三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,可控硅不單單是流控型器件,稍微復(fù)雜一點。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,可以用作開關(guān),也可以用作信號放大。三極管分為NPN型和PNP型,當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后,三極管導(dǎo)通。對于NPN三極管而言:在基極是高電平時,三極管導(dǎo)通;在基極是低電平時,三極管截至。對于PNP三極管而言:在基極是高電平時,三極管截至;在基極是低電平時,三極管導(dǎo)通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件,與三極管相比較,其過電流能力會更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管,在Vgs>0時導(dǎo)通,Vgs<><0時導(dǎo)通,vgs>0截至;可控硅的控制方式可控硅的控制方式稍微復(fù)雜一點,可控硅共有四個工作象限,而且可控硅一旦導(dǎo)通,移除門極觸發(fā)信號后,依然導(dǎo)通不會關(guān)斷??煽毓璧膶?dǎo)通條件:門極存在滿足條件的觸發(fā)電流,T1和T2存在大于管壓降的電壓??煽毓璧慕刂翖l件:門極觸發(fā)信號移除,T1和T2之間的電流小于維持電流。盟科電子做場效應(yīng)管很不錯?;葜軵溝道場效應(yīng)管價錢
由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負(fù)離子),當(dāng)VGS=0時,這些正離子產(chǎn)生的電場能在P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子,形成N型導(dǎo)電溝道;當(dāng)VGS>0時,將產(chǎn)生較大的ID(漏極電流);如果使VGS<0,則它將削弱正離子所形成的電場,使N溝道變窄,從而使ID減小。這些特性使得耗盡型MOS管在實際應(yīng)用中,當(dāng)設(shè)備開機(jī)時可能會誤觸發(fā)MOS管,導(dǎo)致整機(jī)失效;不易被控制,使得其應(yīng)用極少。因此,日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中,PMOS可以很方便地用作驅(qū)動。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換種類少等問題,在驅(qū)動中,通常還是使用NMOS替代,這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類,增強(qiáng)型NMOS管**非常為常見的重要原因,尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中,一般都用NMOS管。 東莞N溝道場效應(yīng)管MOSMK3401場效應(yīng)管規(guī)格書。
三極管是電流控制型器件-通過基極電流或是發(fā)射極電流去控制集電極電流;又由于其多子和少子都可導(dǎo)電稱為雙極型元件)NPN型三極管共發(fā)射極的特性曲線三極管各區(qū)的工作條件:1.放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏:2.飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏;3.截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。11、半導(dǎo)體三極管的好壞檢測a;先選量程:R﹡100或R﹡1K檔位b;測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發(fā)射極與集電極,所測得阻值分別為發(fā)射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.d;測量NPN型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值的方法和測量PNP型半導(dǎo)體三極管的方法相反.三、場效應(yīng)管(MOS管)1、場效應(yīng)管英文縮寫:FET(Field-effecttransistor)2、場效應(yīng)管分類:結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管3、場效應(yīng)管電路符號:4、場效應(yīng)管的三個引腳分別表示為:G(柵極),D(漏極),S(源極)注:場效應(yīng)管屬于電壓控制型元件。
場效應(yīng)管和晶閘管都是電子電路中常用的開關(guān)型器件,但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別。場效應(yīng)管包括結(jié)型場效應(yīng)管JFET和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET。而晶閘管一般是指可控硅,可控硅按照導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個電極,分別為柵極G、源極S和漏極D,其中柵極G為控制端,源極S和漏極D為輸出端。PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體,在VGS《0時,會形成P溝道,所以叫做P溝道MOS;而NMOS的襯底為P型半導(dǎo)體,在VGS》0時,會形成N溝道,所以叫做N溝道MOS。MOS管是電壓驅(qū)動型的器件,主要用作可控整流、功率開關(guān)、信號放大等,應(yīng)用比較多方面。MOS管的通道依靠VGS的電平,對于NMOS而言,VGS》0時,NMOS導(dǎo)通,否則NMOS截止;對于PMOS而言,VGS《0,PMOS導(dǎo)通,否則截止。晶閘管又稱可控硅,其與場效應(yīng)管一樣,皆為半導(dǎo)體器件,它們的外形封裝也基本一樣,但它們在電路中的用途卻不一樣。 當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。
場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強(qiáng)型(EnhancementMOS或EMOS)和耗盡型(MOS或DMOS)兩大類,每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個電極:D(Drain)稱為漏極,相當(dāng)雙極型三極管的集電極;G(Gate)稱為柵極,相當(dāng)于雙極型三極管的基極;S(Source)稱為源極,相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓?fù)錁?gòu)造,它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極,一個是漏極D,一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat),用符號B表示。工作原理1.溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時,漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管,在D、S之間加上電壓,不會在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時,若0<Vgs<Vgs(th)時(VGS(th)稱為開啟電壓),經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用,將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。替代新潔能的國產(chǎn)品牌有哪些?深圳開關(guān)場效應(yīng)管哪里買
盟科場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管?;葜軵溝道場效應(yīng)管價錢
現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代結(jié)型場效應(yīng)管,O代絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管,3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#,CS代場效應(yīng)管,××以數(shù)字代型號的序號,#用字母代同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。場效應(yīng)管的作用:場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可以用作可變電阻。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 惠州P溝道場效應(yīng)管價錢
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