晶間腐蝕,貧化理論:對于奧氏體不銹鋼等合金,在一定條件下,晶界會析出第二相,導致晶界附近某種成分出現(xiàn)貧乏化。以奧氏體不銹鋼為例,具體過程如下:碳化物析出:當溫度升高時,碳在不銹鋼晶粒內部的擴散速度大于鉻的擴散速度。室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小,而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值,多余的碳會不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散,并和鉻化合,在晶間形成碳化鉻的化合物,如等。貧鉻區(qū)形成:鉻沿晶界擴散的速度比在晶粒內擴散速度快,但由于碳化鉻形成速度較快,內部的鉻來不及向晶界擴散,所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來自晶界附近,結果使晶界附近的含鉻量大為減少。當晶界的鉻的質量分數(shù)低到小于時,就形成 “貧鉻區(qū)”。電解拋光腐蝕,7寸觸摸屏控制操作。云南鋼的檢驗腐蝕廠家批發(fā)
低倍組織熱腐蝕,測試目的:通過宏觀檢驗發(fā)現(xiàn)鋼中的缺陷及不均勻性,如:疏松、氣泡、白點、翻皮、偏析、殘余縮孔等。這些缺陷及不均勻性的存在將會導致鋼材的機械性能、物理性能的降低,所以低倍檢查在產(chǎn)品驗收、新品試制、工藝調整與控制方面占有十分重要的地位。項目介紹:低倍組織檢驗是用肉眼或放大適當?shù)谋稊?shù)來觀察試樣浸蝕面的宏觀組織缺陷及斷口形貌的一種檢測方法。低倍檢驗常用的方法有酸蝕、斷口形貌、硫印、塔形發(fā)紋等,其中酸蝕又包括熱酸腐蝕法、冷酸腐蝕法及電解腐蝕法,如需仲裁是推薦使用熱酸腐蝕法。低倍檢驗所需設備簡單,操作簡便迅速結果直觀,易于掌握。廣東低倍加熱腐蝕價格多少晶間腐蝕,當漏液時,傳感器檢測到后停機并且自動打開通風柜,避免給操作員身體帶來傷害。
電解拋光腐蝕后面板上面前面一個為電源總開關;下排左起前面一個為電源輸入插座;下排左起第二個:插座的開/關與工作電流輸出同步;下排左起第三、四個和電源的總電源同步。注意事項:開機前將電壓、電流調節(jié)電位器逆時針調到底;空栽或輕負載時輸出電壓由高處至低端時,動作不宜過快以免失控;面板輸出接線柱不可當輸入接線柱使用;對穩(wěn)壓電源進行維修時,必須將輸入電壓斷開;輸入電源線的保護接地端,必須可靠接地,以確保使用安全。
電解拋光腐蝕參考資料
試驗材料 |
電解液配比 |
電壓 |
時間 |
備注 |
銅、銅一鋅合金 |
水 100ml焦磷酸 580g |
1~2v |
10分 |
銅陰極 |
銅和銅基合金 |
蒸餾水:500ml,磷酸(85%)250ml乙醇(95%) 250ml |
18V |
1~5分 |
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青銅 (Sn≤9%) |
水 450ml磷酸(85%) 390ml |
1.5~12V |
1~5分 |
0.1A/ cm2 |
青銅 (Sn≤6%) |
水:330ml 硫酸 90ml磷酸(85%) 580ml |
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|
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鋁和鋁一硅(<2% 合金 |
蒸餾水:140ml,酒精(95%)800ml高氯酸(60%) 60ml |
30~40v |
15~60秒 |
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鋁一合金 |
甲醇(純) 840ml甘油(丙三醇) 125ml |
50~100v |
5~60秒 |
|
鋁 |
甲醇(純):950ml, 硝酸(1.40)15ml,高氯酸(60%)50ml |
30~60v |
15~60秒 |
|
鋁、銀、鎂 |
蒸餾水:200ml,磷酸(85%)400ml酒精(95%) 380ml |
25~30v |
4~6分 |
鋁陰極 100~1100。F |
電解拋光腐蝕儀器構成包括直流電源部分、腐蝕器和控溫系統(tǒng)。直流電源輸出端接腐蝕器的輸入端,腐蝕器與控溫系統(tǒng)相連接。直流電源恒定輸出預設電壓和恒定輸出電流給腐蝕器,以及輸出電路中設置電流過載保護器,用于腐蝕器在工作過程中保持恒定的電壓和電流;直流電源中設有時間繼電器,用于樣品電解時間到達設定時間后,關閉電流、電壓的輸出,同時蜂鳴器提醒;腐蝕器包括電極,樣品罩,攪拌器,控溫系統(tǒng)由加熱控制單元和冷卻盤管組成。折疊編輯本段特點電解拋光腐蝕儀可實現(xiàn)恒定電壓、恒定電流方式工作,可控制樣試樣的電解電流密度,能快速而有效地對金屬材料進行電解拋光和腐蝕,具有重復性好,操作控制方便等特點。電解拋光腐蝕,攪拌裝置保證了拋光/腐蝕介質均勻,樣品表面環(huán)境一致。海南鹽酸腐蝕操作簡單
低倍加熱腐蝕消 除了低倍組織制樣過程的不確定性,提高低倍組織制樣的重復性。云南鋼的檢驗腐蝕廠家批發(fā)
晶間腐蝕試驗方法,各標準對試驗細節(jié)均有詳細規(guī)定。
試驗方法 |
試驗標準 |
試驗周期 |
備注 |
不銹鋼晶間腐蝕A法 |
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4天 |
草酸法 |
不銹鋼晶間腐蝕B法 |
7天 |
硫酸-硫酸鐵 120h |
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不銹鋼晶間腐蝕C法 |
13-15天 |
硝酸法 5*48h |
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不銹鋼晶間腐蝕D法 |
4天 |
硝酸-氫氟酸 2*2h |
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不銹鋼晶間腐蝕E法 |
4天 |
硫酸-硫酸銅 16h |
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鎳基合金晶間腐蝕A法 |
GB/T 15260-1994 |
7天 |
硫酸-硫酸鐵 120h |
鎳基合金晶間腐蝕B法 |
3(5)天 |
銅-硫酸銅-硫酸 24h或72h |
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鎳基合金晶間腐蝕C法 |
10-12天 |
鹽酸法 168h |
|
鎳基合金晶間腐蝕D法 |
13-15天 |
硝酸法 5*48h |