻已受到很大的關(guān)注,但仍面臨巨大挑戰(zhàn),浸入式光刻的挑戰(zhàn)在于控制由于浸入環(huán)境引起的缺點,包括氣泡和污染;抗蝕劑與流體或面漆的相容性,以及面漆的發(fā)展;抗蝕劑的折射指數(shù)大于1.8;折射指數(shù)大于1.65的流體滿足粘度、吸收和流體循環(huán)要求;折射指數(shù)大于1.65的透鏡材料滿足透鏡設計的吸收和雙折射要求。 光蝕刻系統(tǒng)制造的精細程度取決于很多因素。但是實現(xiàn)跨越性進步的有效方法是降低使用光源的波長,光刻機廠商們就是這么做的,他們將晶圓曝光工具從人眼可見的藍光端開始逐漸減小波長,直到光譜上的紫外線端。

EUV技術(shù)慢慢開始替代了一部分的浸沒式光刻,EUV技術(shù)以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴展到32nm以下的特征尺寸。EUV光刻所能提供的高分辨率已經(jīng)被實驗所證實。光刻機供應商已經(jīng)分別實現(xiàn)了20nm和14nm節(jié)點的SRAM的曝光,并與193i曝光的結(jié)果做了對比。顯然,即使是使用研發(fā)機臺,EUV曝光的分辨率也遠好于193i。14nm節(jié)點圖形的曝光聚焦深度能到達250nm以上。

沉浸式光刻技術(shù)是在傳統(tǒng)的光刻技術(shù)中,其鏡頭與光刻膠之間的介質(zhì)是空氣,而所謂浸入式技術(shù)是將空氣介質(zhì)換成液體。實際上,浸入式技術(shù)利用光通過液體介質(zhì)后光源波長縮短來提高分辨率,其縮短的倍率即為液體介質(zhì)的折射率。 浸沒式光刻技術(shù)也稱為浸入式光刻技術(shù)。一般特指193nm浸入式光刻技術(shù)。在浸入式光刻技術(shù)之前,繼436nm、365nm、248nm之后,采用的是193nm干式光刻技術(shù),但在65 納米技術(shù)節(jié)點上遇到了困難,試驗了很多技術(shù)但都無法很好的突破這一難題。 到2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵,而此前業(yè)界并沒有認為浸入式技術(shù)有如此大的功效。此技術(shù)在原來的193nm干式光刻技術(shù)平臺之上,因為此種技術(shù)的原理清晰及配合現(xiàn)有的光刻技術(shù)變動不大,獲得了人們的極大贊賞。 口碑好光刻

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